公开(公告)号：CN213459734U

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202022429352.2

申请日：2020-10-28

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 姚二现 ,  谢龙飞 ,  王豹子 ,  李宇柱

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/498

Abstract: 本实用新型公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括：金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本实用新型能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异，提高芯片开通一致性，避免某一芯片过早失效。

公开(公告)号：CN215069972U

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202120780742.6

申请日：2021-04-16

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 童颜 ,  刘克明 ,  王蕤 ,  潘政薇 ,  刘旭光 ,  姚二现 ,  张大华 ,  董长城

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/16

Abstract: 本实用新型公开了半导体器件封装技术领域的一种半导体模块，采用柔性压接，芯片受力均匀，抗压能力强。包括管壳，所述管壳的一端与模块发射极导电体滑动连接，另一端与模块集电极导电体滑动连接；在所述模块发射极导电体和所述模块集电极导电体之间设有承压限位框，所述承压限位框的一端与所述模块集电极导电体固定连接，所述承压限位框包括多个限位单元，每个所述限位单元内依次设有集电极导电体、芯片、发射极导电体、第一导电体和弹性导电组件，所述集电极导电体上远离芯片的一端抵接在所述模块集电极导电体上，所述弹性导电组件上远离第一导电体的一端抵接在所述模块发射极导电体上。

公开(公告)号：CN218585962U

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202222220448.7

申请日：2022-08-23

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 雷鸣 ,  姚二现 ,  牟哲仪

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/24 ,  H01L25/07 ,  H01L29/739 ,  H01L23/00

Abstract: 本实用新型提供一种模块密封壳体及高压IGBT模块，在不增加外壳的制造成本的基础上，改变外壳的局部结构，使外壳和环氧树脂的结合面积增加，从而消除环氧树脂和外密封性差的问题;在局部位置添加隔栅设计，减少硅胶的灌注量，降低制造成本。包括：基板、侧部外壳、盖板以及相应的模块组件，所述侧部外壳底部与基板密封连接；所述侧部外壳顶部与盖板密封连接；所述侧部外壳的内侧设有U形结构，所述U形结构靠近侧部外壳的一端为环氧树脂阻挡部，另一端为硅胶阻挡部，所述环氧树脂阻挡部的高度大于所述硅胶阻挡部，所述硅胶阻挡部之间的区域为硅胶灌注腔，所述硅胶灌注腔上方及所述环氧树脂阻挡部与硅胶阻挡部之间为环氧树脂灌注腔。

公开(公告)号：CN213459728U

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202022506549.1

申请日：2020-11-03

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 刘克明 ,  张大华 ,  姚二现 ,  童颜

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/498

Abstract: 本实用新型公开了一种用于高压焊接式IGBT器件内部衬板的绝缘结构，包括衬板(1)，所述衬板(1)上连有芯片(3)，所述芯片(3)上键合有键合线(2)，所述衬板(1)上分别预留有集电极键合区域(5)、发射极键合区域(6)、门级键合区域(7)和集电极信号端键合区域(8)，所述芯片(3)和键合线(2)外部包裹有塑封材料结构(9)，所述衬板(1)的背面设置有金属面(4)，所述金属面(4)裸漏在所述塑封材料结构(9)的外侧。本实用新型提供的用于高压大功率焊接式IGBT器件内部衬板，能够避免芯片打火现象、提高键合线的可靠性和有效隔绝外界水汽。

公开(公告)号：CN212851215U

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202021481608.8

申请日：2020-07-24

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 姚二现 ,  王立 ,  李宇柱 ,  黄全全 ,  杨金龙 ,  刘克明

IPC: H05K1/18

Abstract: 本实用新型公开了一种采用超声焊接端子的半导体功率模块，所述下壳体设置在金属基板上，下壳体内设置有多个间隔，每个间隔内设置有绝缘陶瓷衬板，每块绝缘陶瓷衬板上设置有IGBT芯片和FWD芯片，IGBT芯片和FWD芯片构成一个半桥电路，多个半桥电路构成一个全桥电路；所述下壳体两端分别嵌入有功率端子，功率端子的末端与绝缘陶瓷衬板相连接；所述信号端子嵌入间隔内设置的横梁，信号端子末端分别与绝缘陶瓷衬板相连接。本实用新型简化了模块的生产过程，提高了模块的生产效率，增强模块工作的可靠性。

公开(公告)号：CN219937044U

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202320685253.1

申请日：2023-03-31

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 姚二现 ,  陈英毅 ,  骆健 ,  杨金龙 ,  童颜 ,  黄全全

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L25/18

Abstract: 本实用新型公开了一种多芯片并联半桥型IGBT模块，本实用新型增设发射极信号铜层，直接将发射极电压信号从相应键合线蔟引出，减小了信号回路与功率回路的共发射极寄生电感，以及功率回路与信号控制回路间的互感，减小了共发射极寄生电感对信号控制回路的分压，降低了功率回路电流变化对信号控制回路电压变化的影响，使得芯片集电极‑发射极电压在开通过程中下降速度加快，降低了芯片在开通过程中的损耗，有利于提高模块的工作频率。

公开(公告)号：CN216849931U

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202122916327.1

申请日：2021-11-25

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 刘克明 ,  童颜 ,  王豹子 ,  姚二现 ,  胡小刚 ,  陈紫默 ,  莫申扬 ,  刘东明 ,  常飞浩 ,  柴聘聘

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本实用新型公开一种压接式功率器件内部结构，包括：集电极电路板、发射极电路板和PCB栅极电路板，所述集电极板设有若干个芯片子单元；所述发射极电路板设有导电缓冲层，每个芯片子单元通过凸台连接导电缓冲层，所述PCB栅极电路板连接所述导电缓冲层。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本实用新型结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。

公开(公告)号：CN215644455U

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202120290329.1

申请日：2021-02-01

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 谢龙飞 ,  骆健 ,  王豹子 ,  姚二现 ,  杨金龙 ,  刘克明

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/14

Abstract: 本发明涉及一种新型IGBT模块装配结构，包括底板、焊片和陶瓷覆铜板（DBC），所述焊片置于所述底板和所述DBC之间，在所述底板朝向焊片的一侧设置有若干定位柱，在所述DBC上设置有若干定位孔，所述定位柱和定位孔位置相对应，所述定位柱一端延伸至所述定位孔内，所述定位柱的高度与所述定位孔的深度之差小于所述焊片的厚度，所述焊片用于焊接时连接所述底板和所述DBC。该模块通过合理涉及定位柱和定位孔的位置和尺寸，实现快速精确装配。