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公开(公告)号：CN106953010A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710129601.6
申请日：2017-03-07
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L51/0032 , H01L51/0516
Abstract: 本发明涉及一种基于聚合物掺杂半导体纳米粒子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储技术和生物薄膜技术领域。该发明的器件结构自上而下依次为源漏电极、有机半导体、掺杂半导体纳米粒子的聚合物薄膜、栅绝缘层、栅电极，所述有机场效应晶体管存储器的有机半导体和栅绝缘层之间设有一层掺杂半导体纳米粒子的聚合物薄膜层，并将其作为电荷存储层用于捕获电荷。本发明通过再聚合物内掺杂半导体纳米粒子优化改进器件的存储性能，使其存储容量、开关速度和存储稳定性得到很大提升；并且该器件大部分采用溶液法制备，成本低易推广。
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公开(公告)号：CN115117240B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202210794790.X
申请日：2022-07-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种单极性卟啉铜忆阻器及其调控方法，本发明的忆阻器结构从下往上依次为底电极氧化铟锡ITO、有机功能层、无机阻变层非化学计量比氧化物、顶电极金属。所述无机阻变层为采用热原子层沉积薄膜制备所得的非化学计量比氧化物。本发明通过引入热原子层沉积工艺手段，获得了高质量可控的非化学计量比氧化物薄膜，实现了单极性电压调控的同时，为生物功能模拟以及神经形态计算提供了可能。
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公开(公告)号：CN113506851B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202110775166.0
申请日：2021-07-08
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗卟啉锌忆阻器及其制备方法，所述卟啉锌忆阻器从下至上依次包括底电极、有机阻变层、无机阻变层、顶电极，所述有机阻变层为小分子卟啉锌，所述底电极为氧化铟锡，所述顶电极为金属铝，其特征在于，所述无机阻变层为厚度6～10nm的非化学计量比氧化铝薄膜，所述非化学计量比氧化铝薄膜中氧原子和铝原子的数量比值即氧铝比为1.2～1.3。所述无机阻变层为采用热原子层沉积薄膜制备所得的非化学计量比氧化铝。本发明通过引入热原子层沉积工艺手段，获得了高质量可控的非化学计量比氧化铝薄膜，改进了有机忆阻器的开关功耗及稳定性，使其在拥有生物突触响应的同时，具有线性度良好的突触权重更新过程。
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公开(公告)号：CN115884604A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211516563.7
申请日：2022-11-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种光突触晶体管及其制作方法，以P3HT与钙钛矿纳米片共混作为半导体层，可以通过简单的溶液旋涂法制备，得益于钙钛矿纳米片的高载流子传输效率和高的光吸收系数，本器件在极低的工作电压(‑0.0005V)、较弱的光脉冲强度(0.4mWcm‑2)和较短的光照时间(20ms)下的单个突触功耗仅为0.053fJ，本发明提供的突触晶体管可以在弱光条件下实现低功耗。
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公开(公告)号：CN114974328A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210617553.6
申请日：2022-06-01
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明是一种基于有机忆阻器的双向单极性调控方法，该调控方法以双向单极性电压调控有机忆阻器为对象，通过电压调控或者脉冲扫描诱导氧离子传输构建离子传导机制，实现双向单极性电压调控。本发明通过对无机阻变层与有机功能层氧离子输运的调控，得到一种双向单极性电压调控的忆阻器，该忆阻器基于氧离子的调制，可以通过简单的电压调控或者脉冲扫描方法精确调控功能层氧离子传输，从而构建离子传导机制，实现双向单极性调控。通过提取出忆阻器的电导态，实现单极性多值存储；并可应用忆阻器模拟神经元突触的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113506851A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110775166.0
申请日：2021-07-08
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗卟啉锌忆阻器及其制备方法，所述卟啉锌忆阻器从下至上依次包括底电极、有机阻变层、无机阻变层、顶电极，所述有机阻变层为小分子卟啉锌，所述底电极为氧化铟锡，所述顶电极为金属铝，其特征在于，所述无机阻变层为厚度6～10nm的非化学计量比氧化铝薄膜，所述非化学计量比氧化铝薄膜中氧原子和铝原子的数量比值即氧铝比为1.2～1.3。所述无机阻变层为采用热原子层沉积薄膜制备所得的非化学计量比氧化铝。本发明通过引入热原子层沉积工艺手段，获得了高质量可控的非化学计量比氧化铝薄膜，改进了有机忆阻器的开关功耗及稳定性，使其在拥有生物突触响应的同时，具有线性度良好的突触权重更新过程。
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公开(公告)号：CN101702345A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910232491.1
申请日：2009-11-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 叠层石墨烯导电薄膜的制备方法属纳米光电材料科技领域，本发明具体涉及一种60-200摄氏度温度下润湿还原氧化石墨烯薄膜与其多次叠加成膜的制备技术。本发明提供的多层叠加还原氧化石墨烯薄膜具有：(1)原材料利用率高；(2)还原温度温和；(3)电导率高；(4)方块电阻低且可控；(5)价格便宜等优点。在有机电致发光显示、有机电存储、人工肌肉等有机光电功能器件中有着广泛应用，有望替代ITO以及导电聚合物薄膜，将成为一种新型导电薄膜，应用于柔性器件。
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公开(公告)号：CN120018770A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510184267.9
申请日：2025-02-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体技术、生物薄膜技术和神经形态计算领域，公开了一种于纳米孔结构的可重构忆阻器的制备方法，包括：步骤1配置聚合物溶液；步骤2基片预处理；步骤3在基片上使用聚合物溶液进行旋涂；步骤4制备具有纳米孔结构的纳米孔聚合物薄膜层；步骤5真空蒸镀得到小分子阻变层薄膜；步骤6蒸镀顶电极；步骤7将顶电极冷却至室温取出即可获得基于纳米孔结构的可重构忆阻器单个器件。本发明利用聚合物薄膜层的纳米孔结构为离子的迁移提供快速通道，通过改变小分子阻变层薄膜的厚度，实现该忆阻器在阻变存储器和动态忆阻器之间的转换，使忆阻器能够同时具备阻变存储器高效信息存储的优势和动态忆阻器模拟树突非线性整合功能的优势。
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公开(公告)号：CN119136630A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411183766.8
申请日：2024-08-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本申请公开了一种咔唑衍生物单分子层及其制备方法、晶体管存储器及其制备方法，涉及于有机存储和信息技术领域，其包括依次设置的源漏电极、半导体层、咔唑衍生物单分子层、栅绝缘层、衬底和栅电极。本申请制备了咔唑衍生物单分子层并将咔唑衍生物单分子层应用在有机场效应晶体管存储器当中，充当器件的电荷俘获层，操作工艺简单、成本低廉，降低了晶体管存储器的制备难度的同时缩短了制备周期，提高了晶体管存储器的存储性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN118748908A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410891366.6
申请日：2024-07-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体和神经形态硬件领域，公开了一种兼具自愈合功能和高线性度输出的忆阻器及制备方法，忆阻器包括由上至下依次设置的氧化铟锡电极、电解质层和俘获层，电解质层、俘获层均具有自愈合功能，电解质层和俘获层之间通过形成氢键实现良好的自愈性，同时电解质层薄膜、俘获层薄膜之间由于自愈而导致的界面消失使得离子不需要克服势垒而是在电场作用下就能在两层膜之间发生定向移动以实现高线性变化的电导调制。本发明为可自愈神经形态器件的设计以及实现高精度神经形态提供了可行方案。
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