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公开(公告)号：CN120018770A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510184267.9
申请日：2025-02-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体技术、生物薄膜技术和神经形态计算领域，公开了一种于纳米孔结构的可重构忆阻器的制备方法，包括：步骤1配置聚合物溶液；步骤2基片预处理；步骤3在基片上使用聚合物溶液进行旋涂；步骤4制备具有纳米孔结构的纳米孔聚合物薄膜层；步骤5真空蒸镀得到小分子阻变层薄膜；步骤6蒸镀顶电极；步骤7将顶电极冷却至室温取出即可获得基于纳米孔结构的可重构忆阻器单个器件。本发明利用聚合物薄膜层的纳米孔结构为离子的迁移提供快速通道，通过改变小分子阻变层薄膜的厚度，实现该忆阻器在阻变存储器和动态忆阻器之间的转换，使忆阻器能够同时具备阻变存储器高效信息存储的优势和动态忆阻器模拟树突非线性整合功能的优势。
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