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公开(公告)号：CN113506851B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202110775166.0
申请日：2021-07-08
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗卟啉锌忆阻器及其制备方法，所述卟啉锌忆阻器从下至上依次包括底电极、有机阻变层、无机阻变层、顶电极，所述有机阻变层为小分子卟啉锌，所述底电极为氧化铟锡，所述顶电极为金属铝，其特征在于，所述无机阻变层为厚度6～10nm的非化学计量比氧化铝薄膜，所述非化学计量比氧化铝薄膜中氧原子和铝原子的数量比值即氧铝比为1.2～1.3。所述无机阻变层为采用热原子层沉积薄膜制备所得的非化学计量比氧化铝。本发明通过引入热原子层沉积工艺手段，获得了高质量可控的非化学计量比氧化铝薄膜，改进了有机忆阻器的开关功耗及稳定性，使其在拥有生物突触响应的同时，具有线性度良好的突触权重更新过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113506851A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110775166.0
申请日：2021-07-08
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗卟啉锌忆阻器及其制备方法，所述卟啉锌忆阻器从下至上依次包括底电极、有机阻变层、无机阻变层、顶电极，所述有机阻变层为小分子卟啉锌，所述底电极为氧化铟锡，所述顶电极为金属铝，其特征在于，所述无机阻变层为厚度6～10nm的非化学计量比氧化铝薄膜，所述非化学计量比氧化铝薄膜中氧原子和铝原子的数量比值即氧铝比为1.2～1.3。所述无机阻变层为采用热原子层沉积薄膜制备所得的非化学计量比氧化铝。本发明通过引入热原子层沉积工艺手段，获得了高质量可控的非化学计量比氧化铝薄膜，改进了有机忆阻器的开关功耗及稳定性，使其在拥有生物突触响应的同时，具有线性度良好的突触权重更新过程。
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公开(公告)号：CN113461713B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110796930.2
申请日：2021-07-14
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D519/00
Abstract: 本发明公开一种CPDT基梯形格分子及其制备方法和应用，该分子的整体结构呈梯形，该CPDT基梯形格分子中具有数个噻吩基团，属于富电子体系，以其为基础制备出的执行器的弯曲应变能力较传统方法制备的执行器材料而言有明显提升，使制备柔性更佳的电子材料成为可能，且以此为基础制备的执行器构成简单，整体重量轻，有望克服了传统执行器因材料硬和沉重导致的功率低下等问题，具备更为优异的市场应用前景，该方案为柔性材料的深入研发提供了一条新的思路。
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公开(公告)号：CN113461713A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110796930.2
申请日：2021-07-14
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D519/00
Abstract: 本发明公开一种CPDT基梯形格分子及其制备方法和应用，该分子的整体结构呈梯形，该CPDT基梯形格分子中具有数个噻吩基团，属于富电子体系，以其为基础制备出的执行器的弯曲应变能力较传统方法制备的执行器材料而言有明显提升，使制备柔性更佳的电子材料成为可能，且以此为基础制备的执行器构成简单，整体重量轻，有望克服了传统执行器因材料硬和沉重导致的功率低下等问题，具备更为优异的市场应用前景，该方案为柔性材料的深入研发提供了一条新的思路。
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