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公开(公告)号：CN115799144A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211634022.4
申请日：2022-12-19
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体倾角可控的贴片加工装置，包括底板，还包括：贴片机构、液压机构、测量机构、固定及调节机构，其中，所述底板上固定设置有贴片机构，所述贴片结构包括固定在底板上方的下板和上板，所述下板和上板之间设置有双曲柄机构，且所述上板上设置有适于放置贴片加工台；所述固定及调节机构设置于所述下板上，且连接至所述双曲柄机构所述液压机构设置于所述加工台上方。本发明还提供了一种贴片加工方法。通过本发明方案，使得该贴片加工装置的结构简单稳定，可操作性、可维护性高。
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公开(公告)号：CN110774153B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201911010813.8
申请日：2019-10-23
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸单晶金刚石的抛光方法，大尺寸金刚石表层的碳原子在硬质磨料的机械剪切作用下，发生晶格畸变，产生非晶碳层；随后由于磨粒与金刚石在高速摩擦下产生局部高温，反应磨料与金刚石表面的非晶碳发生化学反应，以达到快速去除金刚石表层碳原子的目的。本发明能实现金刚石的高效超精密抛光，达到纳米级的表面粗糙度，并且不会对金刚石表面造成损伤。本发明属于柔性抛光方法，适合大尺寸单晶金刚石的超精密抛光。
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公开(公告)号：CN110774118A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911010812.3
申请日：2019-10-23
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸单晶金刚石的磨削方法，利用大尺寸单晶金刚石的碳原子和活性磨料在特定的磨削条件下发生化学反应生成碳化物，再以硬质磨料去除生成的碳化物，实现高效高质量磨削金刚石表面的目的。本发明采用的磨削液为去离子水，对环境无污染且本发明的磨削工艺参数(转速)远低于动摩擦加工的要求。本发明与传统的金刚石石墨化去除方式不同，能够得到表面粗糙度更低，裂纹更少，沟槽更浅的高质量金刚石表面。本发明的磨削方法有效降低加工成本，为大尺寸单晶金刚石在高新技术领域应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN105238354A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510743043.3
申请日：2015-11-04
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种硬核软壳复合磨料，其具有粒径为0.1～1μm的硬质磨料核心和厚度为5～100nm的软质氧化物壳层，该软质氧化物壳层中的氧化物晶粒尺寸为5～20nm，其制备方法是以氧化物的无机盐前驱体的水溶液和硬质磨料为原料，经分散、恒温回流水解、固液分离、洗涤和干燥而制得。本发明的硬核软壳结构的复合磨料在蓝宝石衬底超精密加工过程中能够提高加工效率和表面质量。
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公开(公告)号：CN118927141A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410994159.3
申请日：2024-07-24
Applicant: 华侨大学
IPC: B24B41/04 , B24B51/00 , B24B19/00 , B24B1/00 , B24D7/02 , B24D7/16 , B24D3/32 , B24D3/00 , B24D18/00
Abstract: 本发明提供了一种磨削和抛光工具、制备方法、使用方法，通过制备的弹性磨削和抛光工具，其中得到的结块物料均匀性充足，硬度合适，抗折弯、韧性好，能够对铝合金外壳进行分区并充分的进行磨削和抛光，有效提高磨削和抛光质量与加工效率；工具的使用寿命长，有效提高工具的利用率，在磨抛过程中损耗较小，且由于其如橡胶般的特性，能够适应工件的曲面，从而根据不同区域进行适配磨抛，功能丰富，且磨抛不易产生碎屑粉尘，减少对操作者造成身体损害。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113084694B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202110378440.0
申请日：2021-04-08
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了磨料与晶圆衬底摩擦化学反应的实现装置及其实现方法，实现装置包括主轴模块、液池模块及装夹模块；该主轴模块包括主轴、转接盘、供晶圆衬底固设其上的样品台和加热器；该液池模块包括液池、盖板、固定环及进液管，该液池包括设有安装通孔的池底、池内壳、池外壳和设有样品口的池盖；该装夹模块包括加载装置、样品夹杆和硬质磨料压头。它具有如下优点：通过硬质磨料压头与晶圆衬底的划擦实验，还原加工过程中划擦速度、载荷、温度和润滑状态，进而研究硬质磨粒与晶圆之间的界面作用关系，有助于揭示硬质磨料与晶圆衬底界面摩擦化学反应的作用机制，在半导体晶圆衬底的高效超精密加工领域具有良好的应用前景，且装置简单、操作方便。
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公开(公告)号：CN115101455B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210856973.X
申请日：2022-07-20
Applicant: 华侨大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种金刚石晶片的贴片装置，他包括装接底座以及均装接在该装接底座上的带控制器的控制模块、旋转底座、第一垂直驱动机构、第二垂直驱动机构、衬底吸取机构、点胶机构、装膜机构及切膜机构；该旋转底座能相对装接底座水平转动，并用于放置至少一金刚石晶片；该衬底吸取机构用于吸取装接衬底；该点胶机构用于给金刚石晶片点胶；该装膜机构用于薄膜的缠绕安装；该切膜机构用于薄膜的切断。他具有如下优点：设计巧妙、操作方便，自动化程度高，可以实现多片金刚石晶片在一块衬底的贴合作业。
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公开(公告)号：CN115128055B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202110323211.9
申请日：2021-03-25
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种活性金属磨粒与金刚石晶圆衬底界面摩擦化学反应的检测方法，通过磁控溅射法，在纳米压痕划痕仪用的金刚石压头表面包覆一层厚度均匀可控的活性金属磨粒壳层，通过与金刚石晶圆衬底的划擦实验来控制活性金属磨粒与晶圆之间的界面作用关系，再通过扫描探针显微拉曼光谱仪对金刚石晶圆衬底表面的相互作用区域进行化学成分检测，从而明确活性金属磨粒与晶圆衬底的界面摩擦化学反应机理，其操作简单，在半导体晶圆衬底的高效超精密加工领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117817448B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410244827.0
申请日：2024-03-05
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种磨粒放电诱导去除绝缘晶圆表面的磨抛加工方法，通过制备的带有软质磨粒和金属颗粒的磨抛盘，并利用磁场将工作液中的金属粉末吸附到工件表面形成金属层，再通过控制脉冲电源，使金属层与磨抛盘表层的金属颗粒间形成电火花放电通道，放电产生高温仅诱导绝缘晶圆表层熔融变质而不产生裂纹，由软质磨粒去除变质层，显著提高大尺寸绝缘晶圆的加工效率，得到无损伤绝缘晶圆表面，实现绝缘晶圆的超精密加工，尤其是，在工件表面形成变质层以及金属层，通过至少两层防护于工件表面，达到更为快速的去除操作和更为有效的晶圆保护。
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公开(公告)号：CN117961656A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410248104.8
申请日：2024-03-05
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种基于磨粒放电诱导去除半导体晶圆表面的抛光方法，通过制备的带有软质磨粒和金属颗粒的抛光垫，控制脉冲电源可使工件与抛光垫表层的金属颗粒间形成电火花放电通道，放电产生高温仅诱导半导体晶圆表层氧化而不产生裂纹，再由软质磨粒对应去除氧化层，显著提高大尺寸半导体晶圆的抛光效率，获取无损伤半导体晶圆表面，实现半导体晶圆的超精密加工，结合磨粒放电和特制抛光垫，对半导体晶圆表面氧化层的高效去除，同时确保了抛光过程中的无损伤，在半导体制造中提供更高效、更可控的抛光工艺。
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