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公开(公告)号：CN116634855A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310537399.6
申请日：2023-05-12
Applicant: 华侨大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明提供了一种单极性横向忆阻器及其制备方法，单极性横向忆阻器包括：基板层；阻变功能层，设置在所述基板层上；所述阻变功能层采用1T′相多晶二维二硫化铼制成；金属电极层，设置在所述阻变功能层上。本发明通过化学气相沉积工艺手段制备可控的1T′相多晶二维二硫化铼层，可实现高开关比、稳定性强的单极性横向忆阻器，丰富了二维材料忆阻器的种类，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，对高集成度、多功能化非易失存储和逻辑运算领域的发展具有很大的推动作用。
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公开(公告)号：CN115266726A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210794297.8
申请日：2022-07-07
Applicant: 华侨大学
IPC: G01N21/88 , G01N21/952 , G01N21/01 , G01B11/06 , G09F9/30
Abstract: 本发明公开了基于图像识别的多片金刚石衬底检测装置及检测方法，衬底容纳腔用于放置贴有多片金刚石片的衬底；第一相机和第二相机分别位于衬底容纳腔的正上方和正下方，第一相机对所述衬底进行拍摄以确定需要测厚的位置，第二相机对所述衬底进行拍摄以识别所述衬底的缺陷及气泡；第一激光位移传感器和第二激光位移传感器均安装在位移传动机构上且分别位于衬底容纳腔的上方和下方，位移传动机构可带动第一激光位移传感器和第二激光位移传感器同步移动，以对衬底容纳腔内的衬底进行定位测量，进而得到多片金刚石片处的厚度信息。本装置操作方便，实现多片金刚石衬底贴片后的自动化检测并且具有很高的精度以及可重复性，极大降低人工以及学习成本。
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公开(公告)号：CN118186563A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410309397.6
申请日：2024-03-19
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种用于电化学机械抛光的工具制备方法及抛光工具，其制备方法通过在抛光工具的配方中添加导电填料，使得抛光工具存在联结的导电网络，因而抛光工具可以在电场作用下实现对半导体晶圆的电化学机械抛光，并且由于加工工具的导电性，材料去除率大大提高，同时抛光液可以使用绿色无污染的水或氯化钠溶液去除磨削的材料；通过该种方法制备的抛光工具可以提高材料去除率，获得较好的表面质量。
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公开(公告)号：CN117840824A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410263207.1
申请日：2024-03-08
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体晶圆表面的磨削方法，通过制备的带有导电层包覆的硬质磨粒的研磨盘，控制脉冲电源可使工件与研磨盘表层的导电磨粒间形成电火花放电通道，放电产生高温仅诱导半导体晶圆表层氧化而不产生裂纹，再由导电磨粒对应去除氧化层，显著提高大尺寸半导体晶圆的处理效率，获取无损伤半导体晶圆表面，结合磨粒放电和特制研磨盘，对半导体晶圆表面氧化层的高效去除，同时确保了磨削过程中的无损伤，在半导体制造中提供更高效、更可控的磨削工艺，且包覆有导电层的硬质磨粒所形成的导电磨粒，确保硬质磨粒可以直接获得导电特性，也可以有效避免硬质磨粒直接进行磨削操作，而是通过导电层与待磨削物进行缓冲接触。
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公开(公告)号：CN116716664A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310684551.3
申请日：2023-06-09
Applicant: 华侨大学
IPC: C30B33/06
Abstract: 本发明提供一种金刚石晶片及贴片方法，该贴片方法包括以下步骤：将纤维与融于水的溴化钾搅拌混合，填料入磨具中，压平成片，得到纤维溴化钾片；将所述纤维溴化钾片放入磨具中压制出多个镂空孔洞，得到镂空纤维溴化钾片；将金刚石衬底放置在水平平台上，然后将镂空纤维溴化钾片对齐放置在所述金刚石衬底上部，从上方向所述镂空纤维溴化钾片滴加热熔性胶水，再将蓝宝石片水平压下并固定，待其凝固形成衬底片；将凝固后的衬底片放入水中，待溴化钾在水中溶解消失后，在热熔性胶水内部形成镂空；将衬底片风干后低温烧结，从而在衬底片内部形成网状的纤维孔隙，即得到金刚石衬底片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116141215A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210935317.9
申请日：2022-08-04
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种含稀土化合物的软胶抛光垫的制备方法，选取涤纶制的网状结构进行骨架支撑，使得加工时长可以等到足够的保障，并且本发明可采用多层结构设计，使得在金刚石磨抛加工过程初期得到更高的材料去除率的同时，也能在后续的磨抛加工过程中得到更好的表面质量；采用镀钛金刚石磨粒/镀铁金刚石磨粒，不仅仅可以提升抛光垫基体对金刚石磨粒的把持力，同时还可以参与金刚石石墨化反应；La0.6Sr0.4Co3粉在金刚石磨抛加工过程中，对金刚石石墨化起到类似催化剂的作用，使得加工效率更好，同时也可以对抛光垫进行优化作用。
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公开(公告)号：CN115229647A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210853059.X
申请日：2022-07-20
Applicant: 华侨大学
IPC: B24B29/02 , B24B27/033 , B24B19/22 , B24B51/00 , B24B49/00 , B24B1/00 , B23K26/362
Abstract: 本发明公开了一种飞秒激光辅助抛光金刚石的装置及其抛光方法，它包括第一机台、第二机台和控制装置，第一机台能沿水平X轴移动，第二机台能沿形成正交体系的X、Y、Z轴移动并能绕Z轴转动，第一机台上设有用于装接金刚石工件的加装装置，第二机台上装接有测距传感器和飞秒激光烧蚀装置，第二机台上还装接有用于磨抛金刚石工件的磨抛砂轮，控制装置与该第一机台、第二机台、测距传感器及飞秒激光烧蚀装置信号连接并能控制该第一机台、第二机台在相应的自由度内动作以及与该测距传感器和飞秒激光烧蚀装置形成数据交互。该抛光方法包括金刚石表面平坦化过程和去石墨化过程。它具有如下优点：提高加工效率，提高加工质量。
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公开(公告)号：CN115213811A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210852879.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 华侨大学
IPC: B24B37/34 , H01L21/306 , B24B1/00 , B24B37/04 , B24B37/30
Abstract: 本申请公开了一种用于光辅助化学机械抛光的载具以及抛光加工方法，载具包括光源底座、光源聚焦装置以及晶圆安装座；光源底座与晶圆安装座分别设置于光源聚焦装置的两端；光源底座用于安装在抛光机上，光源底座上安装有光源；光源聚焦装置包括防护罩、第一凸透镜以及第二凸透镜，第一凸透镜与第二凸透镜同轴间隔设置在防护罩内，防护罩内设置有驱动件，用于驱动第二凸透镜靠近或远离第一凸透镜运动；光源通过外部红外遥控开光控制其光照强度；晶圆安装座上设置有光强传感器，光强传感器用于将信号反馈至外部处理器，外部处理器将光照强度值显示在显示器上。本申请能够提高晶圆加工质量。
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公开(公告)号：CN220145598U
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202321511442.3
申请日：2023-06-14
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本实用新型提供了一种多工位金刚石衬底抛光装置，涉及精密加工技术领域，包括底座，以及配置在底座上的主轴机构和多个进给机构；主轴机构包括磨盘以及用以驱使磨盘转动的第一驱动件；进给机构包括机架、磨头、第二驱动件以及第三驱动件，第二驱动件用以驱使机架沿垂直方向移动，第三驱动件配置在机架上，用以与磨头适配连接，并可驱使磨头转动；磨头朝向磨盘的面贴有多片待加工的金刚石片；其中，各驱动件均与控制件相电连接，各进给机构沿磨盘的圆周方向阵列分布，抛光装置被构造成通过控制件驱使主轴机构和进给机构配合作业，以使各磨头上的待加工金刚石片同步在磨盘上打磨加工，从而提升加工效率，优化加工轨迹。
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公开(公告)号：CN220994143U
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202322598332.1
申请日：2023-09-25
Applicant: 华侨大学
IPC: B24D7/06
Abstract: 本实用新型提供了一种金刚石磨盘，所述金刚石磨盘由盘体和打磨面组成，所述打磨面配置在盘体上，用于在旋转后对外部工作面实施平整打磨；所述盘体配置成由DLP光固化的3D打印方式制造出为多孔结构的多边形结块所构造成；多个所述多边形结块通过结合剂规则拼接而成呈环柱体的所述盘体；每一结块的内端面均匀分布有不同形状的孔隙，所述孔隙构造为一体形成在结块上，并通过各个孔隙相互协作配合形成所述打磨面；通过DLP光固化3D打印技术制造出金刚石磨盘，可根据设计要求制造出合适的孔隙率和孔径，使磨盘具有多孔结构，不受传统的模具限制，能够满足不同结块的设计需求，可根据需要调整孔隙率和孔径，提供更好的磨削效果。
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