一种金属物品表面保护方法

    公开(公告)号:CN104060239B

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201410247951.9

    申请日:2014-06-06

    Abstract: 本发明公开了一种金属制品表面保护方法,包括:对待保护的金属制品表面进行清理、除油污、清洁和修复的预处理步骤;将上述预处理步骤处理后的金属制品置于原子层沉积设备中,并用载气对表面进行吹洗,同时利用真空泵对原子层沉积设备进行抽气的沉积前处理步骤;以及在适当的反应温度和压力下,将多种前驱体交替通入,从而使各种前驱体分别依此吸附在待保护表面并从而在各前驱体间发生化学反应而形成单层薄膜的沉积步骤;多次循环执行上述沉积步骤,即可在所述待保护表面生成致密的薄膜,实现对金属制品表面的隔水隔氧保护。本发明的方法可以解决目前的金属制品表面的保护薄膜不去够致密、厚度不均匀、以及寿命短且容易产生光泽等问题。

    一种基于行星流化的粉体原子层沉积装置

    公开(公告)号:CN105386011A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201510953058.2

    申请日:2015-12-17

    Abstract: 本发明公开了一种基于行星流化的粉体原子层沉积装置,包括电机、反应腔、行星架、夹持器和输气管路,其中,电机与行星架相连,行星架上安装有中心轮和若干个行星轮;电机用于带动中心轮和行星轮旋转;夹持器位于反应腔内部,用于承载粉体;该夹持器还与行星轮相连,在行星轮的带动下旋转;输气管路用于向反应腔中输入反应气体或载气。本发明能够对夹持器内的粉体颗粒提供离心流化作用,同时结合轴向的气流流化作用,克服了离心流化床沿轴向方向分布不均匀的状况以及改善了传统垂直流化床剪切力过小的特点,能有效提高粉体包覆率和均匀性,一次性能够对大量粉体进行包覆,提高粉体包覆效率。

    一种原子层沉积前驱体输出装置

    公开(公告)号:CN103602959A

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201310585179.7

    申请日:2013-11-19

    Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积前驱体输出装置,该输出装置由装载前驱体的钢瓶(101),缓存腔(103),连接所述钢瓶(101)与缓存腔(103)的第一开关阀(102),位于所述缓存腔腔体内且与所述缓存腔腔体气密性良好的运动活塞(104),以及控制输出主管路的第二开关阀(105)构成。本发明通过固定空间的气体体积变化,每次稳定的排出等量前驱体,保证定量输出前驱体,能够更好的适应于前驱体用量优化分析及在线监测系统分析。

    一种包覆超细粉体的原子层沉积方法与装置

    公开(公告)号:CN103451623A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201310364445.3

    申请日:2013-08-20

    Abstract: 本发明公开了一种包覆超细粉体的原子层沉积方法与装置,该方法的特征在于,在前驱体的吸附过程中引入了流化气,利用流化气吹散粉体,实现粉体的充分分散。该装置包括反应腔体,供应系统,真空系统,加热系统,监测系统和控制系统,其特征在于,供应系统包括流化气源,流化气通过流化气输送支路进入反应腔体,用于将粉体吹散到整个反应区域。本发明的方法与装置能有效提高粉体包覆率与沉积均匀性,并使得在每次沉积过程中对大量粉体进行包覆成为可能,提高了粉体包覆的效率。

    原子层沉积膜制备方法及原子层沉积设备

    公开(公告)号:CN119121187A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411275531.1

    申请日:2024-09-12

    Abstract: 本申请涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种原子层沉积膜制备方法及原子层沉积设备。本申请实施例的技术方案中,反应腔室除了包括腔室本体外还包括设于腔室本体开口处的热场盖,热场盖上设有加热件与冷却件。在原子层次沉积膜制备过程中,向反应腔室中以预设次数依次交替通入第一前驱体与第二前驱体产生反应,使得衬底的表面上能够形成有初始膜层。再通过控制加热件对整个反应腔室进行加热或者通过控制冷却件对整个反应腔室进行冷却处理,能够对得到的初始膜层进行退火处理的时间更短,无需打开腔室本体再对腔室本体进行加热或者冷却,使得得到目标膜层上的副反应物或者缺陷更少。如此,可以提高制作原子层薄膜的制备质量。

    原子层沉积晶圆承载装置和半导体制造设备

    公开(公告)号:CN117888084A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202410198961.1

    申请日:2024-02-22

    Abstract: 本申请涉及一种原子层沉积晶圆承载装置和半导体制造设备。原子层沉积晶圆承载装置包括承载件,一侧具有承载面,多组限位组件,可拆卸地设于承载面上,每组限位组件能够形成一对晶圆的外周进行限位的限位空间,各组限位组件形成的限位空间的径向尺寸不同;顶升机构,包括多根顶升杆,承载件还具有多个贯穿的通孔,每一顶升杆的一端能够穿设对应一通孔;顶升机构能够驱使多根顶升杆相对承载件作顶升运动,在顶升运动过程中包括顶升位置和下落位置,当处于顶升位置时,多根顶升杆凸伸于承载面以承载晶圆,当处于下落位置时,多根顶升杆缩回至承载面以下,以将晶圆放置在对应的限位空间内,如此,能够满足不同场景下的异种型号的晶圆的加工。

    渗透率检测设备与检测方法

    公开(公告)号:CN113466101B

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202110706803.9

    申请日:2021-06-24

    Abstract: 本发明涉及一种渗透率检测设备与检测方法。渗透率检测设备包括:进气腔体;渗透腔体,多组渗透腔体均与进气腔体连接,渗透腔体与进气腔体间设有进气阀门,进气阀门打开时,进气腔体与对应的渗透腔体连通,渗透腔体内设有第一样品安装区;检测腔体,多组渗透腔体均与检测腔体连接,渗透腔体与检测腔体间设有积累阀门,积累阀门打开时,检测腔体与对应的渗透腔体连通;质谱仪,质谱仪与检测腔体连通。该设备可以对高阻隔率薄膜的渗透率进行检测,能加深对于薄膜渗透性能的了解,有利于后续对于高阻隔率薄膜的研究。

    水氧渗透率测量方法、装置、设备及介质

    公开(公告)号:CN115524272A

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202110714639.6

    申请日:2021-06-25

    Abstract: 本发明公开了一种水氧渗透率测量方法、装置、设备及介质,用于基于数值模拟与粒子群算法测量待测薄膜的水氧渗透率数值。所述方法包括:获取质谱仪检测的实时监测数据;根据所述待测薄膜的种类确定对应的物理模型;基于所述物理模型采用数值模拟算法对所述实时检测数据进行预处理,以获取相关参数的预估值及训练样本;根据所述相关参数获取参数样本空间的范围,并根据所述训练样本及所述物理模型获取测试样本,并根据所述参数样本空间的范围、所述训练样本及所述测试样本采用粒子群算法进行参数拟合,以获取所述待测薄膜的不同时间的水氧渗透率数值。

    气体渗透率测量方法、装置、设备及介质

    公开(公告)号:CN115524271A

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202110714636.2

    申请日:2021-06-25

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜的气体渗透率测量方法、装置、设备及介质,所述方法包括:获取温度传感器检测的温度数据及气压传感器检测的气压数据,所述温度传感器及所述气压传感器位于与所述积累室连通的检测室内;基于高斯过程回归算法对所述气压数据进行回归处理,以获取预测气压数据;根据所述预测气压数据,控制阀门开关时间,以使得所述气压数据位于预设气压范围内;基于所述阀门开关时间及渗透率计算公式,获取待测薄膜的气体渗透率测量值,所述阀门位于所述积累室与所述检测室之间。使用本申请中的薄膜的气体渗透率测量方法,能有效减小仪器检测误差,提高检测信号的准确性。

    原子层沉积装置与方法
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113737156A

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202110814242.4

    申请日:2021-07-19

    Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积装置与方法。原子层沉积装置包括:承载组件,承载组件包括用于容纳待包覆粉末的反应腔体;第一喷头,第一喷头位于反应腔体的下方,第一喷头包括多个沿第一方向排布的下喷入通道,以及设置于相邻的下喷入通道之间的下排出通道,下喷入通道用于朝反应腔体喷射气体,下排出通道用于排出反应腔体内的多余气体;气源组件,气源组件与第一喷头连接,气源组件用于向各个下喷入通道供应气体,沿第一方向,相邻的下喷入通道中,其中一个通入的气体为载气;驱动组件,驱动组件用于驱动待包覆粉末沿第一方向运动。该原子层沉积装置可以提高沉积效率,缩短沉积所需的时间。

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