公开(公告)号：CN119121187A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411275531.1

申请日：2024-09-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈蓉 ,  叶容利 ,  曹坤 ,  单斌 ,  王威振

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C23C16/52

Abstract: 本申请涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种原子层沉积膜制备方法及原子层沉积设备。本申请实施例的技术方案中，反应腔室除了包括腔室本体外还包括设于腔室本体开口处的热场盖，热场盖上设有加热件与冷却件。在原子层次沉积膜制备过程中，向反应腔室中以预设次数依次交替通入第一前驱体与第二前驱体产生反应，使得衬底的表面上能够形成有初始膜层。再通过控制加热件对整个反应腔室进行加热或者通过控制冷却件对整个反应腔室进行冷却处理，能够对得到的初始膜层进行退火处理的时间更短，无需打开腔室本体再对腔室本体进行加热或者冷却，使得得到目标膜层上的副反应物或者缺陷更少。如此，可以提高制作原子层薄膜的制备质量。

公开(公告)号：CN119121188A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411327088.8

申请日：2024-09-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈蓉 ,  齐子廉 ,  曹坤 ,  单斌 ,  熊义豪 ,  王威振

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 本申请涉及一种氮化钽选择性沉积方法，包括如下步骤：对衬底进行至少一次沉积循环，衬底的表面上具有金属区域和介电氧化物区域，单次沉积循环包括如下步骤：将衬底置于包括有机钽前驱体的气体氛围中，在250℃~300℃下进行第一处理；将第一处理后的衬底置于包括含氮前驱体的气体氛围中，在250℃~300℃下进行第二处理。上述氮化钽选择性沉积方法中，控制第一处理和第二处理的温度均在250℃~300℃范围内，并通过有机钽前驱体和含氮前驱体进行氮化钽的制备。在该温度范围内，能够实现氮化钽在金属区域和介电氧化物区域内的生长速率具有较大的差异，从而实现氮化钽的选择性沉积。本申请的氮化钽选择性沉积方法不需要额外制备阻隔层，操作工艺简单。