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公开(公告)号：CN119121187A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411275531.1
申请日：2024-09-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/52
Abstract: 本申请涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种原子层沉积膜制备方法及原子层沉积设备。本申请实施例的技术方案中，反应腔室除了包括腔室本体外还包括设于腔室本体开口处的热场盖，热场盖上设有加热件与冷却件。在原子层次沉积膜制备过程中，向反应腔室中以预设次数依次交替通入第一前驱体与第二前驱体产生反应，使得衬底的表面上能够形成有初始膜层。再通过控制加热件对整个反应腔室进行加热或者通过控制冷却件对整个反应腔室进行冷却处理，能够对得到的初始膜层进行退火处理的时间更短，无需打开腔室本体再对腔室本体进行加热或者冷却，使得得到目标膜层上的副反应物或者缺陷更少。如此，可以提高制作原子层薄膜的制备质量。
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