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公开(公告)号：CN102117775A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910244276.3
申请日：2009-12-30
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/768 , H01L27/092 , H01L23/522
摘要： 本发明公开了一种互补金属氧化物半导体接触孔的填充方法及器件。其中，该方法包括：在晶圆表面形成光阻膜；对晶圆进行孔光刻处理以在晶圆的表面形成孔光刻图形；对晶圆分别进行各向同性刻蚀和各向异性刻蚀以在晶圆形成相连通的第一填充孔和第二填充孔；对相连通的第一填充孔和第二填充孔进行填充，其中，第一填充孔的刻蚀深度大于第二填充孔的刻蚀深度。通过本发明，能够降低CMOS接触孔中填充物中断的可能性，进而提高产品可靠性。
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公开(公告)号：CN102104019A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910242885.5
申请日：2009-12-18
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/8238
摘要： 本发明公开了一种互补金属氧化物半导体工艺中填充铝的方法，以解决现有技术中在对0.8微米CMOS芯片填充铝之后容易产生断铝从而导致产品良率较低的问题。该方法包括：在晶圆表面形成光阻膜并对所述晶圆进行图形光刻处理之后，对所述晶圆进行电浆预处理，将孔内底角残留光阻去除；对所述晶圆进行各向同性刻蚀与各向异性刻蚀，在所述晶圆的氧化层形成用于填充铝的刻蚀空间；去除所述晶圆表面的光阻膜；在所述晶圆的表面沉积铝。采用本发明技术方案克服了断铝问题，提高了产品良率与产品质量。
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公开(公告)号：CN105552175B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410588808.6
申请日：2014-10-28
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
摘要： 本发明提供一种无封装LED闪灯驱动芯片、无封装LED闪灯驱动芯片的制作方法和无封装LED闪灯，其中，所述方法包括：提供形成有P型阱、NMOS源漏、PMOS源漏、引线孔，金属引线的衬底；在所述衬底上形成包括遮光金属层的护层。使用上述方法制作的无封装LED闪灯驱动芯片，既能够不影响终端产品的外观及亮度，又能够有效的解决由于光照导致的驱动芯片漏电流增大的问题。
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公开(公告)号：CN104851820A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410055552.2
申请日：2014-02-19
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体器件的缺陷检测方法，包括：在形成有氧化层的衬底表面生长金属层，所述金属层位于所述氧化层的上方；在所述金属层的表面涂覆光刻胶，以形成对所述金属层中无缺陷区域的保护层；依次对涂覆有所述光刻胶的衬底进行金属层蚀刻和氧化层蚀刻；去除所述衬底表面的光刻胶；刻蚀掉所述金属层；检测所述氧化层是否存在缺陷，以确定半导体器件是否存在缺陷。本发明的技术方案能够方便地检测到半导体器件中的针孔类缺陷，避免针孔类缺陷的存在影响半导体器件的使用寿命和可靠性。
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公开(公告)号：CN103021801B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201110284444.9
申请日：2011-09-22
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
摘要： 本发明涉及半导体器件领域技术，尤其涉及掺氧半绝缘多晶硅及其制作方法，该方法包括：按照第一流量比向放置有硅片的反应炉内持续充入一氧化氮和硅烷，在硅片上反应，持续反应达到第一反应时间长度后，生成具有第一含氧量的第一掺氧半绝缘多晶硅层；按照第二流量比向反应炉内持续充入一氧化氮和硅烷，在第一掺氧半绝缘多晶硅层上反应，持续反应达到第二反应时间长度后，生成具有第二含氧量的第二掺氧半绝缘多晶硅层；其中，第二含氧量大于第一含氧量。使用本发明实施例提供的掺氧半绝缘多晶硅及其制作方法，通过改进工艺流程，控制反应物的流量比，生成不同含氧量的掺氧半绝缘多晶硅层，进而既保证了器件耐压特性，又避免出现“铝印”现象。
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公开(公告)号：CN103000623B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201110275321.9
申请日：2011-09-16
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
摘要： 本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种铝栅半导体器件及其制造方法，该方法，包括：向衬底内注入硼杂质，形成硼P阱区，所述P阱区的结深满足铝栅半导体器件的预定结深要求；在所述P阱区的上表面生长薄膜氧化层；在所述薄膜氧化层上生长多晶硅，并进行掺杂后，形成多晶硅层，所述多晶硅层的杂质浓度满足预定电阻值要求；在所述多晶硅层上生长金属层；在所述金属层上覆盖绝缘层。使用本发明实施例提供的铝栅半导体器件及其制造方法，通过使用多晶硅电阻代替原P阱型电阻，使得P阱的浓度满足铝栅半导体器件的功能参数要求，多晶硅电阻满足铝栅半导体器件的电阻要求。
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公开(公告)号：CN104425288A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310373524.0
申请日：2013-08-23
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/603
CPC分类号： H01L24/27 , H01L24/11 , H01L2224/11622 , H01L2224/273
摘要： 本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种芯片封装结构的制作方法，该方法在芯片金属走线上形成钝化层和金属层后，首先进入高温合金炉管对金属层进行合金化处理形成金属合金层，然后再对金属合金层进行构图工艺形成压焊块，从而不会存在构图工艺中残留的光刻胶，在高温下炭化对高温合金炉管造成污染的问题。本发明的技术方案在芯片满足铜线封装打线的金属层厚度要求的同时，优化了芯片的制造工艺，不会增加合金炉管的保养频度，降低了芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN102683194A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110054536.8
申请日：2011-03-07
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/336 , H01L21/02
摘要： 本发明的实施例提供了一种设有PIP电容的混合模式MOS管器件的制作方法，涉及半导体器件制作技术领域，为有效避免器件制作过程形成PIP电容时的多晶硅残留而发明。所述MOS管器件的制作方法，包括：在形成所述MOS管的栅极氧化层之后，沉积第一多晶硅薄膜；在所述第一多晶硅薄膜上，生长介电层薄膜；在所述介电层薄膜上，沉积第二多晶硅薄膜；对所述第二多晶硅薄膜和所述介电层薄膜进行构图工艺，通过所述构图工艺，形成所述多晶硅-介电层-多晶硅PIP电容的多晶硅上极板和介电层；对所述第一多晶硅薄膜进行构图工艺，通过所述构图工艺，形成所述PIP电容的多晶硅下极板和所述MOS管的多晶硅栅极。本发明可用于设有PIP电容的混合模式MOS管器件的制作中。
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公开(公告)号：CN102479813A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010555732.9
申请日：2010-11-22
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , G06F15/02
摘要： 本发明公开了一种采用0.8微米工艺制造的金属氧化物半导体晶体管，包括半导体衬底，在半导体衬底表面上设有源极、漏极和栅极，其中，栅极的栅氧厚度为125×(1±10％)埃。本发明还公开了一种由上述晶体管制成的芯片和包含该芯片的太阳能计算器。本发明又公开了一种制造上述晶体管的方法，在该方法的栅氧生长步骤中，生长的栅氧厚度为125×(1±10％)埃。与现有晶体管相比，本发明所述晶体管N型和P型阈值电压的绝对值之和从1.74v降低到了1.4v左右。
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公开(公告)号：CN203800040U
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201420237723.9
申请日：2014-05-09
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L23/544
摘要： 本实用新型提供了一种熔丝测试结构及硅片，涉及半导体器件制造领域，为解决现有技术中无法在线监控产品上熔丝相关性能的问题而设计；其中，熔丝测试结构包括：用于测试熔丝电阻的测试结构和熔丝，所述测试结构与所述熔丝通过金属线相连。本实用新型提供的方案能够轻易测出产品上熔丝的电阻，还可以模拟客户端熔丝烧熔的情况，进而实现在线监控产品上熔丝的相关性能的目的。
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