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公开(公告)号：CN106298632B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201510238957.4
申请日：2015-05-11
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L27/02
摘要： 本发明提出了一种金属氧化物功率器件的制备方法及功率器件，其中，所述制备方法包括：在制备有金属氧化物功率单元的衬底的预留区域上形成电容的介电层，用于形成所述电容和所述金属氧化物功率单元的一侧作为所述衬底的正侧；在所述衬底的正侧形成所述金属氧化物功率单元上形成第一金属电极，在所述介电层上形成第二金属电极，以及在所述衬底的背侧形成第三电极，以完成所述金属氧化物功率单元的制备过程。通过本发明的技术方案，通过将电容和金属氧化物功率单元制备在一个功率器件上，从而不仅增大了功率器件的集成度，还降低了功率器件的生产成本。
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公开(公告)号：CN106298516B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201510237053.X
申请日：2015-05-11
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明提出了一种功率器件的制备方法和一种功率器件，其中，所述制备方法包括：在制备有二极管和功率单元的氧化层保护层上形成光阻层；去除所述功率单元的有源区的所述氧化层保护层上的所述光阻层，并保留所述二极管的静电防护区的所述氧化层保护层上的所述光阻层，以完成所述功率器件的制备过程。通过本发明的技术方案，通过在二极管的静电防护区的氧化层保护层上形成光阻层，避免了在制备功率器件的过程中静电防护区的氧化层保护层的拐角处被刻蚀，从而避免了在二极管的多晶硅基层结构上形成金属硅化物，进而保证了二极管对功率器件的静电防护的功能，进一步地保证了功率器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN106298524B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201510280630.3
申请日：2015-05-27
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/027 , H01L21/31
摘要： 本发明涉及一种高频水平双扩散金属氧化物半导体LDMOS及制造方法，其中方法包括：通过在外延层上依次生长垫氧层和第一氮化硅层，对第一氮化硅层进行光刻刻蚀，形成下沉区窗口，在下沉区窗口内通过垫氧层向外延层进行离子注入和推结，形成下沉区，并形成场氧区、阱区、漂移区、N+源区、N+漏区和P型注入区，从而避免在外延层上形成凹槽，避免P型区断面的产生，降低了高频LDMOS器件的导通电阻，提高了高频LDMOS器件的导通电阻的稳定性。
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公开(公告)号：CN106206725B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201510233189.3
申请日：2015-05-08
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种射频水平双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，本发明在下沉层注入之前，增加一步槽刻蚀工艺，使得形成一个对准槽，作为后续各层光刻层次对准使用，本发明节省了零层光刻程序，节省了成本，而且对器件性能也无任何影响。
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公开(公告)号：CN106298744B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201510236730.6
申请日：2015-05-11
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L23/60 , H01L21/265
摘要： 本发明提出了一种功率器件的制备方法及功率器件，其中，制备方法包括：在制备有外延层的基底上依次形成下沉区、场氧化层和栅氧化层；在场氧化层和栅氧化层上依次形成防静电二极管单元的N型基区和功率单元的硅栅结构；在形成N型基区后，依次形成体区、漂移区、漏区、源区和P型离子区，以完成功率单元的制备；在完成功率单元制备后，在N型基区依次形成阴极离子区、阳极离子区、氧化层和金属硅化物，进而完成功率器件的制备。通过本发明的技术方案，通过形成具有N型基区的防静电二极管单元的功率器件，有效地避免了在防静电二极管单元的多晶硅层上形成金属硅化物而导致保证防静电二极管单元的防静电保护作用失效，从而保证功率器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN104795392B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410029377.X
申请日：2014-01-22
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法，包括：在单晶硅层上逐层制备栅氧化层、多晶硅层；采用干法刻蚀形成图形化的多晶硅层；采用干法刻蚀去除未被多晶硅层覆盖的栅氧化层；在多晶硅层以及单晶硅层的表面上生长氧化层，该氧化层的厚度小于干法刻蚀后未被多晶硅层覆盖的栅氧化层的厚度；采用湿法刻蚀去除氧化层；最终在多晶硅层以及单晶硅层的表面生长垫氧化层。本发明实施例通过在多晶硅层以及单晶硅层的表面生长氧化层，然后采用湿法刻蚀去除该氧化层，从而能够有效地消除单晶硅层表面的损伤，以使在后续生长垫氧化层的工艺中，在单晶硅层的表面能够生长出厚度符合要求的垫氧化层，且能够避免由横向钻蚀导致的器件性能的下降的问题。
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公开(公告)号：CN104779155B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201410016410.5
申请日：2014-01-14
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/3205
摘要： 本发明提供一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片，包括：利用氢氟酸清洗硅片；利用去离子水超声清洗得到清洁的硅片表面；氧化所述清洁的硅片表面，生成一层0.5nm～2nm厚度均匀的二氧化硅氧化层。本发明提出的一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片中，并不是直接将清洁的硅表面裸露出来，而是在上面再均匀地覆盖一层很薄的二氧化硅氧化层，这样能够有效隔绝后续生长铝的过程中产生的硅铝互溶现象，解决了现有技术中硅铝界面外观异常的技术问题。
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公开(公告)号：CN104835728B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201410049252.3
申请日：2014-02-12
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285
摘要： 本发明提供了一种在多晶硅上形成金属硅化物的方法和一种金属氧化物半导体器件，其中，在多晶硅上形成金属硅化物的方法包括：在硅半导体外延层上生长栅氧化层，并在栅氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层上形成作为栅极的多晶硅线条；在多晶硅层上沉积第一氧化层；刻蚀第一氧化层，在多晶硅线条的侧壁上形成侧墙；在多晶硅线条上制作需覆盖金属硅化物的多晶硅裸露区域；沉积金属层，对金属层进行热处理，在多晶硅裸露区域上生成金属硅化物；去除未生成金属硅化物的金属。本发明通过在多晶硅层上沉积第一氧化层，刻蚀第一氧化层以在多晶硅的侧壁形成侧墙，使得即使光刻对偏，也不会在多晶硅两边有源区上形成金属硅化物，避免短路或漏电引起器件失效。
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公开(公告)号：CN104425572B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201310406499.1
申请日：2013-09-09
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/737 , H01L21/28 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种自对准硅化物晶体管及其制作方法，所述自对准硅化物晶体管的制作方法，包括：形成位于衬底上的栅极及位于所述栅极上的抗氧化层；将离子注入及驱入所述栅极一侧的衬底内形成体区，所述衬底表面和所述栅极两侧生成设定的第一厚度氧化层；对所述抗氧化层进行去除；形成位于所述栅极上的自对准硅化物层；对所述第一厚度氧化层进行刻蚀，形成设定的第二厚度氧化层；形成位于所述体区内的源区及位于所述栅极另一侧的衬底内的漏区。采用本发明的技术方案，可以方便形成自对准硅化物晶体管的源区和漏区，并减少源区和漏区的桥接现象。
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公开(公告)号：CN106298926A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510303482.2
申请日：2015-06-05
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L29/0657 , H01L29/66007 , H01L2229/00
摘要： 本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法，包括：第一导电类型半导体衬底；位于所述第一导电类型半导体衬底之上的第一导电类型外延层；位于所述第一导电类型外延层之上的栅氧化层；以及，位于所述栅氧化层之上的多晶硅栅极；在所述第一导电类型外延层之中设置有第一导电类型源区、第二导电类型体区和第二导电类型埋层。本发明解决了VDMOS由于穿通现象而源漏漏电的问题。
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