公开(公告)号：CN104835728A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201410049252.3

申请日：2014-02-12

申请人： 北大方正集团有限公司 ,  深圳方正微电子有限公司

发明人： 闻正锋 ,  马万里 ,  赵文魁 ,  黄杰

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/285

摘要： 本发明提供了一种在多晶硅上形成金属硅化物的方法和一种金属氧化物半导体器件，其中，在多晶硅上形成金属硅化物的方法包括：在硅半导体外延层上生长栅氧化层，并在栅氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层上形成作为栅极的多晶硅线条；在多晶硅层上沉积第一氧化层；刻蚀第一氧化层，在多晶硅线条的侧壁上形成侧墙；在多晶硅线条上制作需覆盖金属硅化物的多晶硅裸露区域；沉积金属层，对金属层进行热处理，在多晶硅裸露区域上生成金属硅化物；去除未生成金属硅化物的金属。本发明通过在多晶硅层上沉积第一氧化层，刻蚀第一氧化层以在多晶硅的侧壁形成侧墙，使得即使光刻对偏，也不会在多晶硅两边有源区上形成金属硅化物，避免短路或漏电引起器件失效。

公开(公告)号：CN104779271A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201410010653.8

申请日：2014-01-09

申请人： 北大方正集团有限公司 ,  深圳方正微电子有限公司

发明人： 闻正锋 ,  黄杰 ,  马万里 ,  赵文魁

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/43 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种在MOS结构中制作金属硅化物方法，用以解决现有技术中在栅区、源区和漏区上形成的金属硅化物的电阻值比较大的问题。本发明实施例在MOS结构中制作金属硅化物方法，包括：在第一温度条件下，在形成有栅区、源区、漏区和绝缘区的衬底上沉积金属；使位于栅区、源区和漏区上金属分别与栅区、源区和漏区硅材料发生反应生成金属硅化物；其中第一温度的取值不小于金属与栅区、源区和漏区硅材料发生反应的温度值；对衬底进行第一次快速热退火处理；对经过第一次快速热退火处理的衬底进行清洗处理；对经过清洗处理的衬底进行第二次快速热退火处理。本发明实施例最终生成的金属硅化物的电阻值比较小。

公开(公告)号：CN104779271B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201410010653.8

申请日：2014-01-09

申请人： 北大方正集团有限公司 ,  深圳方正微电子有限公司

发明人： 闻正锋 ,  黄杰 ,  马万里 ,  赵文魁

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种在MOS结构中制作金属硅化物方法，用以解决现有技术中在栅区、源区和漏区上形成的金属硅化物的电阻值比较大的问题。本发明实施例在MOS结构中制作金属硅化物方法，包括：在第一温度条件下，在形成有栅区、源区、漏区和绝缘区的衬底上沉积金属；使位于栅区、源区和漏区上金属分别与栅区、源区和漏区硅材料发生反应生成金属硅化物；其中第一温度的取值不小于金属与栅区、源区和漏区硅材料发生反应的温度值；对衬底进行第一次快速热退火处理；对经过第一次快速热退火处理的衬底进行清洗处理；对经过清洗处理的衬底进行第二次快速热退火处理。本发明实施例最终生成的金属硅化物的电阻值比较小。

公开(公告)号：CN105405887A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201410461146.6

申请日：2014-09-11

申请人： 北大方正集团有限公司 ,  深圳方正微电子有限公司

发明人： 闻正锋 ,  马万里 ,  赵文魁 ,  黄杰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供一种半导体器件，包括：衬底、位于衬底表面的外延层、位于外延层中的器件区和位于所述外延层表面的下沉层，其中：衬底中与外延层相接触且正对于下沉层的区域设置有埋层，该埋层的杂质浓度高于衬底中的杂质浓度；位于外延层中，围绕下沉层和埋层外围分别设置有第一扩散区和第二扩散区；所述第一扩散区分别与第二扩散区和器件区的源区相互接触；其中，所述下沉层、埋层，第一扩散区与第二扩散区中的杂质导电类型相同。本发明实施例有效解决了现有技术中制造如射频-横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其在进行下沉层高温驱入时浓掺杂衬底中杂质上扩导致有效外延层厚度减小，进而使器件击穿电压下降的技术问题。

公开(公告)号：CN104835728B

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201410049252.3

申请日：2014-02-12

申请人： 北大方正集团有限公司 ,  深圳方正微电子有限公司

发明人： 闻正锋 ,  马万里 ,  赵文魁 ,  黄杰

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/285

摘要： 本发明提供了一种在多晶硅上形成金属硅化物的方法和一种金属氧化物半导体器件，其中，在多晶硅上形成金属硅化物的方法包括：在硅半导体外延层上生长栅氧化层，并在栅氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层上形成作为栅极的多晶硅线条；在多晶硅层上沉积第一氧化层；刻蚀第一氧化层，在多晶硅线条的侧壁上形成侧墙；在多晶硅线条上制作需覆盖金属硅化物的多晶硅裸露区域；沉积金属层，对金属层进行热处理，在多晶硅裸露区域上生成金属硅化物；去除未生成金属硅化物的金属。本发明通过在多晶硅层上沉积第一氧化层，刻蚀第一氧化层以在多晶硅的侧壁形成侧墙，使得即使光刻对偏，也不会在多晶硅两边有源区上形成金属硅化物，避免短路或漏电引起器件失效。