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公开(公告)号：CN118507339A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410742874.8
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/31 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/56 , H01L23/29
Abstract: 本申请涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件，其中，所述方法包括：提供半导体衬底和PI干膜；采用贴合工艺将PI干膜中的PI胶膜贴附于半导体衬底的表面；对PI干膜进行图形化处理；对完成贴合工艺以及图形化处理后所得结构进行固化处理，以在半导体衬底上形成钝化层。本申请采用的半导体器件的制造方法简化了钝化层的制备工艺流程，形成了具有优良的热稳定性、介电性能和机械性能的钝化层，减少或避免了钝化层制备过程中可能产生的脱附、胶裂及花胶问题，提升了钝化层的厚度均匀性和组分均匀性，从而提升了相关半导体器件的稳定性和可靠性。此外，本申请通过对PI干膜进行图形化处理，提高了图形化的成像精度。
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公开(公告)号：CN118197904A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410176648.8
申请日：2024-02-08
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/02 , H01L21/266 , H01L21/225 , H01L29/06
Abstract: 一种波浪形结构半导体、其制备方法及应用。所述半导体结构的制备方法包括：形成位于两种材料界面的、掺杂浓度变化的半导体结构；在所述半导体结构上外延生长形成外延层；根据需要对所述外延层进行受控掺杂，使所述外延层形成缓变外延层，得到最终的半导体结构。本发明的半导体结构的形貌、掺杂浓度、界面过渡要求可以通过设计和工艺相结合，实现高精度控制和制备，形貌要求可控制在纳米级，且深度的最大范围相比传统工艺可提高5倍以上；通过缓变外延的过渡界面调控，以及外延制备异型基区的方式，极大提高了掺杂的浓度的纵向和横向均匀性。本发明的工艺稳定、可控，提高了芯片制备的良率。
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公开(公告)号：CN119920690A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510374463.2
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/28
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件的电极制备方法。该电极制备方法包括：提供半导体基体和供体衬底，半导体基体具有第一表面，第一表面中具有凸台结构，供体衬底具有第二表面；在第二表面上形成转印薄膜，转印薄膜的材料包括导电材料；将转印薄膜与凸台结构的顶部台面贴合；采用转印技术将半导体基体与供体衬底分离，以使顶部台面拾取转印薄膜中与顶部台面贴合的导电材料，其中，转印技术通过控制剥离速度实现拾取；对顶部台面的导电材料进行固化，以得到半导体器件的电极。通过本申请，解决了现有技术中半导体器件的台面电极图形化均匀性低的问题。
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公开(公告)号：CN118824852A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410900723.0
申请日：2024-07-05
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/332 , H01L29/10 , H01L21/266 , H01L21/265 , H01L29/744
Abstract: 本公开涉及一种门极换流晶闸管芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述门极换流晶闸管芯片的制备方法，包括以下步骤：提供衬底；向衬底的上表面进行第一型掺杂形成第一型基区，向衬底的下表面进行第一型掺杂形成第一型阳极区；向第一型基区的上表面进行第一型离子注入，通过调节注入角度和/或注入掩膜版开口大小，形成纵向和横向变掺杂且具有预设掺杂浓度的第一型掺杂基区；向第一型掺杂基区的上表面进行第二型杂质扩散，形成第二型掺杂发射区；于第一型阳极区的下表面进行第一型离子注入，形成第一型掺杂发射区。本公开可以提升器件的关断性能。
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公开(公告)号：CN118748201A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410889910.3
申请日：2024-07-04
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/06 , H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 一种功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件，属于半导体器件技术领域。所述终端结构中的P基区为JTE结构；所述终端结构为负斜角结构。其中，JTE结构包括多个连续的JTE区，JTE区在表面位置处的掺杂浓度是连续的，在JTE区底部、JTE区与有源区的交界处和JTE区之间的交界处掺杂浓度是非连续的。本发明的终端结构采用JTE和磨角台面复合终端结构，利用JTE结构降低终端区P基区电荷，拓宽边缘耗尽层，降低表面电场强度；同时JTE对体内电场进行调制，降低电场集中，进一步降低表面电场强度，提高击穿电压，减少终端尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118707295A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410832627.7
申请日：2024-06-26
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及用于测试芯片的电学测试模块、测试装置和测试方法。所述电学测试模块所述电学测试模块包括沿竖直方向由下至上依次叠置的触点阵列层、地线层、至少两个信号线层、信号电源层、驱动电源和贴片元件层；电学测试模块提供如下的电路：触点仅在所述至少两个信号线层中同时有信号发出的情况下开通，以便测量触点与门极探针之间的电压。本发明采用电学扫描取代机械位移扫描的方式完成对芯片上多达上万个梳条的门阴极耐压测试，并且能筛选定位失效阴极梳条，从而提高测试效率、简化结构、降低成本。
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公开(公告)号：CN118186578A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410175142.5
申请日：2024-02-07
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 一种硅单晶表面无损的铝选区扩散方法及其应用。所述铝选区的制备方法或铝选区扩散方法包括：基底表面形成第一介质膜；对基底表面的第一介质膜进行Al预沉积或预扩散；保留目标区域的Al预沉积或预扩散的第一介质膜，去除非目标区域的第一介质膜；在包括第一介质膜的基底表面形成铝阻挡膜；其中，所述铝阻挡膜能够阻止Al元素的扩散，且与基底表面不存在应力失配缺陷；将第一介质膜中的Al扩散至目标深度；去除第一介质膜和铝阻挡膜，得到扩散的铝选区。本发明的实现了对硅单晶表面Al选区扩散的精确控制，可以灵活调整表面Al掺杂浓度，降低了工艺成本，提升了硅基双极功率器件的电学性能稳定性。
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公开(公告)号：CN222465194U
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202421041918.6
申请日：2024-05-14
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本新型涉及一种功率半导体器件，功率半导体器件包括门极接触环以及至少一个门极换流晶闸管；门极换流晶闸管包括独立设置在第一基区中的阴极区和门极区，阴极区和门极区通过第一基区和门极接触环电连接；至少一个门极换流晶闸管和门极接触环的距离不同，各门极换流晶闸管的门极区的电阻与其和门极接触环之间的距离负相关，以减小门极接触环施加到各门极换流晶闸管的电压差，提高功率半导体器件的电压均匀性，进而提高了功率半导体器件的关断均匀性。
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公开(公告)号：CN222692200U
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202421306011.8
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H10D84/00
Abstract: 本申请涉及一种晶闸管器件。晶闸管器件包括：半导体晶圆，半导体晶圆上设有多个晶闸管单元组；每个晶闸管单元组包括多个晶闸管单元，多个晶闸管单元围绕半导体晶圆的中心排布；多个晶闸管单元组沿半导体晶圆的径向依次排布；门极接触件，设于半导体晶圆的第一侧；每一晶闸管单元的门极均与门极接触件连接；其中，门极接触件包括围绕半导体晶圆的中心排布的多个第一接触电极和多个第二接触电极；第一接触电极与半导体晶圆的中心之间的距离大于第二接触电极与半导体晶圆的中心之间的距离。本申请有利于降低各晶闸管单元与门极接触件的距离差，提升了晶闸管器件关断时的电流均匀性，从而提升了可关断电流。
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公开(公告)号：CN222887854U
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202520597678.6
申请日：2025-04-01
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/673
Abstract: 一种用于装载晶圆的晶舟，属于半导体制造领域。晶舟（100）包括支撑件（1）和杆状的多个支杆套（2），支杆套（2）彼此平行地且可拆卸地安装在支撑件（1）上，支杆套（2）在支杆套（2）的延伸方向上面向待装载的晶圆一侧设有彼此平行的多个晶圆插槽（21），支杆套（2）设置为彼此共圆地在一圆周方向上排列。通过装载晶圆的晶舟，实现一个晶舟适用于多种厚度晶圆的目的。
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