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公开(公告)号：CN100448780C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200710062870.1
申请日：2007-01-19
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种利用光照使硫化镉薄膜表面亲水的方法属于材料的表面物理化学领域。硫化镉薄膜是一种被广泛应用的光催化材料。由于CdS薄膜在生长过程中，CdS容易形成各种缺陷结构和表面的粗糙不平导致CdS通常处于一种疏水状态。本发明的技术方案是：制备100纳米到500纳米CdS薄膜，保持薄膜表面的干燥，将所制备的CdS薄膜用发出紫外光的灯进行照射，该灯的功率在200瓦-1000瓦之间，并对样品照射3到6小时。本发明处理后的CdS薄膜接触角测试表明实验结果在2°-34°之间，进一步提高硫化镉薄膜以及其与二氧化钛复合之后的光催化效率。
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公开(公告)号：CN101055895A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710099092.3
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p－n结及制备方法属于半导体材料制造领域。本发明首次采用磁控溅射法制备出钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p－n结。该p－n结的结构为Si(100)单晶基片(1)衬底，Pt电极层(2)、ZnO薄膜(3)、及LSMO薄膜(4)。本发明制备的LSMO/ZnO p－n结不仅在40－320K的温度范围内都具有优异的整流特性，解决了现有技术利用PLD成本高，不利于应用于大规模工业生产的问题。本发明方法所获得的钙钛矿结构镧锰氧化物异质p－n结在自旋电子器件领域具有良好的应用潜能。
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公开(公告)号：CN101007650A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710062870.1
申请日：2007-01-19
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种利用光照使硫化镉薄膜表面亲水的方法属于材料的表面物理化学领域。硫化镉薄膜是一种被广泛应用的光催化材料。由于CdS薄膜在生长过程中，CdS容易形成各种缺陷结构和表面的粗糙不平导致CdS通常处于一种疏水状态。本发明的技术方案是：制备100纳米到500纳米CdS薄膜，保持薄膜表面的干燥，将所制备的CdS薄膜用发出紫外光的灯进行照射，该灯的功率在200瓦－1000瓦之间，并对样品照射3到6小时。本发明处理后的CdS薄膜接触角测试表明实验结果在2°－34°之间，进一步提高硫化镉薄膜以及其与二氧化钛复合之后的光催化效率。
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公开(公告)号：CN1827837A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610002052.8
申请日：2006-01-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属材料的表面物理化学领域，涉及一种具有光催化性能的ZnO纳米复合结构薄膜材料的制备方法。现有简单的纳米结构薄膜材料光催化效率低、对尺度要求较苛刻。本发明其特征在于，包括以下步骤：用热气相沉积方法的常规工艺在基底上沉积一层ZnO薄膜，所通氧气流量500～3000sccm，并控制ZnO结晶在100纳米～2微米的尺度范围；向沉积室中充入含氮气体，控制含氮气体流量在50～500sccm范围，基底温度在750℃～1000℃的范围，生长时间控制在2～30分钟。本发明制备的具有p－n结的ZnO纳米复合结构光催化薄膜进行了测试，紫外光照射60分钟的光催化效率在78％以上。该纳米结构薄膜适用于对废水和废气中的有害物质的光催化处理。
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公开(公告)号：CN1760407A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510114853.9
申请日：2005-11-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属材料的表面物理化学领域。现有无机材料疏水性的研究，主要是用非晶碳薄膜，但难实现良好的透明性，且化学稳定性不如氮化硼薄膜。一种透明疏水的氮化硼薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：用常规气相沉积方法在作为基底的固体表面上沉积一层氮化硼薄膜，厚度在0.2微米到2.5微米的范围；然后将真空室中充入氩气，并控制工作气压在0.2～4.0Pa，施加射频电磁场，射频功率在50～200W，利用气体分子电离所产生的离子的对薄膜表面进行刻蚀，刻蚀时间控制在5～30分钟。为了提高刻蚀效果，可充入体积百分比为15％～80％的含氟气体。本发明的氮化硼薄膜表面不仅具有良好的疏水性能，并保持良好的透明性，适用于在需要透明、防雾、防水及易清洁的固体表面处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111206236B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010024893.9
申请日：2020-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/02 , C23C16/511 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种Mg掺杂GaN纳米线结构的制备方法。本发明提出采用元素掺杂的方法实现了GaN纳米线制备及其结构与形貌的调控。本发明采用MPCVD系统，以N2为N源，Ga2O3作为Ga源，MgO作为掺杂源，选择合适的还原剂防止氧化，选择合适工艺参数，通过调控Mg：Ga原子比例，可实现所制备的GaN纳米线截面在三方、四方及六方形结构进行调控。通过Mg掺杂调控实现了在常规GaN纳米线制备方法难以获得的四方形GaN纳米线，所制备的纳米线具有良好的结晶质量，在新型的GaN纳米线光电器件上具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111218657B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010009169.9
申请日：2020-01-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种非晶钨基高熵合金薄膜材料及制备方法，属于高熵合金薄膜材料技术领域。为WTaCrVTiZrAl七元高熵合金，各元素在高熵合金中所占原子百分比范围为：W 10‑40％，Ta 5‑30％，Cr 5‑25％，V 5‑15％，Ti 5‑15％，Zr 5‑25％，Al 5％‑20％，该合金为非晶相，其X射线衍射(XRD)半峰宽均大于3°。本发明不用低温就能制备高熵非晶合金材料，采用常规的合金薄膜的制备方法如磁控溅射、脉冲激光沉积、电子束蒸发等。
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公开(公告)号：CN113078479A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110403946.2
申请日：2021-04-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于复合硅半球/石墨烯宽带太赫兹超材料吸收器，属于超材料及电磁功能材料技术领域。该太赫兹超材料吸收器，包括金属反射层、介质层、石墨烯层和硅半球层。所述金属反射层为一层连续的金属薄膜，其厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度；介质层位于金属反射层和石墨烯层之间，为聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜；未图案化的石墨烯层之上负载着硅半球层，由复合的半椭球和半圆球周期性排列而成，且每个周期包含旋转对称的四个半椭球和中心的一个半圆球结构。本发明通过合理设计硅半球的几何尺寸以及石墨烯外加电压值，可以实现对垂直入射到超材料表面的电磁波完全吸收的特性。本发明结构简单、无需多层叠加结构，且具有宽频带高吸收的特性。
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公开(公告)号：CN111747383A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010444535.3
申请日：2020-05-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B19/00
Abstract: 一种Ruddlesden-Popper层状钙钛矿结构单相铁电光伏材料涉及新型功能材料领域。Ruddlesden-Popper层状钙钛矿结构单相铁电材料其化学式为Sr3Hf2Se7，其晶体结构为正交钙钛矿结构，属于正交晶系，空间群为A21am，晶胞参数其铁电极化来源于HfSe6八面体旋转导致的离子位移，其铁电极化方向为 方向，铁电极化值为10.53μC/cm2，相比同类材料，其铁电极化值可能提3-4倍，能带带隙小于同类材料。
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公开(公告)号：CN108611679B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810319100.9
申请日：2018-04-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种绿色无催化剂制备氮化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料制备与生长方法领域。本发明通过等离子增强化学气相沉积系统(PECVD)，在不使用任何催化剂条件下，以绿色无污染的N2作为氮源制备性能优异的一维线状的GaN纳米结构。本发明成本低廉，工艺简单，以抛光石墨为衬底，金属镓和碳粉为前驱体。在PECVD系统中，调节反应气压为30Pa‑50Pa；反应温度为825℃‑875℃；N2流速10‑40cm3/min；H2流速5‑10厘米cm3/min；射频电源功率80W‑120W，反应1‑3h得到产物。产物为六方纤锌矿结构的一维GaN纳米线，具有典型的紫光发光特征和优异的场发射性能。
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