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公开(公告)号：CN113078479A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110403946.2
申请日：2021-04-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于复合硅半球/石墨烯宽带太赫兹超材料吸收器，属于超材料及电磁功能材料技术领域。该太赫兹超材料吸收器，包括金属反射层、介质层、石墨烯层和硅半球层。所述金属反射层为一层连续的金属薄膜，其厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度；介质层位于金属反射层和石墨烯层之间，为聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜；未图案化的石墨烯层之上负载着硅半球层，由复合的半椭球和半圆球周期性排列而成，且每个周期包含旋转对称的四个半椭球和中心的一个半圆球结构。本发明通过合理设计硅半球的几何尺寸以及石墨烯外加电压值，可以实现对垂直入射到超材料表面的电磁波完全吸收的特性。本发明结构简单、无需多层叠加结构，且具有宽频带高吸收的特性。
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公开(公告)号：CN113809544A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111126379.7
申请日：2021-09-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种砷化镓/石墨烯复合动态可调宽带太赫兹超材料吸收器，属于超材料及电磁功能材料领域。该吸收器分为上下两个部分，上部分由砷化镓(GaAs)/石墨烯超材料层，介电层与半导体GaAs层三部分组成；下部分包括十字石墨烯层，介电层和底层金属反射层三部分。金属反射层为一层连续的金属薄膜，厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度；介质层为二氧化硅材料。顶层图形由石墨烯十字与四个大小相同的GaAs方框锁构成；第四层为与顶层尺寸不同的石墨烯十字阵列。本发明通过对石墨烯与GaAs层的尺寸优化与电压调控，实现对垂直入射电磁波的完全吸收。本发明结构简单且具有宽频带高吸收频率可调的特性，可用于太赫兹波段电磁波的收集和探测装置。
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公开(公告)号：CN113078479B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110403946.2
申请日：2021-04-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于复合硅半球/石墨烯宽带太赫兹超材料吸收器，属于超材料及电磁功能材料技术领域。该太赫兹超材料吸收器，包括金属反射层、介质层、石墨烯层和硅半球层。所述金属反射层为一层连续的金属薄膜，其厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度；介质层位于金属反射层和石墨烯层之间，为聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜；未图案化的石墨烯层之上负载着硅半球层，由复合的半椭球和半圆球周期性排列而成，且每个周期包含旋转对称的四个半椭球和中心的一个半圆球结构。本发明通过合理设计硅半球的几何尺寸以及石墨烯外加电压值，可以实现对垂直入射到超材料表面的电磁波完全吸收的特性。本发明结构简单、无需多层叠加结构，且具有宽频带高吸收的特性。
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公开(公告)号：CN113809544B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202111126379.7
申请日：2021-09-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种砷化镓/石墨烯复合动态可调宽带太赫兹超材料吸收器，属于超材料及电磁功能材料领域。该吸收器分为上下两个部分，上部分由砷化镓(GaAs)/石墨烯超材料层，介电层与半导体GaAs层三部分组成；下部分包括十字石墨烯层，介电层和底层金属反射层三部分。金属反射层为一层连续的金属薄膜，厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度；介质层为二氧化硅材料。顶层图形由石墨烯十字与四个大小相同的GaAs方框锁构成；第四层为与顶层尺寸不同的石墨烯十字阵列。本发明通过对石墨烯与GaAs层的尺寸优化与电压调控，实现对垂直入射电磁波的完全吸收。本发明结构简单且具有宽频带高吸收频率可调的特性，可用于太赫兹波段电磁波的收集和探测装置。
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公开(公告)号：CN114336076A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210035426.5
申请日：2022-01-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种超薄宽带编码RCS缩减超表面，涉及人工电磁超材料技术领域，由反射幅度相同，反射相位相差为180°的两种超表面单元按照PSO算法得到的优化规律排列组成。本发明基于阵列理论考虑设计两种AMC结构进行复合，从而有效拓宽RCS减缩作用带宽；根据相位相消原理，并使用粒子群(PSO)优化算法进行优化设计获得一种超薄超宽带的编码RCS缩减超表面；两种超表面基本单元相位差在全作用带宽(21‑35GHz)达到180°±1°，从而使该编码电磁超表面实现相对带宽达到47.2％、缩减效果超过10dB的优异性能。
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