-
公开(公告)号：CN115000244A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210608052.1
申请日：2022-05-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/108
Abstract: 一种高性能自驱动GaN纳米线紫外探测器的制作方法涉及半导体光电探测领域，包括：(1)对绝缘衬底进行抛光，清洗后进行等离子体高温氮化处理；(2)生长多晶GaN纳米线；(3)设计非对称叉指电极，其中非对称叉指电极两级面积差介于0.3‑5mm2，叉指电极之间的指间距为50‑300μm，指宽为50‑200μm，整体叉指电极模块的长为1‑9mm，宽为1.5‑13mm。(4)将掩模版放置在GaN样品上，进行冷溅射。本发明利用制备非对称电极导致耗尽层宽度不同从而形成内建电势差，电势差大于0.1eV,以此促进电子空穴对分离提高紫外响应速度，其光响应时间、恢复时间小于1ms；光响应度大于30mW/cm2，探测率大于1012Jones。
-
公开(公告)号：CN113930745A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111165332.1
申请日：2021-09-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高结晶GaN薄膜的制备方法涉及宽带隙半导体领域，采用一种简单、绿色、低成本的化学气相沉积法在衬底上生长获得了高质量的GaN薄膜。以N2气为氮源，通过等离子发生装置形成N等离子，采用固体镓源，在800‑1000℃下，N2气流量为10‑300sccm，射频功率为50‑300W，调控N等离子体密度，反应0.5‑10h，获得了高结晶质量的GaN薄膜。本专利解决了现在GaN制备过程中出现的高成本、复杂工艺和危险且有毒环境的问题，为发光二极管、激光发射器、紫外光探测器、高电子迁移率晶体管的制备提供一种可行性的方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109825843A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910078164.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于多晶GaN纳米线的自支撑电催化制氢电极，属于电催化制氢领域。本发明利用化学气相沉积方法，制备的多晶GaN纳米线/基底材料的结构可以直接作为为电催化制氢电极，无需任何催化剂负载或表面修饰即可用于电催化制氢，并表现出优异的电催化制氢性能。多晶GaN纳米线直径为90-200nm，长度为4-30μm，表面形貌粗糙，表现为金字塔岛状结构，同时具有丰富的缺陷与垂直于纳米线轴向的突起结构能够在电解水的催化过程中提供大量的活性位点，有利于电解液的扩散和气体的产生与脱附。本发明首次提出利用多晶GaN纳米线作为电催化析氢材料，这为探索新型电催化材料提供了崭新思路，也为研发已实现大规模生产的商用材料的新型性能开辟了新的道路。
-
公开(公告)号：CN115000244B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210608052.1
申请日：2022-05-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/108
Abstract: 一种高性能自驱动GaN纳米线紫外探测器的制作方法涉及半导体光电探测领域，包括：(1)对绝缘衬底进行抛光，清洗后进行等离子体高温氮化处理；(2)生长多晶GaN纳米线；(3)设计非对称叉指电极，其中非对称叉指电极两级面积差介于0.3‑5mm2，叉指电极之间的指间距为50‑300μm，指宽为50‑200μm，整体叉指电极模块的长为1‑9mm，宽为1.5‑13mm。(4)将掩模版放置在GaN样品上，进行冷溅射。本发明利用制备非对称电极导致耗尽层宽度不同从而形成内建电势差，电势差大于0.1eV,以此促进电子空穴对分离提高紫外响应速度，其光响应时间、恢复时间小于1ms；光响应度大于30mW/cm2，探测率大于1012Jones。
-
公开(公告)号：CN111206236B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010024893.9
申请日：2020-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/02 , C23C16/511 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种Mg掺杂GaN纳米线结构的制备方法。本发明提出采用元素掺杂的方法实现了GaN纳米线制备及其结构与形貌的调控。本发明采用MPCVD系统，以N2为N源，Ga2O3作为Ga源，MgO作为掺杂源，选择合适的还原剂防止氧化，选择合适工艺参数，通过调控Mg：Ga原子比例，可实现所制备的GaN纳米线截面在三方、四方及六方形结构进行调控。通过Mg掺杂调控实现了在常规GaN纳米线制备方法难以获得的四方形GaN纳米线，所制备的纳米线具有良好的结晶质量，在新型的GaN纳米线光电器件上具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN111206236A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010024893.9
申请日：2020-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/02 , C23C16/511 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种Mg掺杂GaN纳米线结构的制备方法。本发明提出采用元素掺杂的方法实现了GaN纳米线制备及其结构与形貌的调控。本发明采用MPCVD系统，以N2为N源，Ga2O3作为Ga源，MgO作为掺杂源，选择合适的还原剂防止氧化，选择合适工艺参数，通过调控Mg：Ga原子比例，可实现所制备的GaN纳米线截面在三方、四方及六方形结构进行调控。通过Mg掺杂调控实现了在常规GaN纳米线制备方法难以获得的四方形GaN纳米线，所制备的纳米线具有良好的结晶质量，在新型的GaN纳米线光电器件上具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109825843B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910078164.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/052 , C25B11/075 , C30B28/14 , C30B29/40 , C30B29/62 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于多晶GaN纳米线的自支撑电催化制氢电极，属于电催化制氢领域。本发明利用化学气相沉积方法，制备的多晶GaN纳米线/基底材料的结构可以直接作为为电催化制氢电极，无需任何催化剂负载或表面修饰即可用于电催化制氢，并表现出优异的电催化制氢性能。多晶GaN纳米线直径为90‑200nm，长度为4‑30μm，表面形貌粗糙，表现为金字塔岛状结构，同时具有丰富的缺陷与垂直于纳米线轴向的突起结构能够在电解水的催化过程中提供大量的活性位点，有利于电解液的扩散和气体的产生与脱附。本发明首次提出利用多晶GaN纳米线作为电催化析氢材料，这为探索新型电催化材料提供了崭新思路，也为研发已实现大规模生产的商用材料的新型性能开辟了新的道路。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.022 seconds)
