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公开(公告)号：CN109825843B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910078164.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/052 , C25B11/075 , C30B28/14 , C30B29/40 , C30B29/62 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于多晶GaN纳米线的自支撑电催化制氢电极，属于电催化制氢领域。本发明利用化学气相沉积方法，制备的多晶GaN纳米线/基底材料的结构可以直接作为为电催化制氢电极，无需任何催化剂负载或表面修饰即可用于电催化制氢，并表现出优异的电催化制氢性能。多晶GaN纳米线直径为90‑200nm，长度为4‑30μm，表面形貌粗糙，表现为金字塔岛状结构，同时具有丰富的缺陷与垂直于纳米线轴向的突起结构能够在电解水的催化过程中提供大量的活性位点，有利于电解液的扩散和气体的产生与脱附。本发明首次提出利用多晶GaN纳米线作为电催化析氢材料，这为探索新型电催化材料提供了崭新思路，也为研发已实现大规模生产的商用材料的新型性能开辟了新的道路。
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公开(公告)号：CN108611679A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810319100.9
申请日：2018-04-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种绿色无催化剂制备氮化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料制备与生长方法领域。本发明通过等离子增强化学气相沉积系统(PECVD)，在不使用任何催化剂条件下，以绿色无污染的N2作为氮源制备性能优异的一维线状的GaN纳米结构。本发明成本低廉，工艺简单，以抛光石墨为衬底，金属镓和碳粉为前驱体。在PECVD系统中，调节反应气压为30Pa-50Pa；反应温度为825℃-875℃；N2流速10-40cm3/min；H2流速5-10厘米cm3/min；射频电源功率80W-120W，反应1-3h得到产物。产物为六方纤锌矿结构的一维GaN纳米线，具有典型的紫光发光特征和优异的场发射性能。
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公开(公告)号：CN108611679B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810319100.9
申请日：2018-04-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种绿色无催化剂制备氮化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料制备与生长方法领域。本发明通过等离子增强化学气相沉积系统(PECVD)，在不使用任何催化剂条件下，以绿色无污染的N2作为氮源制备性能优异的一维线状的GaN纳米结构。本发明成本低廉，工艺简单，以抛光石墨为衬底，金属镓和碳粉为前驱体。在PECVD系统中，调节反应气压为30Pa‑50Pa；反应温度为825℃‑875℃；N2流速10‑40cm3/min；H2流速5‑10厘米cm3/min；射频电源功率80W‑120W，反应1‑3h得到产物。产物为六方纤锌矿结构的一维GaN纳米线，具有典型的紫光发光特征和优异的场发射性能。
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公开(公告)号：CN109825843A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910078164.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于多晶GaN纳米线的自支撑电催化制氢电极，属于电催化制氢领域。本发明利用化学气相沉积方法，制备的多晶GaN纳米线/基底材料的结构可以直接作为为电催化制氢电极，无需任何催化剂负载或表面修饰即可用于电催化制氢，并表现出优异的电催化制氢性能。多晶GaN纳米线直径为90-200nm，长度为4-30μm，表面形貌粗糙，表现为金字塔岛状结构，同时具有丰富的缺陷与垂直于纳米线轴向的突起结构能够在电解水的催化过程中提供大量的活性位点，有利于电解液的扩散和气体的产生与脱附。本发明首次提出利用多晶GaN纳米线作为电催化析氢材料，这为探索新型电催化材料提供了崭新思路，也为研发已实现大规模生产的商用材料的新型性能开辟了新的道路。
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