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公开(公告)号：CN115000244B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210608052.1
申请日：2022-05-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/108
Abstract: 一种高性能自驱动GaN纳米线紫外探测器的制作方法涉及半导体光电探测领域，包括：(1)对绝缘衬底进行抛光，清洗后进行等离子体高温氮化处理；(2)生长多晶GaN纳米线；(3)设计非对称叉指电极，其中非对称叉指电极两级面积差介于0.3‑5mm2，叉指电极之间的指间距为50‑300μm，指宽为50‑200μm，整体叉指电极模块的长为1‑9mm，宽为1.5‑13mm。(4)将掩模版放置在GaN样品上，进行冷溅射。本发明利用制备非对称电极导致耗尽层宽度不同从而形成内建电势差，电势差大于0.1eV,以此促进电子空穴对分离提高紫外响应速度，其光响应时间、恢复时间小于1ms；光响应度大于30mW/cm2，探测率大于1012Jones。
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公开(公告)号：CN119569105A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411611807.9
申请日：2024-11-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种无催化剂制备氧化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料制备与生长方法领域。该方法创新性地采用等离子增强化学气相沉积系统，以金属镓为镓源，无需任何催化剂介入，在均匀加热的石英管中，生长条件如下：温度(900‑950℃)、气体流量(Ar气30‑20sccm，氧气10sccm)及射频功率(60‑100W)。直接在原子级抛光的硅片基底上自发生长出具有高纯度、高结晶度的氧化镓纳米线。本发明避免了催化剂污染，降低了成本，提高了纳米线的纵横比和结晶质量，实现了纳米线直径在纳米尺度，长度可达毫米级别的生长。所制备的氧化镓纳米线展现出日盲光电探测性能，光电流在施加10V偏压下最高可达0.501μA。
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公开(公告)号：CN115000244A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210608052.1
申请日：2022-05-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/108
Abstract: 一种高性能自驱动GaN纳米线紫外探测器的制作方法涉及半导体光电探测领域，包括：(1)对绝缘衬底进行抛光，清洗后进行等离子体高温氮化处理；(2)生长多晶GaN纳米线；(3)设计非对称叉指电极，其中非对称叉指电极两级面积差介于0.3‑5mm2，叉指电极之间的指间距为50‑300μm，指宽为50‑200μm，整体叉指电极模块的长为1‑9mm，宽为1.5‑13mm。(4)将掩模版放置在GaN样品上，进行冷溅射。本发明利用制备非对称电极导致耗尽层宽度不同从而形成内建电势差，电势差大于0.1eV,以此促进电子空穴对分离提高紫外响应速度，其光响应时间、恢复时间小于1ms；光响应度大于30mW/cm2，探测率大于1012Jones。
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公开(公告)号：CN219391885U
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202321427272.0
申请日：2023-06-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种多场景环境自适应气体半导体阵列气体传感装置涉及气体组分传感技术领域。传统的气体检测仪器通常只能检测一种或少数几种气体成分，而且受环境影响较大，检测精度和灵敏度有限；同时，在未知突发情况的使用具有极大的限制性。记忆合金片以及空心合金杆；该装置包括多个记忆合金片相互重叠包覆于所述空心合金杆的侧壁上；每个所述记忆合金片上设置有半导体气体传感阵列。多个所述记忆合金片相互重叠包覆于所述空心合金杆的侧壁上；该装置能够同时检测多种气体成分，具有快速响应、高稳定性等优点，同时能够适用多种使用环境。
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