公开(公告)号：CN1281372C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200410069250.7

申请日：2004-07-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 雷永平 ,  夏志东 ,  史耀武 ,  郭福 ,  刘建萍 ,  李晓延 ,  陆然

IPC: B23K35/26

Abstract: SnZn系无铅钎料，属微电子行业表面组装领域。SnZn系无铅钎料存在的问题：(1)钎料合金元素种类繁多造成冶金制备困难；(2)钎料合金元素多造成可靠性下降；(3)当加入Bi元素的含量超过5%钎焊过程发生困难，钎料变得硬脆，延伸率下降，使得钎料不易拉拔加工成焊丝；(4)若钎料中Ag含量超过2%，成本上升，降低接头可靠性，可能引起桥接短路。该无铅钎料按重量百分比含有：4-12%的Zn，0.05-2.0%的Ag，0.05-1%的La稀土或Ce稀土或La/Ce混合稀土，其余为Sn。本发明钎料特点：合金组元较少，冶炼制备容易；成本低，可靠性较好；钎焊工艺性能较好；铺展工艺性能提高，如图所示，完全能够满足现有的微电子表面组装要求；改善钎料的延伸率，使钎料容易拉拔成焊丝。

公开(公告)号：CN101055895A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710099092.3

申请日：2007-05-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  陆然 ,  代红云 ,  严辉 ,  王波 ,  宋雪梅

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p－n结及制备方法属于半导体材料制造领域。本发明首次采用磁控溅射法制备出钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p－n结。该p－n结的结构为Si(100)单晶基片(1)衬底，Pt电极层(2)、ZnO薄膜(3)、及LSMO薄膜(4)。本发明制备的LSMO/ZnO p－n结不仅在40－320K的温度范围内都具有优异的整流特性，解决了现有技术利用PLD成本高，不利于应用于大规模工业生产的问题。本发明方法所获得的钙钛矿结构镧锰氧化物异质p－n结在自旋电子器件领域具有良好的应用潜能。

公开(公告)号：CN100468781C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200710099092.3

申请日：2007-05-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  陆然 ,  代红云 ,  严辉 ,  王波 ,  宋雪梅

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p-n结及制备方法属于半导体材料制造领域。本发明首次采用磁控溅射法制备出钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p-n结。该p-n结的结构为Si(100)单晶基片(1)衬底，Pt电极层(2)、ZnO薄膜(3)、及LSMO薄膜(4)。本发明制备的LSMO/ZnO p-n结不仅在40-320K的温度范围内都具有优异的整流特性，解决了现有技术利用PLD成本高，不利于应用于大规模工业生产的问题。本发明方法所获得的钙钛矿结构镧锰氧化物异质p-n结在自旋电子器件领域具有良好的应用潜能。

公开(公告)号：CN1586793A

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN200410069250.7

申请日：2004-07-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 雷永平 ,  夏志东 ,  史耀武 ,  郭福 ,  刘建萍 ,  李晓延 ,  陆然

IPC: B23K35/26

Abstract: SnZn系无铅钎料，属微电子行业表面组装领域。SnZn系无铅钎料存在的问题：(1)钎料合金元素种类繁多造成冶金制备困难；(2)钎料合金元素多造成可靠性下降；(3)当加入Bi元素的含量超过5％钎焊过程发生困难，钎料变得硬脆，延伸率下降，使得钎料不易拉拔加工成焊丝；(4)若钎料中Ag含量超过2％，成本上升，降低接头可靠性，可能引起桥接短路。该无铅钎料按重量百分比含有：4－12％的Zn，0.05－2.0％的Ag或1－5％的Bi，0－1％的La稀土或Ce稀土或La/Ce混合稀土，其余为Sn。本发明钎料特点：合金组元较少，冶炼制备容易；成本低，可靠性较好；钎焊工艺性能较好；铺展工艺性能提高，如图所示，完全能够满足现有的微电子表面组装要求；改善钎料的延伸率，使钎料容易拉拔成焊丝。