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公开(公告)号：CN110359012A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201811368387.0
申请日：2018-11-16
Applicant: 北京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法，涉及物理电子学相关领域。本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构为双重嵌套式孔结构，在一级大孔内包含了若干二级小孔结构，所述一级大孔作为初级陷阱，若干二级小孔结构作为嵌套陷阱；整体二维嵌套式陷阱结构在基底材料上构型，所述的构型为双重嵌套式孔结构，并对所述双重嵌套式孔结构进行金属溅射并形成纳米级膜。本发明还公开所述嵌套式微陷阱结构的制备方法，本发明能够有效抑制陷阱结构内的二次电子出射和再发射所产生的多级倍增效应，从而达到提高材料表面总二次电子发射抑制效果，并提供所述嵌套式微陷阱结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN109359423A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811369311.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 北京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开的一种快速确定矩形波导法兰3阶无源互调产物电平的方法，属于微波部件无源互调领域。本发明实现方法为：步骤1：将矩形波导法兰接触面等效为金属-绝缘层-金属结构，确定矩形波导法兰接触面两侧的电势差；步骤2：利用矩形波导尺寸、法兰接触面积以及接触面两侧的电势差确定矩形波导法兰接触面产生的3阶非线性电流；步骤3：利用载波频率、矩形波导尺寸以及3阶非线性电流，确定矩形波导法兰3阶无源互调产物的电平。本发明在无需提前获取无源互调低阶产物和表面形貌参数测量值的情况下，通过简单计算获得矩形波导法兰的3阶无源互调产物电平，因而能够大幅提高矩形波导法兰无源互调问题的解决效率，降低成本。
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公开(公告)号：CN108546929A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810293001.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种在基片表面制备氮化钛纳米薄膜的方法、具有薄膜的基片及其应用，属于二次电子发射抑制技术领域。所述方法包括：将基片经预真空室传送至反应腔中，给所述反应腔抽真空；向所述反应腔中通入惰性气体，对所述基片进行退火处理；将退火处理后的所述基片退回所述预真空室，采用氨气等离子体和气态钛源对所述反应腔进行若干次洗气循环；将所述基片送回所述反应腔，保持所述反应腔温度为150-220℃，采用所述氨气等离子体和钛源进行等离子体增强氮化钛原子层沉积反应，得到表面具有氮化钛纳米薄膜的基片。本发明制备的超薄薄膜可控性强、薄膜与基片结合强度高、表面共形性好、在平面及多孔等复杂结构表面均匀性高。
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公开(公告)号：CN119936576A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411973215.1
申请日：2024-12-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明公开了一种用于微放电的调零检测的控制方法：步骤1，监测微放电调零电平发生异常时，频谱仪上的调零电平跳变量；步骤2，采用粗调模式调节幅度控制旋钮，并观察频谱仪上的调零电平跳变量的变化；步骤3，在步骤2进行的过程中，实时观察调零电平跳变量是否出现先快速下降而后保持不变或者上升的现象，是则采用精调模式并进入步骤4，否则继续步骤2；步骤4，判断是否满足调零电平跳变量≤‑70dBm时，若是，则完成调零电平的调整，若否，则采用精调模式继续调整。本发明的方法能够提高调节效率和调节精度，解决了现有调零检测法中手动调整幅度或相位导致调整效率与调节精度难以保证的技术问题。
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公开(公告)号：CN119710852A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411879046.5
申请日：2024-12-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于精密电铸技术的微波部件二次电子发射抑制方法，包括如下步骤：硅片表面清洗、匀胶、前烘、光刻、显影、后烘竖膜、剥离、硅基“电子陷阱”向微波器件的精密电铸复型。本发明方法在微波部件表面形成规则的电子陷阱结构阵列尺寸可控、排列规整、长径比高，对二次电子发射特性抑制幅度大、均匀性好，可实现航天器大功率微波部件表面二次电子发射的抑制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115566383A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211188643.4
申请日：2022-09-28
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种基于石英材料的双模介质滤波器，具有单模工作带宽很宽，横跨整个X频段，Q值高等特点，利用TE11模实现单腔双模，侧壁耦合介质单窗实现M23与M14的耦合。该介质谐振器的介电常数为3.8±0.1，正切损耗角为0.0002。设计圆柱形谐振器，该形状的谐振器谐振频率为11.82GHz、单模工作带宽大于4GHZ、Q值大于10000。设计的滤波器通带为11.78GHz～11.82GHz，通带内最大插损小于0.5dB，回波损耗大于17dB，体积为同指标金属滤波器的35％，具有高Q值、低插损、小型化和高隔离等优点，在通信、卫星和导航等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114000103B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111027645.0
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法，包括基底1、二硫化钼层2和石墨烯层3；二硫化钼层2设置在基底1上，石墨烯层设置在二硫化钼层2上。本发明通过对磁控溅射制备MoS2/石墨烯复合异质结工艺过程的优化设计，并且结合退火工艺，以减少预制薄膜的硫空位，提高二硫化钼缓冲层的结晶质量，同时通过氩离子溅射在碳膜上形成高表面粗糙度的复合异质结薄膜，这能够有效增加二次电子与表面陷阱壁的平均碰撞次数从而抑制二次电子发射现象。
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公开(公告)号：CN113684453A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110697294.8
申请日：2021-06-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积制备，在降低二次电子发射系数的同时确保了部件电性能的一致性，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111748769A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010495917.9
申请日：2020-06-03
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250-3000ev。采用NPB材料为薄膜材料，有效降低了银表面高能区的二次电子发射系数。可在银表面大面积制备NPB薄膜，降低了薄膜制备成本。本发明提出的方法对银基底没有温度等特殊要求，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111307850A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911378479.1
申请日：2019-12-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种介质二次电子发射产额的测量方法，包括：将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面；将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流；根据入射电流和样品电流，解算得到测量得到的总体二次电子产额；获取金属导电栅网在待测介质的表面上的覆盖比例、金属导电栅网对下层待测介质表面出射电子的遮挡系数，以及金属导电栅网自身的二次电子产额；解算得到待测介质表面出射的二次电子产额；解算得到待测介质的本征二次电子产额。本发明无需高精度的中和手段，可通用于普通金属二次电子产额测试设备，测量结果准确且不受样品厚度限制，能较好适应于低能端。
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