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公开(公告)号:CN100370339C
公开(公告)日:2008-02-20
申请号:CN200410031748.4
申请日:2004-03-25
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 大见忠弘
IPC: G02F1/13357 , H05B33/00
CPC classification number: G02F1/133385 , G02F1/133603 , H01L23/38 , H01L27/14658 , H01L51/529 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 一种液晶显示器,包含液晶板和起背光作用的有机EL器件。有机EL器件包含起衬底作用的珀耳帖元件,及形成于珀耳帖元件上的有机EL元件。有机EL元件包含有机EL层及将有机EL层夹在中间的第一和第二电极。第一电极与作为珀耳帖元件的热吸收电极的金属层共享。第二电极由传播可见光的ITO形成。有机EL元件发射出的光从第二电极射出。结果,有机EL器件很薄且具有优越的冷却效果。
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公开(公告)号:CN100357642C
公开(公告)日:2007-12-26
申请号:CN200480004084.0
申请日:2004-02-09
CPC classification number: F16K7/14 , F16K27/003 , F16K51/02
Abstract: 本发明提供一种阀,这种阀能够与旨在实现真空排气系统的设备的小型化并由此降低成本和缩短真空排气时间的真空排气系统配管的小口径化相适应,并能够防止由气体分解产生的离解生成物的堆积所导致的内部的腐蚀、堵塞、阀座泄漏等。具体地说,将铝钝态用于在真空排气系统中使用的阀等配管零件,来抑制因烘焙时的温度升高而引起的气体分解,从而提供与真空排气系统的小口径化相适应的零件,特别是使得不会因气体分解产生的生成物的堆积而发生腐蚀、堵塞、阀座泄漏等。
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公开(公告)号:CN1961622A
公开(公告)日:2007-05-09
申请号:CN200580017662.9
申请日:2005-02-24
CPC classification number: H05K1/024 , H05K1/0216 , H05K1/0242 , H05K3/389
Abstract: 为了提供电绝缘层间的粘合性高、并且层间电阻低的电路基板,在具有基体1上形成的第1导体层,和在该第1导体层上形成的第1电绝缘层的电路基板中,第1导体层有0.1nm以上且不足100nm的表面粗糙度Ra,在该第1导体层与第1电绝缘层之间设置以硫醇化合物为主要材料的第1底涂层。由此,可以制得第1导体层与第1电绝缘层之间的粘合性高、并且可适应于高频信号的电路基板。
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公开(公告)号:CN1307381C
公开(公告)日:2007-03-28
申请号:CN02828573.5
申请日:2002-03-18
CPC classification number: F16J15/02 , F16J15/062 , F16J15/104 , F16L19/00 , F16L19/0212 , F16L19/0218 , F16L25/0018 , F16L27/082 , F16L27/0828 , Y10S277/925 , Y10S285/917
Abstract: 一种流体接头,在各接头部件(1、2)的抵接端面上,设有围绕流体通路(1a、2a)且在底面具有环状突起(5、6)的环状凹部(3、4)。垫圈(10)由外径小于环状凹部(3、4)的直径且位于两接头部件(1、2)的突起(5、6)之间的密封部(11)、和具有能嵌合到环状凹部(3、4)中的外径且位于密封部(11)的外侧的导向部(12)构成。在适当拧紧时使两接头部件(1、2)的抵接端面相互抵接。在密封部(11)的外周设有环状槽(14),密封部(11)和导向部(12)通过嵌合于该环状槽(14)中的弹性挡环(13)相连接。
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公开(公告)号:CN1296975C
公开(公告)日:2007-01-24
申请号:CN01142940.2
申请日:2001-11-30
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/00 , C23C16/513
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32211
Abstract: 一隙缝天线板(7)放置在一用来将微波辐射入一加工腔(13)内的第二电介质(5)上,所述隙缝天线板(7)设置在第二电介质(5)的那一面朝着所述腔室内部(13)的侧面上。隙缝天线板(7)由导体制成,并且包括用来使微波从其中通过以进入腔室内部(13)的各隙缝(7a)。以此方式,可以提供一种藉助微波来产生等离子体的等离子体加工设备,所述等离子体加工设备能对用于待加工材料的离子辐射能很方便地进行调节,以在所述材料的平面内对所述材料进行均匀的等离子体加工。
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公开(公告)号:CN1291461C
公开(公告)日:2006-12-20
申请号:CN01821536.X
申请日:2001-12-27
Applicant: 大见忠弘
IPC: H01L21/318 , H01L27/10 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28202 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02249 , H01L21/02252 , H01L21/02315 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28211 , H01L21/2822 , H01L21/30604 , H01L21/3144 , H01L21/31662 , H01L21/3185 , H01L21/823462 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11568 , H01L27/12 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78645
Abstract: 一种电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法,这是以硅为衬底并包含多个晶体管或电容器的半导体器件的成膜方法,其中,氢至少预先存在于所述硅表面的一部分上,将所述硅的表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除氢,然后,由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体,从而,在所述硅气体的表面上形成一种硅化合物层,所述硅化合物层包含构成所述气体分子的至少一部分的元素。
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公开(公告)号:CN1271377C
公开(公告)日:2006-08-23
申请号:CN03100061.4
申请日:2003-01-08
Applicant: 大见忠弘 , 小林贞雄 , 霓佳斯株式会社 , 大成建设株式会社 , 日立工程设备建设株式会社
CPC classification number: F24F5/0035 , F25D7/00 , F28C1/04
Abstract: 本发明涉及一种具备冷却单元和送风装置的空气冷却装置,所述冷却单元具有在前后两面和上下两面开口并且从前面开口部导入被冷却空气的同时从后面开口部排出冷却空气地配置的斜向蜂窝体、向该斜向蜂窝体的上面开口部供给冷却水的冷却水供给装置、以及接收从该斜向蜂窝体的下面开口部排出的排水的接水部,所述送风装置向所述斜向蜂窝体的前面开口部导入被冷却空气并从该斜向蜂窝体的后面开口部排出冷却空气,至少具有一个所述冷却单元,并且,该冷却单元中的每个所述斜向蜂窝体的高度为200~800mm。该空气冷却装置可以改善热效率,降低液气比,减少压力损失,节省空间和能源。
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公开(公告)号:CN1806332A
公开(公告)日:2006-07-19
申请号:CN200480016270.6
申请日:2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092 , H03F3/34 , H03F3/45 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L29/66795 , H03F3/343 , H03F3/45183 , H03F2200/372
Abstract: 高度为HB宽度为WB的长方体突出部分(21)形成在硅衬底上,并且栅氧化膜形成在突出部分(21)的部分上表面和侧壁面上。源极和漏极形成在栅电极(26)的两个对侧上,从而形成MOS晶体管。此MOS晶体管用来配置直流放大器。直流放大器具有包括MOS晶体管(61,62)的差动放大器电路。这样,直流放大器能够呈现更大的增益。
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公开(公告)号:CN1757099A
公开(公告)日:2006-04-05
申请号:CN200480006010.0
申请日:2004-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/304 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/6704 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/6715 , H01L21/67161 , H01L21/67173
Abstract: 本发明的目的在于完全除去由于清洗而附着在衬底上的水分,并将该衬底在除去水分的状态下输送至成膜装置中。本发明是一种衬底处理系统(1),其包括:清洗装置(3),使用清洗液清洗衬底;水分去除装置(4),除去在所述清洗装置(3)中清洗的衬底上附着的水分;以及输送部(7),用于将在所述水分去除装置(4)中除去水分的衬底经过干燥气氛内输送至衬底的其他处理装置中。
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公开(公告)号:CN1748102A
公开(公告)日:2006-03-15
申请号:CN200480004084.0
申请日:2004-02-09
CPC classification number: F16K7/14 , F16K27/003 , F16K51/02
Abstract: 本发明提供一种阀,这种阀能够与旨在实现真空排气系统的设备的小型化并由此降低成本和缩短真空排气时间的真空排气系统配管的小口径化相适应,并能够防止由气体分解产生的离解生成物的堆积所导致的内部的腐蚀、堵塞、阀座泄漏等。具体地说,将铝钝态用于在真空排气系统中使用的阀等配管零件,来抑制因烘焙时的温度升高而引起的气体分解,从而提供与真空排气系统的小口径化相适应的零件,特别是使得不会因气体分解产生的生成物的堆积而发生腐蚀、堵塞、阀座泄漏等。
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