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公开(公告)号：CN1689148A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03823816.0
申请日：2003-09-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322 , C30B29/06
CPC classification number: C30B33/02 , C30B29/06 , H01L21/3225
Abstract: 本发明提供一种退火晶片及其制造方法，涉及一种对由用切克劳斯基法生长的硅单晶制作的硅晶片实施了热处理的退火晶片，其特征是，从晶片表面到至少深5μm的区域的氧化膜耐压特性的良品率在95％以上，并且在投入器件工序前的阶段，能在晶片内部检测出的、具有吸收能力的尺寸以上的氧析出物的密度为1×109/cm3以上。根据本发明，其器件制作区即晶片表层的氧化膜耐压特性优良，并且在体层上，在投入器件工序前的阶段高密度存在氧析出物，从而具有优良的IG能力。
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公开(公告)号：CN109564856B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201780046457.8
申请日：2017-07-03
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/66 , H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体硅基板上形成Fin结构部，并向该Fin结构部进行了离子注入后，在半导体硅基板进行恢复热处理，使Fin结构部的硅再结晶化，以使在形成的Fin结构部的侧壁不出现半导体硅的{111}面的端面的方式对Fin结构部进行加工。由此，提供一种半导体装置的制造方法，其在向Fin结构部进行离子注入并进行恢复热处理时，能够防止向Fin结构部引入缺陷。
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公开(公告)号：CN115315784A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180023449.8
申请日：2021-02-09
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 竹野博
IPC: H01L21/265 , H01L21/66
Abstract: 本发明是一种单晶硅基板中的施主浓度的控制方法，其特征在于，基于获取到的相关关系，调整在准备工序中准备的对所述施主浓度进行控制的单晶硅基板的氧浓度和碳浓度，以使第二热处理工序后的对施主浓度进行控制的单晶硅基板中的施主浓度成为目标值。由此，提供一种单晶硅基板中的施主浓度的控制方法，能够减小单晶硅基板引起的施主浓度的偏差，并能够以高精度控制施主浓度。
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公开(公告)号：CN112005353A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980027567.9
申请日：2019-03-15
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 竹野博
IPC: H01L21/66 , C30B29/06 , H01L21/322
Abstract: 本发明提供一种单晶硅基板的分选方法，其具有以下工序：由晶锭制作并准备作为候补的单晶硅基板的准备工序；粒子束照射工序；恢复热处理工序；测定过剩载流子衰减曲线的测定工序；由过剩载流子衰减曲线中的过剩载流子浓度衰减至1/e的时间LT及过剩载流子浓度衰减至X％(1≤X≤10)的时间tTail(X)，计算出ΔtTail(X)＝tTail(X)‑[‑LT×ln(X/100)]，并在ΔtTail(X)为预先确定的判定值以下时，判定为合格的判定工序；分选由制作出被判定为合格的单晶硅基板的晶锭制作的单晶硅基板的分选工序。由此，提供一种能够通过复合寿命的控制抑制拖尾电流的单晶硅基板的分选方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107210223B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201680006293.1
申请日：2016-01-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322 , C30B29/06 , C30B33/12 , H01L21/26
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的制造方法，透过施加热处理于一被处理硅晶圆，而制造于表层具有无缺陷区域的硅晶圆，制造方法包含：步骤A，透过自上方加热被处理硅晶圆的第一热源，而仅对被处理硅晶圆的上侧的表层以1300℃以上且硅的熔点以下的温度，进行0.01msec以上且100msec以下的第一急速热处理；以及步骤B，透过加热被处理硅晶圆的第二热源所进行的第二急速热处理，而对被处理硅晶圆以1100℃以上且不超过1300℃的温度维持1秒以上且100秒以下，并以30℃/sec以上且150℃/sec以下的降温速度降温。由此，能够于块体能够形成高密度的BMD，TDDB特性良好的单晶硅晶圆。
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公开(公告)号：CN106104756B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201580013050.6
申请日：2015-02-23
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/322 , H01L21/324 , G01N23/2254
CPC classification number: H01L22/24 , G01N23/2254 , G01N2223/3106 , G01N2223/6116 , H01L21/26513 , H01L21/2686 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的评价方法，其是对具有结晶缺陷的半导体基板实施用于修复所述结晶缺陷的缺陷修复热处理的半导体基板的评价方法，其特征在于，以闪光灯退火进行所述缺陷修复热处理，并具有：通过控制所述闪光灯退火的处理条件，对修复途中的半导体基板的结晶缺陷进行测量的工序；以及基于该测量的结果对所述结晶缺陷的修复机制进行解析的工序。由此，提供一种能够对结晶缺陷的修复过程进行评价的半导体基板的评价方法。
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公开(公告)号：CN107210223A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680006293.1
申请日：2016-01-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322 , C30B29/06 , C30B33/12 , H01L21/26
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的制造方法，透过施加热处理于一被处理硅晶圆，而制造于表层具有无缺陷区域的硅晶圆，制造方法包含：步骤A，透过自上方加热被处理硅晶圆的第一热源，而仅对被处理硅晶圆的上侧的表层以1300℃以上且硅的熔点以下的温度，进行0.01msec以上且100msec以下的第一急速热处理；以及步骤B，透过加热被处理硅晶圆的第二热源所进行的第二急速热处理，而对被处理硅晶圆以1100℃以上且不超过1300℃的温度维持1秒以上且100秒以下，并以30℃/sec以上且150℃/sec以下的降温速度降温。由此，能够于块体能够形成高密度的BMD，TDDB特性良好的单晶硅晶圆。
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公开(公告)号：CN106030762A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010104.3
申请日：2015-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/26
CPC classification number: H01L21/3242 , H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L21/2686 , H01L29/32 , H01L29/36
Abstract: 本发明是一种闪光灯退火用半导体基板，其特征在于，用于下述制造工序，该制造工序是进行离子注入并在半导体基板表面形成p‑n结，通过闪光灯退火来修复离子注入缺陷，并且，所述半导体基板的碳浓度在0.5ppma以下。由此，提供一种闪光灯退火用半导体基板，其在使用闪光灯退火工序而制成的元件中，能够简单且切实地防止离子注入缺陷的残留。
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公开(公告)号：CN100342503C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03823816.0
申请日：2003-09-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322 , C30B29/06
CPC classification number: C30B33/02 , C30B29/06 , H01L21/3225
Abstract: 本发明提供一种退火晶片及其制造方法，涉及一种对由用切克劳斯基法生长的硅单晶制作的硅晶片实施了热处理的退火晶片，其特征是，从晶片表面到至少深5μm的区域的氧化膜耐压特性的良品率在95%以上，并且在投入器件工序前的阶段，能在晶片内部检测出的、具有吸收能力的尺寸以上的氧析出物的密度为1×109/cm3以上。根据本发明，其器件制作区即晶片表层的氧化膜耐压特性优良，并且在体层上，在投入器件工序前的阶段高密度存在氧析出物，从而具有优良的IG能力。
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