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公开(公告)号：CN1968360A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610149238.6
申请日：2006-11-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/335
Abstract: 提出了一种固态图像拾取装置，包括：多个像素单元，其中每个像素单元都包括光电转换元件；信号线，其从所述多个像素单元中读出信号；第一电容器元件，其具有连接到所述信号线上的第一电极；放大器，其具有连接到第一电容器元件的第二电极的一个输入端；以及第二电容器元件，其连接在所述放大器的所述输入端和一个输出端之间；其中第一电容器元件的电容值在相加模式执行时间中要比在非相加模式执行时间中小，从而使放大器的放大因子在相加模式执行时间中比在非相加模式执行时间中小。
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公开(公告)号：CN1366343A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN01145778.3
申请日：2001-12-18
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N9/097 , H01L27/14601 , H01L27/14618 , H01L2924/0002 , H04N5/2253 , H04N5/2254 , H04N5/3415 , H01L2924/00
Abstract: 一种图象拾取设备包括:象素区,包含多个象素;和基底。该象素区被结合在该基底上,其中该象素区的中心与该基底的中心基本上彼此吻合。这个装置的尺寸可以减小。
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公开(公告)号：CN1056953A
公开(公告)日：1991-12-11
申请号：CN91103573.7
申请日：1991-05-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种元件隔离及金属布线优于现有技术的半导体器件，其元件隔离结构包括形成在掺杂衬底上的元件区域、元件隔离区，以及形成在半导体基体表面上及其背面的金属布线。所述元件隔离区内形成有与金属布线相连、沿纵向延伸的金属淀积层，所述半导体基体借助于与基体导电类型相反的一层区域与所述金属布线层相绝缘。本发明的半导体器件能降低元件隔离区的阻抗、防止自锁和干扰，即使减小布线平面面积也能保证允许电流量，且能高精度地形成布线结构。
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公开(公告)号：CN112216730B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010658167.2
申请日：2020-07-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H10K59/38 , H10K50/858 , H10K59/35 , H10K59/12
Abstract: 本发明涉及一种显示装置和显示系统。该显示装置包括以二维方式配置有多个像素的显示区域。多个像素中的各像素包括发光层和使来自发光层的光折射的光学构件。在第一像素中所包括的第一光学构件相对于发光层的正投影中，第一光学构件的顶点的位置和第一光学构件的中心的位置分开了第一距离。
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公开(公告)号：CN112216806B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202010653112.2
申请日：2020-07-08
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 发光装置、曝光系统、摄像显示装置、摄像装置、电子装置、照明装置和移动物体。本公开的一个方面涉及一种发光装置，其包括：第一发光元件，其布置于基板的主面；以及第一透镜，其固定到基板并且在垂直于主面的方向上的平面图中与第一发光元件的第一发光区域的中心重叠。在垂直于主面的方向上的平面图中，第一发光区域的中心和第一透镜的中心在平行于主面的方向上以第一距离彼此远离。
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公开(公告)号：CN106847844A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611088743.4
申请日：2016-12-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 本发明提供一种摄像装置以及摄像系统。根据本发明的摄像装置包括基板和设置在基板上的半导体层，所述基板包括布置在其上的多个像素电路。多个像素电路中的各个像素电路包括放大晶体管，放大晶体管被构造为输出基于在半导体层中生成的电荷的信号。在与基板的表面平行的第一方向上输送在半导体层中生成的电荷。
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公开(公告)号：CN105323510A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510462962.3
申请日：2015-07-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/341 , H04N5/357 , H04N5/225 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/37452
Abstract: 公开了光电变换装置、光电变换系统和光电变换装置的驱动方法。提供了配置为将输出到信号线的信号的振幅设置为与放大单元基于输入节点的电势输出信号的情况相比而言是小的或者使放大单元进入非工作状态的输出控制单元。
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公开(公告)号：CN105321971A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510463213.2
申请日：2015-07-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14665 , H01L27/307 , H01L31/028 , H01L31/095 , H04N5/3765 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及固态图像感测元件和成像系统。二维地布置的多个像素中的每一个包括光电转换单元和设在光电转换单元上的微透镜，所述光电转换单元包括像素电极、设在像素电极上的光电转换层和对电极，并被设置为将光电转换层夹在该对电极与像素电极之间。所述多个像素包括第一像素和多个第二像素。满足以下两项中的至少任一项：所述多个第二像素的像素电极比第一像素的像素电极小，或者所述多个第二像素的对电极比第一像素的对电极小；并且第一像素的对电极与微透镜之间的配置与所述多个第二像素中的每一个的对电极与微透镜之间的配置相同。
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公开(公告)号：CN101118919B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710143752.3
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 一种光电转换器件，包括：光电转换区域，其具有多个光电转换元件和配置为响应每个光电转换元件的电荷而读取信号的第一MOS晶体管；以及外围电路区域，其具有配置为驱动所述第一MOS晶体管和/或放大从所述光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，并且所述光电转换区域和所述外围电路区域位于同一半导体衬底上，其中所述第一MOS晶体管的漏极中的杂质浓度低于所述第二MOS晶体管的漏极中的杂质浓度。
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