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公开(公告)号：CN106847844B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201611088743.4
申请日：2016-12-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 本发明提供一种摄像装置以及摄像系统。根据本发明的摄像装置包括基板和设置在基板上的半导体层，所述基板包括布置在其上的多个像素电路。多个像素电路中的各个像素电路包括放大晶体管，放大晶体管被构造为输出基于在半导体层中生成的电荷的信号。在与基板的表面平行的第一方向上输送在半导体层中生成的电荷。
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公开(公告)号：CN106887441A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201611143924.2
申请日：2016-12-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置及信息处理装置。一种半导体装置包括：第一光电二极管，其被布置在半导体基板中；第二光电二极管，其被布置在半导体基板中；电荷电压转换部，其连接到第一光电二极管的阴极和第二光电二极管的阳极，并且被构造为将与在第一光电二极管中生成的电子和在第二光电二极管中生成的空穴对应的电荷量转换为电压；以及信号生成部，其被构造为生成与电荷电压转换部的电压对应的信号。
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公开(公告)号：CN106851136B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201611103874.5
申请日：2016-12-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/341 , H04N5/359 , H04N5/369 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种摄像设备和摄像系统。根据实施例的摄像设备包括：基板，其上设置有多个像素电路；半导体层，其被设置在所述基板上；第一电极，其被设置在所述半导体层上；以及第二电极，其被设置在所述半导体层与所述基板之间。所述半导体层的连续部分包括：第一部分，其形成光接收区域；以及第二部分，其形成电荷保持区域，所述光接收区域被设置在所述第一电极与所述第二电极之间，所述电荷保持区域被设置在与所述光接收区域不同的位置处并保持在所述光接收区域中产生的电荷。
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公开(公告)号：CN106887441B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201611143924.2
申请日：2016-12-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置及信息处理装置。一种半导体装置包括：第一光电二极管，其被布置在半导体基板中；第二光电二极管，其被布置在半导体基板中；电荷电压转换部，其连接到第一光电二极管的阴极和第二光电二极管的阳极，并且被构造为将与在第一光电二极管中生成的电子和在第二光电二极管中生成的空穴对应的电荷量转换为电压；以及信号生成部，其被构造为生成与电荷电压转换部的电压对应的信号。
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公开(公告)号：CN106851136A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611103874.5
申请日：2016-12-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/341 , H04N5/359 , H04N5/369 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种摄像设备和摄像系统。根据实施例的摄像设备包括：基板，其上设置有多个像素电路；半导体层，其被设置在所述基板上；第一电极，其被设置在所述半导体层上；以及第二电极，其被设置在所述半导体层与所述基板之间。所述半导体层的连续部分包括：第一部分，其形成光接收区域；以及第二部分，其形成电荷保持区域，所述光接收区域被设置在所述第一电极与所述第二电极之间，所述电荷保持区域被设置在与所述光接收区域不同的位置处并保持在所述光接收区域中产生的电荷。
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公开(公告)号：CN106847844A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611088743.4
申请日：2016-12-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 本发明提供一种摄像装置以及摄像系统。根据本发明的摄像装置包括基板和设置在基板上的半导体层，所述基板包括布置在其上的多个像素电路。多个像素电路中的各个像素电路包括放大晶体管，放大晶体管被构造为输出基于在半导体层中生成的电荷的信号。在与基板的表面平行的第一方向上输送在半导体层中生成的电荷。
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