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公开(公告)号：CN109390363A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810884107.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/14698 , H04N5/378 , H01L27/14683
Abstract: 本发明公开了成像设备和制造成像设备的方法。一种制造成像设备的方法，所述成像设备包括第一埋入二极管和第二埋入二极管，所述第一埋入二极管包括第一半导体区域和第二半导体区域，所述第二埋入二极管包括第三半导体区域和第四半导体区域，所述方法包括将第一导电类型的第一杂质离子注入到第一区域和第一区域与第二区域之间的第三区域中，以及将第一导电类型的第二杂质离子注入到第二区域和第三区域中，其中，通过注入第一杂质离子形成第一半导体区域，通过注入第二杂质离子形成第三半导体区域，并且通过注入第一杂质离子和第二杂质离子在第三区域中形成具有比第一半导体区域和第二半导体区域高的杂质浓度的第五半导体区域。
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公开(公告)号：CN104124255B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410169731.9
申请日：2014-04-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/232 , H04N5/378
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H04N5/23212 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了一种成像装置和成像系统。根据本发明的一个实施例是包含像素的成像装置。像素包含第一光电转换单元、第二光电转换单元、浮置扩散部分、第一传送晶体管和第二传送晶体管。第一传送晶体管和第二传送晶体管被配置为向浮置扩散部分传送分别在第一光电转换单元和第二光电转换单元处产生的电载流子。成像装置包括与第一传送晶体管的栅电极电连接的第一导电部件、与第二传送晶体管的栅电极电连接的第二导电部件以及控制单元。第一导电部件与浮置扩散部分之间的最接近距离比第二导电部件与浮置扩散部分之间的最接近距离长。
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公开(公告)号：CN114864613A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210113179.6
申请日：2022-01-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了光电转换装置。光电转换装置具有被布置为与第一光电转换单元对应的第一过滤器和被布置为与第二光电转换单元对应的第二过滤器。光电转换装置具有被配置为处理来自第一光电转换单元的输出信号并且具有第一经学习的模型的第一处理单元、以及被配置为处理来自第二光电转换单元的输出信号并且具有与第一经学习的模型不同的第二经学习的模型的第二处理单元。
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公开(公告)号：CN106887441B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201611143924.2
申请日：2016-12-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置及信息处理装置。一种半导体装置包括：第一光电二极管，其被布置在半导体基板中；第二光电二极管，其被布置在半导体基板中；电荷电压转换部，其连接到第一光电二极管的阴极和第二光电二极管的阳极，并且被构造为将与在第一光电二极管中生成的电子和在第二光电二极管中生成的空穴对应的电荷量转换为电压；以及信号生成部，其被构造为生成与电荷电压转换部的电压对应的信号。
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公开(公告)号：CN106449668B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201610637968.4
申请日：2016-08-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14
Abstract: 本公开涉及光电转换元件、装置、距离检测传感器和信息处理系统。一种光电转换元件包括：第一光电转换单元，其被配置为产生用作信号电荷的电子；第二光电转换单元，其被配置为产生用作信号电荷的空穴；第一浮置扩散区，在第一光电转换单元中产生的电子被传输到第一浮置扩散区；第二浮置扩散区，在第二光电转换单元中产生的空穴被传输到第二浮置扩散区；放大晶体管，其包括电连接到第一浮置扩散区和第二浮置扩散区的栅极；第一电荷排出单元，其被配置为排出在第一光电转换单元中产生的电子；以及第二电荷排出单元，其被配置为排出在第二光电转换单元中产生的空穴，其中，第一光电转换单元和第二光电转换单元沿着半导体基板的主表面布置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107888852A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710912843.2
申请日：2017-09-30
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 一种成像装置、系统和移动成像体。该成像装置包括：布置成矩阵的多个像素；和信号处理装置。矩阵的第一行和第二行均包括光接收像素和参考像素，光接收像素均接收入射光并输出基于入射光的光信号，并且每个参考像素输出用于形成地址信号的像素信号。处理装置提供第一地址信号和第二地址信号，其中：第一地址信号指示第一行的位置，并包括基于来自第一行的像素信号的信号值；并且第二地址信号指示第二行的位置，并且包括基于来自第二行的像素信号的信号值；并且第一地址信号的信号值与第二地址信号的信号值不同。
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公开(公告)号：CN103219346A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310018380.7
申请日：2013-01-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/02002 , H01L27/14601 , H01L27/14605 , H01L27/14609 , H01L27/14645 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了图像拾取装置和图像拾取系统。该图像拾取装置包括分别包含第一导电类型的第一半导体区域和被设置为与第一半导体区域接触的第二导电类型的半导体区域的光电转换单元；在光电转换单元之间形成的势垒；和设置在图像感测区域中的接触插头。接触插头的数量比光电转换单元的数量少。光电转换单元包含第一和第二光电转换单元，并被布置为使得至少两个第一光电转换单元沿第一方向彼此相邻。势垒包含在相邻设置的两个第一光电转换单元之间形成的第一部分以及在彼此相邻的第一光电转换单元和第二光电转换单元之间形成的第二部分。接触插头的位置距第一部分比距第二部分更近。
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公开(公告)号：CN110137190B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN201910110245.2
申请日：2019-02-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供光电转换设备和装置。光电转换设备包括：半导体层，其具有正面和背面并且在所述正面与所述背面之间设置有多个光电转换部；配线结构，其配置于所述半导体层的所述正面侧；分离部，其配置在多个所述光电转换部之间并且由与所述背面连续的沟槽形成；第一遮光部，其以与所述分离部重叠的方式在所述背面侧配置在所述半导体层的上方；以及第二遮光部，其以隔着配置在多个所述光电转换部中的至少一个光电转换部上方的区域面向所述第一遮光部的方式在所述背面侧配置在所述半导体层的上方。
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公开(公告)号：CN107888852B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201710912843.2
申请日：2017-09-30
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 一种成像装置、系统和移动成像体。该成像装置包括：布置成矩阵的多个像素；和信号处理装置。矩阵的第一行和第二行均包括光接收像素和参考像素，光接收像素均接收入射光并输出基于入射光的光信号，并且每个参考像素输出用于形成地址信号的像素信号。处理装置提供第一地址信号和第二地址信号，其中：第一地址信号指示第一行的位置，并包括基于来自第一行的像素信号的信号值；并且第二地址信号指示第二行的位置，并且包括基于来自第二行的像素信号的信号值；并且第一地址信号的信号值与第二地址信号的信号值不同。
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公开(公告)号：CN106449669A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610640179.6
申请日：2016-08-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/142 , G01S17/08
Abstract: 本发明涉及光电转换器件、测距装置和信息处理系统。一种光电转换器件包括：被配置为产生电子的第一光电转换部分；被配置为产生空穴的第二光电转换部分；包含被配置为收集产生的电子的n型第一半导体区域和被配置为收集产生的空穴的p型第二半导体区域的电荷-电压转换部分，电荷-电压转换部分被配置为将基于电子和空穴的电荷转换成电压；和被配置为产生与电压对应的信号的信号产生部分，信号产生部分包含放大晶体管。
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