公开(公告)号：CN109390363A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810884107.5

申请日：2018-08-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 饭田洋一郎 ,  丰口银二郎 ,  岩田旬史 ,  和田洋一 ,  伊藤秀行 ,  坪井宏政 ,  瀬户大地

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14605 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14698 ,  H04N5/378 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明公开了成像设备和制造成像设备的方法。一种制造成像设备的方法，所述成像设备包括第一埋入二极管和第二埋入二极管，所述第一埋入二极管包括第一半导体区域和第二半导体区域，所述第二埋入二极管包括第三半导体区域和第四半导体区域，所述方法包括将第一导电类型的第一杂质离子注入到第一区域和第一区域与第二区域之间的第三区域中，以及将第一导电类型的第二杂质离子注入到第二区域和第三区域中，其中，通过注入第一杂质离子形成第一半导体区域，通过注入第二杂质离子形成第三半导体区域，并且通过注入第一杂质离子和第二杂质离子在第三区域中形成具有比第一半导体区域和第二半导体区域高的杂质浓度的第五半导体区域。

公开(公告)号：CN109390363B

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN201810884107.5

申请日：2018-08-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 饭田洋一郎 ,  丰口银二郎 ,  岩田旬史 ,  和田洋一 ,  伊藤秀行 ,  坪井宏政 ,  瀬户大地

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了成像设备和制造成像设备的方法。一种制造成像设备的方法，所述成像设备包括第一埋入二极管和第二埋入二极管，所述第一埋入二极管包括第一半导体区域和第二半导体区域，所述第二埋入二极管包括第三半导体区域和第四半导体区域，所述方法包括将第一导电类型的第一杂质离子注入到第一区域和第一区域与第二区域之间的第三区域中，以及将第一导电类型的第二杂质离子注入到第二区域和第三区域中，其中，通过注入第一杂质离子形成第一半导体区域，通过注入第二杂质离子形成第三半导体区域，并且通过注入第一杂质离子和第二杂质离子在第三区域中形成具有比第一半导体区域和第二半导体区域高的杂质浓度的第五半导体区域。