光电转换装置及信息处理装置

    公开(公告)号:CN106887441B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201611143924.2

    申请日:2016-12-13

    Abstract: 本发明提供一种光电转换装置及信息处理装置。一种半导体装置包括:第一光电二极管,其被布置在半导体基板中;第二光电二极管,其被布置在半导体基板中;电荷电压转换部,其连接到第一光电二极管的阴极和第二光电二极管的阳极,并且被构造为将与在第一光电二极管中生成的电子和在第二光电二极管中生成的空穴对应的电荷量转换为电压;以及信号生成部,其被构造为生成与电荷电压转换部的电压对应的信号。

    光电转换元件、装置、距离检测传感器和信息处理系统

    公开(公告)号:CN106449668B

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN201610637968.4

    申请日:2016-08-05

    Abstract: 本公开涉及光电转换元件、装置、距离检测传感器和信息处理系统。一种光电转换元件包括:第一光电转换单元,其被配置为产生用作信号电荷的电子;第二光电转换单元,其被配置为产生用作信号电荷的空穴;第一浮置扩散区,在第一光电转换单元中产生的电子被传输到第一浮置扩散区;第二浮置扩散区,在第二光电转换单元中产生的空穴被传输到第二浮置扩散区;放大晶体管,其包括电连接到第一浮置扩散区和第二浮置扩散区的栅极;第一电荷排出单元,其被配置为排出在第一光电转换单元中产生的电子;以及第二电荷排出单元,其被配置为排出在第二光电转换单元中产生的空穴,其中,第一光电转换单元和第二光电转换单元沿着半导体基板的主表面布置。

    发光显示装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102077386A

    公开(公告)日:2011-05-25

    申请号:CN200980124399.1

    申请日:2009-06-30

    CPC classification number: H01L51/5265 H01L51/5278

    Abstract: 在发光显示装置中,对于具有低的颜色纯度和低的发射效率的发射颜色实现优异的颜色再现性和高的亮度。要提高其颜色纯度和发射效率的电致发光层(3)作为第一层被层叠于基板(1)上并且被插入反射电极层(2)和半反射电极(4)之间,然后,从电致发光层(3)提取的光通过反射电极层(2)中的反射表面与半反射电极(4)中的反射表面之间的干涉被强化。

    有机发光器件和显示装置

    公开(公告)号:CN101521262A

    公开(公告)日:2009-09-02

    申请号:CN200910006810.7

    申请日:2009-02-27

    Inventor: 长谷川利则

    Abstract: 本发明提供具有宽视角特性并使得能够实现优异的颜色再现的有机发光器件、以及包含所述有机发光器件的显示装置。在所述器件中,在相对于发射层形成于第一电极侧的第一反射表面和相对于发射层形成于第二电极侧的第二反射表面之间的光路被设为使发射层中发射的光共振,并且,具有相对短的光路L1的第一区域和具有相对长的光路L2的第二区域被设置,其中,L1和L2被设为与共振波长λ1、λ2和λ3、当光被第一反射表面和第二反射表面反射时的相移的和φt、以及视角α满足式1:(式1)λ1=2L1/(p-φt/2π),λ2=2L2/(q+1-φt/2π),λ3=2L2cosα/(q-φt/2π),λ1=λ2=λ3,其中,p和q各独立地表示正整数,且α不为0°。

    光电转换器件、测距装置和信息处理系统

    公开(公告)号:CN106449669A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610640179.6

    申请日:2016-08-05

    Abstract: 本发明涉及光电转换器件、测距装置和信息处理系统。一种光电转换器件包括:被配置为产生电子的第一光电转换部分;被配置为产生空穴的第二光电转换部分;包含被配置为收集产生的电子的n型第一半导体区域和被配置为收集产生的空穴的p型第二半导体区域的电荷-电压转换部分,电荷-电压转换部分被配置为将基于电子和空穴的电荷转换成电压;和被配置为产生与电压对应的信号的信号产生部分,信号产生部分包含放大晶体管。

    发光显示装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102077386B

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN200980124399.1

    申请日:2009-06-30

    CPC classification number: H01L51/5265 H01L51/5278

    Abstract: 在发光显示装置中,对于具有低的颜色纯度和低的发射效率的发射颜色实现优异的颜色再现性和高的亮度。要提高其颜色纯度和发射效率的电致发光层(3)作为第一层被层叠于基板(1)上并且被插入反射电极层(2)和半反射电极(4)之间,然后,从电致发光层(3)提取的光通过反射电极层(2)中的反射表面与半反射电极(4)中的反射表面之间的干涉被强化。

    显示装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102479799A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201110390533.1

    申请日:2011-11-30

    Inventor: 长谷川利则

    CPC classification number: H01L51/5265 H01L27/3211 H01L51/5275

    Abstract: 本申请提供一种显示装置,该显示装置具有高的发光效率和良好的显示性能。该显示装置包括多个像素,所述多个像素中的每一个包含有机发光器件,所述有机发光器件包含第一电极(11)、发光层(14、15、16)和第二电极(18),所述多个像素包含用于允许从发光层(14、15、16)发射的光的一部分在改变其出射方向的同时出射到外面的光学单元(20a),其中,在包含光学单元(20a)的多个像素中,发光层(14、15、16)与第一电极(11)之间的光学距离或发光层(14、15、16)与第二电极(18)之间的光学距离被设为预定值。

    光电转换器件、测距装置和信息处理系统

    公开(公告)号:CN106449669B

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:CN201610640179.6

    申请日:2016-08-05

    Abstract: 本发明涉及光电转换器件、测距装置和信息处理系统。一种光电转换器件包括:被配置为产生电子的第一光电转换部分;被配置为产生空穴的第二光电转换部分;包含被配置为收集产生的电子的n型第一半导体区域和被配置为收集产生的空穴的p型第二半导体区域的电荷‑电压转换部分,电荷‑电压转换部分被配置为将基于电子和空穴的电荷转换成电压;和被配置为产生与电压对应的信号的信号产生部分,信号产生部分包含放大晶体管。

    显示装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102479799B

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201110390533.1

    申请日:2011-11-30

    Inventor: 长谷川利则

    CPC classification number: H01L51/5265 H01L27/3211 H01L51/5275

    Abstract: 本申请提供一种显示装置,该显示装置具有高的发光效率和良好的显示性能。该显示装置包括多个像素,所述多个像素中的每一个包含有机发光器件,所述有机发光器件包含第一电极(11)、发光层(14、15、16)和第二电极(18),所述多个像素包含用于允许从发光层(14、15、16)发射的光的一部分在改变其出射方向的同时出射到外面的光学单元(20a),其中,在包含光学单元(20a)的多个像素中,发光层(14、15、16)与第一电极(11)之间的光学距离或发光层(14、15、16)与第二电极(18)之间的光学距离被设为预定值。

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