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公开(公告)号：CN100514426C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710086340.0
申请日：2007-03-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/325 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/043
Abstract: 提供了利用晶体管的磁滞特性驱动显示元件的像素电路和图像显示装置。该像素电路包括：提供分别从关状态过渡到开状态时和从开状态过渡到关状态时栅极电压值与漏极电流值之间的不同的第一和第二关系的晶体管；被提供有由晶体管控制的电流作为驱动电流的显示元件；及连接到晶体管栅极的电容器元件。第一和第二关系中的一个在用于设置要提供给显示元件的驱动电流的第一期间中使用。而第一和第二关系中的另一个在向显示元件提供驱动电流以进行发光的第二期间中使用。
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公开(公告)号：CN101057338A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200580038272.X
申请日：2005-11-09
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/51 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 提供了一种采用无定形氧化物的新颖的场效应晶体管。在本发明的实施例中，该晶体管包括含有浓度低于1×1018/cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层包括与该无定形氧化物接触的第一层和不同于第一层的第二层。
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公开(公告)号：CN1147005C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN99111477.9
申请日：1999-06-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0256 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022483 , H01L31/075 , H01L31/1824 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种光电元件，包括p型半导体层和由氧化铟锡构成的透明导电层，它们以面对面的方式结合在一起，其中，透明导电层的氧化锡含量与锡含量之和在层厚方向上变化，并在p型半导体层与透明导电层的结合面处达到最小值。由此提供的光电元件具有较高的光电转换效率，即使长时间暴露于强烈的光照之下，其光电转换效率的下降也极小。
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公开(公告)号：CN1231518A
公开(公告)日：1999-10-13
申请号：CN99105945.X
申请日：1999-03-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/04 , H01L31/0368 , H01L31/075 , H01L31/20 , H01L21/20
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/056 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 在包含微晶态半导体的半导体元件中,在微晶态晶粒内提供半导体结。而且在包含微晶态半导体的半导体元件中,提供不同直径的微晶态晶粒作为混合物,以便形成半导体层。因此,半导体结的不连续性得以改善,从而改善半导体元件的特性,耐用性,耐热性。半导体层中的变形也降低。
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公开(公告)号：CN1213187A
公开(公告)日：1999-04-07
申请号：CN98119801.5
申请日：1998-07-24
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 佐野政史
IPC: H01L31/04 , H01L31/0376 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1884 , C25D9/00 , C25D9/08 , H01L31/022483 , H01L31/03921 , H01L31/03926 , H01L31/044 , H01L31/048 , H01L31/056 , H01L31/076 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 提供一种光电器件,包括基体上按序迭层的背反射层,氧化锌层和半导体层,其中氧化锌层包括一种碳水化合物。碳水化合物含量优选范围为1μg/cm3－100mg/cm3。由此,氧化锌层可以无异常生长地形成,具有粗糙表面,以取得足够的光约束效应,光电器件在耐久性和光电转换效率方面得到了改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102593188B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210057047.2
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1233
Abstract: 本发明涉及反相器。所述反相器包括形成在基板上的多个氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述多个氧化物半导体薄膜晶体管之中的每一个包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，至少两个氧化物半导体薄膜晶体管的沟道层的厚度互不相同，以及所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压互不相同。
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公开(公告)号：CN102593188A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210057047.2
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1233
Abstract: 本发明涉及反相器。所述反相器包括形成在基板上的多个氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述多个氧化物半导体薄膜晶体管之中的每一个包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，至少两个氧化物半导体薄膜晶体管的沟道层的厚度互不相同，以及所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压互不相同。
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公开(公告)号：CN101681927B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200880015916.7
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1233
Abstract: 为了提供可被容易地制造的增强-耗尽(E/D)反相器，在本发明中，提供包含在同一基板上形成的、沟道层包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素的氧化物半导体的反相器的制造方法，该反相器是具有多个薄膜晶体管的E/D反相器，该制造方法的特征在于包括以下步骤：形成第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的沟道层的厚度互不相同；以及对于第一晶体管和第二晶体管的沟道层中的至少一个执行热处理。
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公开(公告)号：CN101506986B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200780031168.7
申请日：2007-07-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管包含有源层，所述有源层包含非晶氧化物半导体膜，所述非晶氧化物半导体膜包括In和Zn中的至少一种元素，所述制造方法包含如下步骤序列：第一步骤，形成所述非晶氧化物半导体膜；第二步骤，在氧化气氛中对所述非晶氧化物半导体膜进行退火；以及第三步骤，在所述非晶氧化物半导体膜上形成绝缘氧化物层。其特征在于：在氧化气氛中使用溅射来形成所述绝缘氧化物层。
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公开(公告)号：CN101960571A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107330.8
申请日：2009-03-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78633
Abstract: 在至少包括半导体的半导体元件的处理方法中，通过用波长比半导体的吸收边波长长的光照射半导体，改变半导体元件的阈值电压。半导体中的隙内状态的面密度为1013cm-2eV-1或更小。带隙可为2eV或更大。半导体可包括从由In、Ga、Zn和Sn构成的组中选择的至少一种。半导体可以是从由非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)、非晶In-Zn-O(IZO)和非晶Zn-Sn-O(ZTO)构成的组中选择的一种。光照射可在半导体元件中引起阈值电压偏移，该阈值电压偏移具有与由制造工艺历史、时间相关变化、电应力或热应力导致的阈值电压偏移相反的符号。
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