公开(公告)号：CN102623344B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201210074536.9

申请日：2007-11-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  加地信幸 ,  薮田久人

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明涉及底栅型薄膜晶体管、其制造方法及显示装置。提供一种底栅型薄膜晶体管的制造方法，其包括：在衬底上形成栅电极；形成第一绝缘膜和氧化物半导体层；对所述第一绝缘膜和所述氧化物半导体层进行构图；在包含氧化气体的气氛中形成第二绝缘膜；以及对所述第二绝缘膜进行构图，以覆盖所述氧化物半导体层的沟道区域的至少一部分。

公开(公告)号：CN101611474B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN200880005092.5

申请日：2008-02-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 薮田久人 ,  加地信幸 ,  林享

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/51 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种由氧化硅(Si)制成的非晶绝缘体膜，其中该非晶绝缘体膜包括Ar并且其中所包括的Ar的量相对Si的原子比为等于或大于3原子％。

公开(公告)号：CN101611474A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880005092.5

申请日：2008-02-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 薮田久人 ,  加地信幸 ,  林享

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/51 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种由氧化硅(Si)制成的非晶绝缘体膜，其中该非晶绝缘体膜包括Ar并且其中所包括的Ar的量相对Si的原子比为等于或大于3原子％。

公开(公告)号：CN102623344A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210074536.9

申请日：2007-11-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  加地信幸 ,  薮田久人

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明涉及底栅型薄膜晶体管、其制造方法及显示装置。提供一种底栅型薄膜晶体管的制造方法，其包括：在衬底上形成栅电极；形成第一绝缘膜和氧化物半导体层；对所述第一绝缘膜和所述氧化物半导体层进行构图；在包含氧化气体的气氛中形成第二绝缘膜；以及对所述第二绝缘膜进行构图，以覆盖所述氧化物半导体层的沟道区域的至少一部分。

公开(公告)号：CN102341912A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080009985.4

申请日：2010-03-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 薮田久人 ,  加地信幸 ,  林享

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 含有SnO的半导体膜的形成方法包括形成含SnO的膜的第一步骤；在该含SnO的膜上形成由氧化物或氮化物组成的绝缘膜以提供包括该含SnO的膜和该绝缘膜的层合膜的第二步骤；和对该层合膜进行热处理的第三步骤。

公开(公告)号：CN101305468B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200680041556.9

申请日：2006-11-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 饗场利明 ,  佐野政史 ,  加地信幸

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种包括有源层和栅绝缘膜的场效应晶体管，其中，有源层包含含有非晶区域和晶体区域的非晶氧化物层，并且，晶体区域在非晶氧化物层和栅绝缘膜之间的界面附近或与所述界面接触。

公开(公告)号：CN101809748B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880108322.0

申请日：2008-09-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  薮田久人 ,  立石禄则 ,  加地信幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种制造场效应晶体管的方法。场效应晶体管在基板上包括源电极、漏电极、氧化物半导体层、绝缘层和栅电极。所述方法包括在氧化物半导体层上形成绝缘层之后，通过在包含水分的气氛中退火增大氧化物半导体层的电导率的退火步骤。退火步骤的蒸汽压高于退火温度下大气中的饱和蒸汽压。

公开(公告)号：CN101506986B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200780031168.7

申请日：2007-07-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 板垣奈穗 ,  田透 ,  加地信幸 ,  林享 ,  佐野政史

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管包含有源层，所述有源层包含非晶氧化物半导体膜，所述非晶氧化物半导体膜包括In和Zn中的至少一种元素，所述制造方法包含如下步骤序列：第一步骤，形成所述非晶氧化物半导体膜；第二步骤，在氧化气氛中对所述非晶氧化物半导体膜进行退火；以及第三步骤，在所述非晶氧化物半导体膜上形成绝缘氧化物层。其特征在于：在氧化气氛中使用溅射来形成所述绝缘氧化物层。

公开(公告)号：CN101669208B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200880013223.4

申请日：2008-04-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 薮田久人 ,  远藤文德 ,  加地信幸 ,  林享

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 一种非晶氧化物半导体，含有按InxGayZnz的原子比从In、Ga和Zn中选择的至少一种元素，其中，所述非晶氧化物半导体的密度M由以下关系式(1)表示：M≥0.94×(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z) (1)其中：0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z≠0。

公开(公告)号：CN101809748A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200880108322.0

申请日：2008-09-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  薮田久人 ,  立石禄则 ,  加地信幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种制造场效应晶体管的方法。场效应晶体管在基板上包括源电极、漏电极、氧化物半导体层、绝缘层和栅电极。所述方法包括在氧化物半导体层上形成绝缘层之后，通过在包含水分的气氛中退火增大氧化物半导体层的电导率的退火步骤。退火步骤的蒸汽压高于退火温度下大气中的饱和蒸汽压。