公开(公告)号：CN101669208A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200880013223.4

申请日：2008-04-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 薮田久人 ,  远藤文德 ,  加地信幸 ,  林享

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 一种非晶氧化物半导体，含有按In x Ga y Zn z 的原子比从In、Ga和Zn中选择的至少一种元素，其中，所述非晶氧化物半导体的密度M由以下关系式(1)表示：M≥0.94×(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z) (1)其中：0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z≠0。

公开(公告)号：CN101669208B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200880013223.4

申请日：2008-04-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 薮田久人 ,  远藤文德 ,  加地信幸 ,  林享

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 一种非晶氧化物半导体，含有按InxGayZnz的原子比从In、Ga和Zn中选择的至少一种元素，其中，所述非晶氧化物半导体的密度M由以下关系式(1)表示：M≥0.94×(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z) (1)其中：0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z≠0。