公开(公告)号：CN101305468A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680041556.9

申请日：2006-11-01

申请人： 佳能株式会社

发明人： 饗场利明 ,  佐野政史 ,  加地信幸

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 提供一种包括有源层和栅绝缘膜的场效应晶体管，其中，有源层包含含有非晶区域和晶体区域的非晶氧化物层，并且，晶体区域在非晶氧化物层和栅绝缘膜之间的界面附近或与所述界面接触。

公开(公告)号：CN101305468B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200680041556.9

申请日：2006-11-01

申请人： 佳能株式会社

发明人： 饗场利明 ,  佐野政史 ,  加地信幸

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 提供一种包括有源层和栅绝缘膜的场效应晶体管，其中，有源层包含含有非晶区域和晶体区域的非晶氧化物层，并且，晶体区域在非晶氧化物层和栅绝缘膜之间的界面附近或与所述界面接触。

公开(公告)号：CN103283051A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201180064223.9

申请日：2011-12-22

申请人： 佳能株式会社

发明人： 岛田干夫 ,  饗场利明 ,  伊福俊博 ,  松田坚义 ,  渡边隆之

IPC分类号： H01L41/187

CPC分类号： H01L41/1871 ,  B08B7/028 ,  B41J2/14233 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/43 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163

摘要： 提供具有更高的压电常数的压电元件，并且还提供分别使用以上的压电元件的液体排出头、超声马达和灰尘去除装置。压电元件至少包含一对电极和被设置为与所述一对电极接触的压电材料，压电材料由以钛酸钡以主要成分的晶粒的集合体形成，并且，在集合体的晶粒之中，至少与电极接触的晶粒在粒内具有位错层。液体排出头、超声马达和灰尘去除装置分别使用以上的压电元件。

公开(公告)号：CN101308777B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810099248.2

申请日：2008-05-15

申请人： 佳能株式会社

发明人： 元井泰子 ,  玉森研尔 ,  王诗男 ,  奥贯昌彦 ,  小野治人 ,  饗场利明 ,  吉松伸起

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  B81C1/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31144

摘要： 本发明提供了纳米结构和纳米结构的制造方法。该纳米结构的制造方法制造在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构以及具有高深宽比和纳米量级的图案的纳米结构。在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构，其中，所述纳米结构被配置成在图案的表面上包含Ga或In，并且Ga或In的浓度最大值位于在衬底深度方向上的图案表面的50nm内。此外，其制造方法被配置成使得通过使用聚焦的Ga离子束或In离子束照射含Si衬底的表面，并且在溅离衬底的表面的同时注入Ga离子或In离子，并且在衬底表面上形成含Ga或In的层，并且通过使用该层作为蚀刻掩模来进行干法蚀刻。

公开(公告)号：CN103283051B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180064223.9

申请日：2011-12-22

申请人： 佳能株式会社

发明人： 岛田干夫 ,  饗场利明 ,  伊福俊博 ,  松田坚义 ,  渡边隆之

IPC分类号： H01L41/187

CPC分类号： H01L41/1871 ,  B08B7/028 ,  B41J2/14233 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/43 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163

摘要： 提供具有更高的压电常数的压电元件，并且还提供分别使用以上的压电元件的液体排出头、超声马达和灰尘去除装置。压电元件至少包含一对电极和被设置为与所述一对电极接触的压电材料，压电材料由以钛酸钡以主要成分的晶粒的集合体形成，并且，在集合体的晶粒之中，至少与电极接触的晶粒在粒内具有位错层。液体排出头、超声马达和灰尘去除装置分别使用以上的压电元件。

公开(公告)号：CN101308777A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810099248.2

申请日：2008-05-15

申请人： 佳能株式会社

发明人： 元井泰子 ,  玉森研尔 ,  王诗男 ,  奥贯昌彦 ,  小野治人 ,  饗场利明 ,  吉松伸起

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  B81C1/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31144

摘要： 本发明提供了纳米结构和纳米结构的制造方法。该纳米结构的制造方法制造在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构以及具有高深宽比和纳米量级的图案的纳米结构。在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构，其中，所述纳米结构被配置成在图案的表面上包含Ga或In，并且Ga或In的浓度最大值位于在衬底深度方向上的图案表面的50nm内。此外，其制造方法被配置成使得通过使用聚焦的Ga离子束或In离子束照射含Si衬底的表面，并且在溅离衬底的表面的同时注入Ga离子或In离子，并且在衬底表面上形成含Ga或In的层，并且通过使用该层作为蚀刻掩模来进行干法蚀刻。