公开(公告)号：CN101308777B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810099248.2

申请日：2008-05-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 元井泰子 ,  玉森研尔 ,  王诗男 ,  奥贯昌彦 ,  小野治人 ,  饗场利明 ,  吉松伸起

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供了纳米结构和纳米结构的制造方法。该纳米结构的制造方法制造在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构以及具有高深宽比和纳米量级的图案的纳米结构。在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构，其中，所述纳米结构被配置成在图案的表面上包含Ga或In，并且Ga或In的浓度最大值位于在衬底深度方向上的图案表面的50nm内。此外，其制造方法被配置成使得通过使用聚焦的Ga离子束或In离子束照射含Si衬底的表面，并且在溅离衬底的表面的同时注入Ga离子或In离子，并且在衬底表面上形成含Ga或In的层，并且通过使用该层作为蚀刻掩模来进行干法蚀刻。

公开(公告)号：CN101308777A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810099248.2

申请日：2008-05-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 元井泰子 ,  玉森研尔 ,  王诗男 ,  奥贯昌彦 ,  小野治人 ,  饗场利明 ,  吉松伸起

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供了纳米结构和纳米结构的制造方法。该纳米结构的制造方法制造在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构以及具有高深宽比和纳米量级的图案的纳米结构。在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构，其中，所述纳米结构被配置成在图案的表面上包含Ga或In，并且Ga或In的浓度最大值位于在衬底深度方向上的图案表面的50nm内。此外，其制造方法被配置成使得通过使用聚焦的Ga离子束或In离子束照射含Si衬底的表面，并且在溅离衬底的表面的同时注入Ga离子或In离子，并且在衬底表面上形成含Ga或In的层，并且通过使用该层作为蚀刻掩模来进行干法蚀刻。

公开(公告)号：CN101809501A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200880108632.2

申请日：2008-08-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 奥岛真吾 ,  关淳一 ,  小野治人 ,  中辻七朗

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  Y10T428/24479

Abstract: 在压印方法中，多次重复将模子的图案压印到基板上的树脂材料上来形成图案的步骤。该压印方法包括：准备在未形成图案的位置含遮光部件的模子；通过包括使模子与设置在基板上的可光致固化的树脂材料接触、经由光照射来固化可光致固化的树脂材料而形成第一处理区域、和去除可光致固化的树脂材料的从第一处理区域伸出到在第一处理区域的外围的外部区域中的部分的步骤来第一次形成图案；和通过包含使模子与设置在包括外部区域并邻近第一处理区域的区域中的基板上的可光致固化的树脂材料接触、在该区域中固化可光致固化的树脂材料而形成第二处理区域、和在第二处理区域的外围去除可光致固化的树脂材料的从第二处理区域伸出的部分的步骤来第二次形成图案。

公开(公告)号：CN101765809A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200880100985.8

申请日：2008-08-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 奥岛真吾 ,  关淳一 ,  小野治人 ,  中辻七朗 ,  寺崎敦则

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B29C33/424 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种用于将模具的图案压印到基板上的树脂材料上的压印方法包括：通过使模具与在基板上形成的树脂材料相接触而形成第一处理区域和在第一处理区域的周边的树脂材料的外侧区域的步骤，其中在所述第一处理区域中形成与模具的图案相对应的压印图案；在第一处理区域上形成用于保护第一处理区域的第一保护层的步骤；以及在第一处理区域中的树脂材料层上形成的压印图案受到第一保护层保护从而不被去除的同时去除外侧区域中的树脂材料层的步骤。

公开(公告)号：CN101765809B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200880100985.8

申请日：2008-08-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 奥岛真吾 ,  关淳一 ,  小野治人 ,  中辻七朗 ,  寺崎敦则

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B29C33/424 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种用于将模具的图案压印到基板上的树脂材料上的压印方法包括：通过使模具与在基板上形成的树脂材料相接触而形成第一处理区域和在第一处理区域的周边的树脂材料的外侧区域的步骤，其中在所述第一处理区域中形成与模具的图案相对应的压印图案；在第一处理区域上形成用于保护第一处理区域的第一保护层的步骤；以及在第一处理区域中的树脂材料层上形成的压印图案受到第一保护层保护从而不被去除的同时去除外侧区域中的树脂材料层的步骤。

公开(公告)号：CN100338719C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200410007276.9

申请日：2004-02-27

Applicant: 佳能株式会社 ,  株式会社日立高新技术

Inventor： 小野治人 ,  赤池正刚 ,  玉森研尔 ,  广濑太 ,  小山泰史 ,  寺崎敦则 ,  长永兼一 ,  中山义则

IPC: H01J37/04 ,  G03G15/04 ,  G03G15/043

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/0437

Abstract: 偏转器备有具有多个贯通口、和用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片(400)、和为了在电极基片的各电极对上个别地加上电压，具有与各电极对连接的连接配线焊点的配线基片(500)，通过配线基片的连接配线焊点，接合地形成电极基片和配线基片。

公开(公告)号：CN1525259A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410007276.9

申请日：2004-02-27

Applicant: 佳能株式会社 ,  株式会社日立高新技术

Inventor： 小野治人 ,  赤池正刚 ,  玉森研尔 ,  广濑太 ,  小山泰史 ,  寺崎敦则 ,  长永兼一 ,  中山义则

IPC: G03G15/04 ,  G03G15/043

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/0437

Abstract: 偏转器备有具有多个贯通口、和用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片(400)、和为了在电极基片的各电极对上个别地加上电压，具有与各电极对连接的连接配线焊点的配线基片(500)，通过配线基片的连接配线焊点，接合地形成电极基片和配线基片。