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公开(公告)号：CN100338719C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200410007276.9
申请日：2004-02-27
Applicant: 佳能株式会社 , 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/04 , G03G15/04 , G03G15/043
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/045 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/0437
Abstract: 偏转器备有具有多个贯通口、和用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片(400)、和为了在电极基片的各电极对上个别地加上电压，具有与各电极对连接的连接配线焊点的配线基片(500)，通过配线基片的连接配线焊点，接合地形成电极基片和配线基片。
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公开(公告)号：CN1525259A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410007276.9
申请日：2004-02-27
Applicant: 佳能株式会社 , 株式会社日立高新技术
IPC: G03G15/04 , G03G15/043
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/045 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/0437
Abstract: 偏转器备有具有多个贯通口、和用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片(400)、和为了在电极基片的各电极对上个别地加上电压，具有与各电极对连接的连接配线焊点的配线基片(500)，通过配线基片的连接配线焊点，接合地形成电极基片和配线基片。
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公开(公告)号：CN101308777B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810099248.2
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L21/3083 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供了纳米结构和纳米结构的制造方法。该纳米结构的制造方法制造在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构以及具有高深宽比和纳米量级的图案的纳米结构。在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构，其中，所述纳米结构被配置成在图案的表面上包含Ga或In，并且Ga或In的浓度最大值位于在衬底深度方向上的图案表面的50nm内。此外，其制造方法被配置成使得通过使用聚焦的Ga离子束或In离子束照射含Si衬底的表面，并且在溅离衬底的表面的同时注入Ga离子或In离子，并且在衬底表面上形成含Ga或In的层，并且通过使用该层作为蚀刻掩模来进行干法蚀刻。
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公开(公告)号：CN102037545A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200980118823.1
申请日：2009-05-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0265 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639
Abstract: 一种包含氮化物半导体层的结构，具有下述构造，其中：所述结构包括基于至少两个氮化物半导体层的层叠结构；所述结构在所述层叠结构中的两个氮化物半导体层之间包括多个空隙，所述多个空隙由包括在作为所述两个氮化物半导体层的下层的氮化物半导体层上形成的凹凸图案的凹陷部分的内壁的壁的面围绕；并且，在形成所述空隙的所述凹陷部分的内壁的至少一部分上形成用于抑制氮化物半导体层的横向生长的包含结晶缺陷的部分。
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公开(公告)号：CN101308777A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810099248.2
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L21/3083 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供了纳米结构和纳米结构的制造方法。该纳米结构的制造方法制造在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构以及具有高深宽比和纳米量级的图案的纳米结构。在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构，其中，所述纳米结构被配置成在图案的表面上包含Ga或In，并且Ga或In的浓度最大值位于在衬底深度方向上的图案表面的50nm内。此外，其制造方法被配置成使得通过使用聚焦的Ga离子束或In离子束照射含Si衬底的表面，并且在溅离衬底的表面的同时注入Ga离子或In离子，并且在衬底表面上形成含Ga或In的层，并且通过使用该层作为蚀刻掩模来进行干法蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105319704B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201510381234.X
申请日：2015-07-02
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及可变形镜及其制造方法、眼科装置以及自适应光学系统。提供了一种实现可变形镜的技术，所述可变形镜使用具有梳状电极结构的致动器，该可变形镜可以被相对容易地制造，并且可以在垂直于镜参考平面的两个(±)方向上移位。可变形镜(100)包括：镜基底(111)，包括反射面(110)；以及致动器(101)，包括第一致动器和第二致动器。多个致动器中的每一个经由连接部(121)连接到镜基底。第一致动器具有用于使连接部在与反射面垂直的第一方向上移位的、梳状电极结构的第一电极对(104、105)。第二致动器具有用于使连接部在与第一方向相反的第二方向上移位的、梳状电极结构的第二电极对(108、109)，第二电极对与第一电极对分开形成。
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公开(公告)号：CN105676446A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510882420.1
申请日：2015-12-04
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G02B26/0841 , G02B26/06
Abstract: 一种可变形镜、包括可变形镜的光学系统以及眼科装置。设置安装基板(第三基板)，以便面对具有较大投影面积的镜基板(第二基板)，所述镜基板在致动器基板与镜基板在与反射构件的面内方向平行的面内方向(XY方向)上彼此不交叠的区域中接合到安装基板。
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公开(公告)号：CN102076428A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980124101.7
申请日：2009-06-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B06B1/02
CPC classification number: H01L23/5226 , B06B1/0292 , B81B2201/0257 , H01L21/76898 , H01L27/1203 , H01L29/84 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种元件阵列，包括多个具有第一电极和第二电极的元件，在第一电极和第二电极之间具有空隙；通过凹槽对于每个元件分离第一电极，绝缘的连接衬底与第一电极接合，以及从对于每个元件分离的各个第一电极中的每一个第一电极穿过连接衬底到与第一电极相对的一侧地形成布线。
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公开(公告)号：CN119369832A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410985812.X
申请日：2024-07-23
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 液体储存容器和液体喷射设备，液体储存容器包括：储存液体的多个液体储存部分；以及多个出口，液体通过所述多个出口分别从所述多个液体储存部分中被分配出来，其中，在包括与液体储存部分的出口连接的连接表面的所述多个液体储存部分的第一表面上，满足A/B>1，其中通过相邻出口的中心的中心线与液体储存部分的区域相交的点的中点之间的排列间距为A，并且所述相邻出口之间的排列间距为B。
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公开(公告)号：CN105319704A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510381234.X
申请日：2015-07-02
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G02B26/0841 , A61B3/1025 , A61B3/14
Abstract: 本发明涉及可变形镜及其制造方法、眼科装置以及自适应光学系统。提供了一种实现可变形镜的技术，所述可变形镜使用具有梳状电极结构的致动器，该可变形镜可以被相对容易地制造，并且可以在垂直于镜参考平面的两个(±)方向上移位。可变形镜(100)包括：镜基底(111)，包括反射面(110)；以及致动器(101)，包括第一致动器和第二致动器。多个致动器中的每一个经由连接部(121)连接到镜基底。第一致动器具有用于使连接部在与反射面垂直的第一方向上移位的、梳状电极结构的第一电极对(104、105)。第二致动器具有用于使连接部在与第一方向相反的第二方向上移位的、梳状电极结构的第二电极对(108、109)，第二电极对与第一电极对分开形成。
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