公开(公告)号：CN101308777B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810099248.2

申请日：2008-05-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 元井泰子 ,  玉森研尔 ,  王诗男 ,  奥贯昌彦 ,  小野治人 ,  饗场利明 ,  吉松伸起

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供了纳米结构和纳米结构的制造方法。该纳米结构的制造方法制造在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构以及具有高深宽比和纳米量级的图案的纳米结构。在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构，其中，所述纳米结构被配置成在图案的表面上包含Ga或In，并且Ga或In的浓度最大值位于在衬底深度方向上的图案表面的50nm内。此外，其制造方法被配置成使得通过使用聚焦的Ga离子束或In离子束照射含Si衬底的表面，并且在溅离衬底的表面的同时注入Ga离子或In离子，并且在衬底表面上形成含Ga或In的层，并且通过使用该层作为蚀刻掩模来进行干法蚀刻。

公开(公告)号：CN101308777A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810099248.2

申请日：2008-05-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 元井泰子 ,  玉森研尔 ,  王诗男 ,  奥贯昌彦 ,  小野治人 ,  饗场利明 ,  吉松伸起

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供了纳米结构和纳米结构的制造方法。该纳米结构的制造方法制造在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构以及具有高深宽比和纳米量级的图案的纳米结构。在含Si衬底的表面上形成的具有深度为2μm或更大的图案的纳米结构，其中，所述纳米结构被配置成在图案的表面上包含Ga或In，并且Ga或In的浓度最大值位于在衬底深度方向上的图案表面的50nm内。此外，其制造方法被配置成使得通过使用聚焦的Ga离子束或In离子束照射含Si衬底的表面，并且在溅离衬底的表面的同时注入Ga离子或In离子，并且在衬底表面上形成含Ga或In的层，并且通过使用该层作为蚀刻掩模来进行干法蚀刻。