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公开(公告)号：CN101772797B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200880102084.2
申请日：2008-07-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/3258 , G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/043
Abstract: 为了抑制在TFT的使用中电应力对TFT特性的影响，根据本发明的发光显示装置包括有机EL器件和用于驱动该有机EL器件的驱动电路。该驱动电路包括：多个像素，每个像素具有薄膜晶体管，该薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而可逆地改变；和电压施加单元，其将该薄膜晶体管的栅极电位设定为高于源极电位。该电压施加单元在该薄膜晶体管未被驱动时将电应力施加在该栅极端和该源极端之间，以便于在阈值电压相对于电应力饱和的区域中驱动该薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN101861615A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200880116671.7
申请日：2008-11-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G09G3/32 , H03K19/094
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 一种发光显示装置包含多个像素。每个像素包含发光元件和发光元件的驱动电路，并且驱动电路包含并联连接的多个薄膜晶体管，薄膜晶体管的阈值电压根据在薄膜晶体管中的每一个的栅极和源极之间或栅极和漏极之间施加的电压而可逆地变化，在所述发光显示装置中，通过选择并切换多个薄膜晶体管TFT11至TFT13，用于向发光元件供给电流的薄膜晶体管的阈值电压被保持在预定范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101266751A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810083579.7
申请日：2008-03-12
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/0417 , G09G2300/043 , G09G2300/0819 , G09G2300/0861 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 一种用于发光显示设备的驱动电路，其包括具有发光器件和驱动晶体管的像素电路，所述发光器件用于发出具有基于所提供的电流而确定的亮度的光，所述驱动晶体管用于向发光器件提供所述电流，所述驱动电路包括：阈值校正电路，用于把第二信号转换为第三信号以便向像素电路输出转换后的第三信号，所述第二信号包括驱动晶体管的阈值电压和数据电压，当包括数据电压的第一信号输入到所述驱动晶体管的控制电极时，从所述驱动晶体管输出所述第二电压，所述第三信号包括极性反转的阈值电压、和数据电压或者与数据电压相对应的电压。所述像素电路包括用于向所述驱动晶体管的所述控制电极提供第三信号的开关。
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公开(公告)号：CN101960571B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200980107330.8
申请日：2009-03-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78633
Abstract: 在至少包括半导体的半导体元件的处理方法中，通过用波长比半导体的吸收边波长长的光照射半导体，改变半导体元件的阈值电压。半导体中的隙内状态的面密度为1013cm-2eV-1或更小。带隙可为2eV或更大。半导体可包括从由In、Ga、Zn和Sn构成的组中选择的至少一种。半导体可以是从由非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)、非晶In-Zn-O(IZO)和非晶Zn-Sn-O(ZTO)构成的组中选择的一种。光照射可在半导体元件中引起阈值电压偏移，该阈值电压偏移具有与由制造工艺历史、时间相关变化、电应力或热应力导致的阈值电压偏移相反的符号。
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公开(公告)号：CN101772797A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880102084.2
申请日：2008-07-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/3258 , G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/043
Abstract: 为了抑制在TFT的使用中电应力对TFT特性的影响，根据本发明的发光显示装置包括有机EL器件和用于驱动该有机EL器件的驱动电路。该驱动电路包括：多个像素，每个像素具有薄膜晶体管，该薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而可逆地改变；和电压施加单元，其将该薄膜晶体管的栅极电位设定为高于源极电位。该电压施加单元在该薄膜晶体管未被驱动时将电应力施加在该栅极端和该源极端之间，以便于在阈值电压相对于电应力饱和的区域中驱动该薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN101960571A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107330.8
申请日：2009-03-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78633
Abstract: 在至少包括半导体的半导体元件的处理方法中，通过用波长比半导体的吸收边波长长的光照射半导体，改变半导体元件的阈值电压。半导体中的隙内状态的面密度为1013cm-2eV-1或更小。带隙可为2eV或更大。半导体可包括从由In、Ga、Zn和Sn构成的组中选择的至少一种。半导体可以是从由非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)、非晶In-Zn-O(IZO)和非晶Zn-Sn-O(ZTO)构成的组中选择的一种。光照射可在半导体元件中引起阈值电压偏移，该阈值电压偏移具有与由制造工艺历史、时间相关变化、电应力或热应力导致的阈值电压偏移相反的符号。
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公开(公告)号：CN101266751B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200810083579.7
申请日：2008-03-12
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/0417 , G09G2300/043 , G09G2300/0819 , G09G2300/0861 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 一种用于发光显示设备的驱动电路，其包括具有发光器件和驱动晶体管的像素电路，所述发光器件用于发出具有基于所提供的电流而确定的亮度的光，所述驱动晶体管用于向发光器件提供所述电流，所述驱动电路包括：阈值校正电路，用于把第二信号转换为第三信号以便向像素电路输出转换后的第三信号，所述第二信号包括驱动晶体管的阈值电压和数据电压，当包括数据电压的第一信号输入到所述驱动晶体管的控制电极时，从所述驱动晶体管输出所述第二电压，所述第三信号包括极性反转的阈值电压、和数据电压或者与数据电压相对应的电压。所述像素电路包括用于向所述驱动晶体管的所述控制电极提供第三信号的开关。
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