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公开(公告)号：CN106661758A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580042702.9
申请日：2015-08-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , C01B31/06 , C01B32/25 , C23C14/48 , C23C16/01 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/27 , C23C16/56 , C30B25/20 , C30B29/04 , C30B31/22 , C30B33/00 , C30B33/06
Abstract: 本发明提供：一种制造金刚石的方法，所述方法能够在短时间内将所述金刚石与基板分离并且使得所述基板和所述金刚石各自的分离表面平坦；一种通过所述制造金刚石的方法获得的金刚石；和使用所述金刚石的金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具。一种通过气相合成法制造金刚石的方法，其包括如下步骤：准备包含金刚石籽晶的基板；通过对所述基板实施离子注入而在自所述基板的主表面起算的预定深度处形成透光性比所述基板低的光吸收层；通过所述气相合成法在所述基板的所述主表面上生长金刚石层；和通过从所述金刚石层和所述基板中的至少一者的主表面施加光以使所述光吸收层吸收光并造成所述光吸收层破碎，从而将所述金刚石层与所述基板分离。
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公开(公告)号：CN106460226A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580032164.5
申请日：2015-07-14
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C30B29/04 , C01B32/25 , C30B25/186 , C30B25/20
Abstract: 本发明提供单晶金刚石、制造所述单晶金刚石的方法以及包含所述金刚石的工具，所述单晶金刚石以均衡方式提高了硬度和耐缺损性。单晶金刚石含有氮原子，且所述单晶金刚石中的孤立置换型氮原子的数目对所述单晶金刚石中的氮原子总数之比为0.02％以上且低于40％。
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公开(公告)号：CN1331235C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03814068.3
申请日：2003-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02494 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/041 , H01L29/66022 , H01L29/66037
Abstract: 加工金刚石{100}面单晶基板(10)，形成金刚石{111}面后，一边在金刚石{111}面上掺杂n型掺杂剂一边使金刚石外延生长，形成n型金刚石外延层(20)。而且通过将上述方式得到的n型半导体金刚石和p型半导体金刚石、和未掺杂金刚石加以组合，采用p型半导体金刚石{100}面单晶基板等，可以得到pn结型、pnp结型、npn结型及pin结型半导体金刚石。
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公开(公告)号：CN1883052A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480033959.X
申请日：2004-11-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/1602
Abstract: 本发明涉及在较大的温度范围中充分降低载流子浓度的变化量的金刚石n型半导体等。该金刚石n型半导体，具备金刚石基板和在其主面上形成的被判定为n型的金刚石半导体。该金刚石半导体，在被判定为n型的温度区域内的一部分温度中，载流子浓度(电子浓度)的温度依存性显示负的相互关系的同时，霍尔系数的温度依存性显示正的相互关系。具有这种特性的金刚石n型半导体，例如可以通过一边将施主元素以外的杂质元素导入金刚石基板，一边形成大量掺入施主元素的金刚石半导体后获得。
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公开(公告)号：CN1708834A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380100646.7
申请日：2003-12-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/265 , C30B29/04
Abstract: 本发明制备n－型半导体金刚石的方法的特征在于，通过向结合有10ppm或以上N的单晶金刚石中注入Li离子，使得其中含有10ppm的Li离子，来制备结合有Li和N的金刚石，或者，在用Li和N离子掺杂单晶金刚石的过程中，注入离子，使得在后注入Li和N浓度各为10ppm或以上处的离子注入深度将会重叠，来制备结合有Li和N的金刚石，然后在800℃或以上至低于1800℃的温度退火金刚石，以电激活Li和N且恢复金刚石的晶体结构。在本发明中，n－型半导体金刚石在从晶体面至相同的深度结合了各为10ppm或以上的Li和N，其中其薄层电阻为107Ω/□或更低。
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公开(公告)号：CN110325869B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201880012808.8
申请日：2018-02-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G01R33/02
Abstract: 一种金刚石磁传感器，所述金刚石磁传感器包括：金刚石，所述金刚石包含至少一个NV—中心；微波发生器，所述微波发生器向所述金刚石发射微波；激发光发生器，所述激发光发生器向所述金刚石的NV—中心发射激发光；以及荧光传感器，所述荧光传感器接收从所述金刚石的NV—中心产生的荧光，所述荧光金刚石磁传感器包括模式测量装置，所述模式测量装置基于由所述荧光传感器感测的荧光强度的变化来测量磁场强度的时间变化模式。
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公开(公告)号：CN111133134B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201880060767.X
申请日：2018-09-14
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 本发明涉及一种单晶金刚石，所述单晶金刚石包含：在观察表面中观察到的杂质总浓度不同的n种类型的区域，所述观察表面与(110)面平行并且具有不大于5μm的表面粗糙度Ra，所述观察表面是通过对所述单晶金刚石的表面进行研磨而得到的，其中n为2或3。所述n种类型的区域各自具有不小于0.1μm2的面积。在所述观察表面上的第一条线、第二条线和第三条线中的至少一条与所述n种类型的区域之间的边界交叉至少四次。所述第一条线、所述第二条线和所述第三条线是与 方向平行并且具有1mm长度的线段。所述第一条线的中点对应于所述观察表面的重心。所述第二条线的中点对应于在 方向上距所述重心300μm的点。所述第三条线的中点对应于在 方向上距所述重心300μm的点。
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公开(公告)号：CN107109691B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201680006136.0
申请日：2016-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 在单晶金刚石材料中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石材料具有偏角为20°以下的晶体生长主表面。在单晶金刚石芯片中，非置换型氮原子的浓度可以为200ppm以下，置换型氮原子的浓度可以低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石芯片可以具有偏角为20°以下的主表面。一种穿孔工具，其包含单晶金刚石拉丝模，其中在所述单晶金刚石拉丝模中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石拉丝模具有由‑5以上且5以下的整数密勒指数表示的低指数面，所述低指数面的垂线相对于拉丝用孔的取向的偏角为20°以下。
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公开(公告)号：CN111032931A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880052809.5
申请日：2018-08-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 这种含有固体碳的材料的加工体的制造方法包括：准备所述含有固体碳的材料的步骤，所述含有固体碳的材料至少具有由固体碳构成的表面；和加工所述含有固体碳的材料的步骤。加工所述含有固体碳的材料的步骤包括：通过对所述含有固体碳的材料的所述表面中的所述固体碳进行热处理而形成非金刚石碳的子步骤；和去除所述非金刚石碳的至少一部分的子步骤。
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