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公开(公告)号：CN115698392A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180039794.0
申请日：2021-05-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种合成单晶金刚石，其是包含100ppm以上且1500ppm以下的氮原子的合成单晶金刚石，其中，所述合成单晶金刚石包含聚集体，所述聚集体由一个空穴和与所述空穴相邻地存在的两个至四个中的任一数量的氮原子构成，所述合成单晶金刚石的{001}面中的 方向上的努氏压痕的对角线中的、短的一方的对角线的长度b与长的一方的对角线的长度a之比b/a为0.08以下，所述努氏压痕是依据JIS Z 2251：2009，在温度为23℃±5℃以及试验载荷为4.9N的条件下，对所述合成单晶金刚石的{001}面内的 方向上的努氏硬度进行测定而形成的。
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公开(公告)号：CN116981802A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202280020425.1
申请日：2022-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种单晶金刚石，其中，X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下，所述X射线衍射摇摆曲线的半值宽度按照以下方式进行测定：在基于双晶法的X射线衍射中，第一晶体使用金刚石晶体，(004)面平行配置，通过CuKα射线进行测定，拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下，蚀坑密度为10000个/cm2以下，所述蚀坑密度通过蚀刻实验来测定，氮的原子数基准的含有率为大于0.1ppm且50ppm以下。
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公开(公告)号：CN117480284A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280042116.4
申请日：2022-05-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种合成单晶金刚石，所述合成单晶金刚石是以原子数基准计包含50ppm以上且1200ppm以下的浓度的氮原子的合成单晶金刚石，其中，所述合成单晶金刚石的红外吸收光谱在波数1460cm‑1以上且1470cm‑1以下的范围内具有吸收信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115698393A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180040021.4
申请日：2021-05-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种合成单晶金刚石，其是按原子数基准计以100ppm以上且1500ppm以下的浓度包含氮原子的合成单晶金刚石，其中，所述合成单晶金刚石包含聚集体，所述聚集体由一个空穴和与所述空穴相邻地存在的三个取代型氮原子构成，所述合成单晶金刚石的一阶拉曼散射光谱中的峰的拉曼位移λ’cm‑1与按原子数基准计以1ppm以下的浓度包含氮原子的合成IIa型单晶金刚石的一阶拉曼散射光谱中的峰的拉曼位移λcm‑1示出下述式1的关系，λ’‑λ≥0式1。
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公开(公告)号：CN116997689A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280020013.8
申请日：2022-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种单晶金刚石，其中，X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下，拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下，蚀坑密度为10000个/cm2以下，氮的原子数基准的含有率为0.0001ppm以上且0.1ppm以下，13C的原子数基准的含有率小于0.01％。
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公开(公告)号：CN116964258A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280020017.6
申请日：2022-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种单晶金刚石，其中，X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下，拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下，蚀坑密度为10000个/cm2以下，氮的原子数基准的含有率为0.0001ppm以上且0.1ppm以下，13C的原子数基准的含有率为0.01％以上且1.0％以下。
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公开(公告)号：CN118103688A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280069324.3
申请日：2022-10-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G01N3/56
Abstract: 一种接触件，是通过由多个金刚石颗粒构成的多晶金刚石构成的圆环状的接触件，其中，所述接触件构成为供旋转轴贯穿中心，所述接触件具备：第一部分，沿径向具有恒定的厚度且包含内端部；以及第二部分，具有沿径向减小的厚度且包含外端部，所述第二部分具有：第一面，与所述第一部分的上表面连续；第二面，与所述第一部分的下表面连续；以及连接面，将所述第一面与所述第二面连接并包含所述外端部，在沿着所述旋转轴的剖面中，表示所述第一面的第一线段与表示所述第二面的第二线段所成的角度θ为100°以上且150°以下，作为所述第一面与所述连接面的边界的第一边界部和作为所述第二面与所述连接面的边界的第二边界部之间的长度为1μm以上且10μm以下，从所述旋转轴到所述外端部的长度为0.5mm以上且5mm以下，所述多个金刚石颗粒的平均粒径为10nm以上且300nm以下。
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公开(公告)号：CN117500961A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280042140.8
申请日：2022-05-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种合成单晶金刚石，所述合成单晶金刚石以原子数基准计包含50ppm以上且1000ppm以下的浓度的氮原子，其中，所述合成单晶金刚石包含由一个空位和与所述空位相邻地存在的两个取代型氮原子构成的聚集体，所述合成单晶金刚石的第二努普压痕的长的一方的对角线的长度b相对于第一努普压痕的长的一方的对角线的长度a之比b/a为0.90以下，所述第一努普压痕是在所述合成单晶金刚石的{110}面中的 方向上，依据JIS Z 2251：2009，在温度为23℃±5℃、以及试验载荷为4.9N的条件下将努普压头压入的状态下，形成于所述合成单晶金刚石的表面的压痕，所述第二努普压痕是在解除所述试验载荷后残留在所述合成单晶金刚石的表面的努普压痕。
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