公开(公告)号：CN116997688A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280019664.5

申请日：2022-02-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  西林良树 ,  左亦康 ,  李真和 ,  寺本三记 ,  小林丰

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种单晶金刚石，其中，所述单晶金刚石的每单位厚度的相位差的平均为10nm/mm以下，所述相位差的标准偏差为5nm/mm以下。

公开(公告)号：CN117015635A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280019692.7

申请日：2022-03-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  西林良树 ,  左亦康 ,  李真和 ,  寺本三记 ,  小林丰

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种单晶金刚石，其中，所述单晶金刚石的氮的原子数基准的含有率为大于0.1ppm且50ppm以下，所述单晶金刚石的硼的原子数基准的含有率为0.1ppm以下，所述单晶金刚石的每单位厚度的相位差的平均为20nm/mm以下，所述相位差的标准偏差为10nm/mm以下。

公开(公告)号：CN116981802A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280020425.1

申请日：2022-03-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 左亦康 ,  李真和 ,  西林良树 ,  寺本三记 ,  小林丰 ,  角谷均

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种单晶金刚石，其中，X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下，所述X射线衍射摇摆曲线的半值宽度按照以下方式进行测定：在基于双晶法的X射线衍射中，第一晶体使用金刚石晶体，(004)面平行配置，通过CuKα射线进行测定，拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下，蚀坑密度为10000个/cm2以下，所述蚀坑密度通过蚀刻实验来测定，氮的原子数基准的含有率为大于0.1ppm且50ppm以下。

公开(公告)号：CN116981801A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280019663.0

申请日：2022-03-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  左亦康 ,  李真和 ,  寺本三记 ,  小林丰 ,  角谷均

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种单晶金刚石，其中，该单晶金刚石具有与生长主面平行的生长条纹和低指数晶面，在上述单晶金刚石的至少一部分中，上述生长条纹相对于上述低指数晶面具有偏离角。

公开(公告)号：CN116997689A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280020013.8

申请日：2022-03-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 左亦康 ,  李真和 ,  西林良树 ,  小林丰 ,  寺本三记 ,  角谷均

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种单晶金刚石，其中，X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下，拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下，蚀坑密度为10000个/cm2以下，氮的原子数基准的含有率为0.0001ppm以上且0.1ppm以下，13C的原子数基准的含有率小于0.01％。

公开(公告)号：CN116964258A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280020017.6

申请日：2022-03-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 左亦康 ,  李真和 ,  西林良树 ,  寺本三记 ,  小林丰 ,  角谷均

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种单晶金刚石，其中，X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下，拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下，蚀坑密度为10000个/cm2以下，氮的原子数基准的含有率为0.0001ppm以上且0.1ppm以下，13C的原子数基准的含有率为0.01％以上且1.0％以下。