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公开(公告)号：CN109728144B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201811245219.2
申请日：2018-10-24
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供了模板衬底及其制造方法以及发光器件，以抑制在衬底附近出现异常晶体生长区域。模板衬底包括衬底、三维生长层、掩埋层、未掺杂层和n型层。衬底的表面具有非均匀形状。非均匀形状具有其中按等边三角形网格周期性地布置有突起的图案。突起的弯曲表面具有这样的形状：使得其中相对于衬底的主表面的倾斜角在30°至50°的范围内的弯曲表面区域的面积与突起的整个表面积的百分比为30％或更小。突起具有60°至90°的接触角。
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公开(公告)号：CN109728144A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811245219.2
申请日：2018-10-24
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供了模板衬底及其制造方法以及发光器件，以抑制在衬底附近出现异常晶体生长区域。模板衬底包括衬底、三维生长层、掩埋层、未掺杂层和n型层。衬底的表面具有非均匀形状。非均匀形状具有其中按等边三角形网格周期性地布置有突起的图案。突起的弯曲表面具有这样的形状：使得其中相对于衬底的主表面的倾斜角在30°至50°的范围内的弯曲表面区域的面积与突起的整个表面积的百分比为30％或更小。突起具有60°至90°的接触角。
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公开(公告)号：CN105938863B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610121617.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种III族氮化物半导体发光器件及其制造方法，在该III族氮化物半导体发光器件中，抑制了穿透位错对电子和空穴的俘获。该发光器件包括n型半导体层、在n型半导体层上的发光层、在发光层上的p型半导体层。发光器件具有从n型半导体层延伸至p型半导体层的多个凹坑。n型半导体层包括n侧防静电击穿层。n侧防静电击穿层包括：n型GaN层，该n型GaN层包括凹坑的起始点；以及ud‑GaN层，该ud‑GaN层被设置成与n型GaN层相邻并包括凹坑的一部分。n型GaN层和ud‑GaN层中的至少之一具有In掺杂层。In掺杂层的In组成比大于0且不大于0.0035。
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公开(公告)号：CN104347771B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410353895.7
申请日：2014-07-23
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/305 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/325
Abstract: 本发明提供了一种呈现出改进的发射输出的第III族氮化物半导体发光器件。该发光器件包括：其上形成有n电极的n型接触层、发光层、形成在发光层与n型接触层之间的n型覆层。n型覆层具有至少两层的结构，所述至少两层包括与发光层较近的第一n型覆层和相比第一n型覆层距发光层较远的第二n型覆层。第一n型覆层的Si浓度高于第二n型覆层的Si浓度，并且第一n型覆层的厚度小于第二n型覆层的厚度。
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公开(公告)号：CN102208510A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110081860.9
申请日：2011-03-29
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种以提供零内电场的面为主面的III族氮化物半导体发光器件，并且其表现出改善的发光性能。该发光器件包括在其表面中具有从上方观察排列成条带图案的多个凹坑的蓝宝石衬底、形成在蓝宝石衬底的凹坑表面上的n接触层、形成在n接触层上的发光层、形成在发光层上的电子阻挡层、形成在电子阻挡层上的p接触层、p电极和n电极。电子阻挡层具有2～8nm的厚度并由Al组成比例为20～30％的Mg掺杂AlGaN形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101355131A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810134757.4
申请日：2008-07-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/382
Abstract: 一种第III族氮化物基化合物半导体器件，其中在除了Ga－极性C－面的表面上形成负电极。在第III族氮化物基化合物半导体发光器件中，在R－面蓝宝石衬底上形成n－接触层、用于改善静电击穿电压的层、由具有十个堆叠的未掺杂In0.1Ga0.9N层、未掺杂GaN层以及硅(Si)掺杂GaN层的组的多层结构制成的n－覆盖层、由交替堆叠的In0.25Ga0.75N阱层和GaN势垒层的组合制成的多量子阱(MQW)发光层、由包括p－型Al0.3Ga0.7N层和p－In0.08Ga0.92N层的多层结构制成的p－覆盖层、和由包括具有不同镁浓度的两个p－GaN层的堆叠结构制成的p－接触层(厚度：约80nm)。通过蚀刻，为具有沿c－轴的厚度方向的n－接触层提供条纹图案化微沟，每个微沟具有表现C－面的侧壁，由此在负电极和每个C－面侧壁之间建立欧姆接触。
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公开(公告)号：CN107863430A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710755921.2
申请日：2017-08-29
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本申请涉及发光元件及其制造方法。一种制造发光元件的方法，其包括：形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1-xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层；形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层与所述n型半导体层接触；以及通过热处理形成所述n型半导体层和所述Ti层的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN107863421A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710685555.8
申请日：2017-08-11
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L33/0066 , H01L33/325
Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。所述制造发光器件的方法包括：通过溅射来在包括凹凸图案的图案化基片的表面上形成主要包括AlN的成核层；在形成成核层之后，在不低于1150℃的温度下进行热处理；在热处理之后，在图案化基片的形成有成核层的表面上形成AlGaN下层，所述AlGaN下层主要包括AlxGa1-xN(0.04≤x≤1)和平坦表面；以及在AlGaN下层上外延生长第III族氮化物半导体，以形成包括发光层的发光功能部。
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公开(公告)号：CN104347769B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201410381883.5
申请日：2014-08-05
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供了防止驱动电压增加并且整体上具有低穿透位错密度的第III族氮化物半导体发光器件。发光器件包括浮凸衬底。衬底在其主表面上具有以小间距布置有突起的第一区和以大间距布置有突起的第二区。第二区对应于p焊盘电极和n焊盘电极的通过衬底的主表面观察时的投影区域。第一区对应于既没有形成p焊盘电极也没有形成n焊盘电极的区域的通过衬底的主表面观察时的投影区域。
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