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公开(公告)号：CN105990481A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610154288.7
申请日：2016-03-17
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/06
Abstract: 本发明公开了发光器件及其制造方法。通过减少施加在发光层上的应力提高了发光器件的发光效率。在蓝宝石衬底上，依次沉积有n型接触层、nESD层、n型覆层、发光层、p型覆层以及p型接触层。发光层具有MQW结构，在MQW结构中重复地沉积有依次沉积的阱层、盖层以及势垒层的层单元。在阱层中，仅第一阱层的In组成比与其他阱层的In组成比相比减小，并且其他阱层的In组成比彼此相同。第一阱层的In组成比被设计为使得第一阱层的发射波长等于其他阱层的发射波长。
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公开(公告)号：CN105576085B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201510729034.9
申请日：2015-10-30
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用于制造发光器件的方法以及用于制造第III族氮化物半导体的方法。在阱层上，通过MOCVD在与对阱层所使用的温度相同的温度下形成第一InGaN保护层。TMI被脉冲式供给。TMI供给量以大于0μmol/min且不大于2μmol/min的预定值保持恒定。此外，占空比以大于0且不大于0.95的预定值保持恒定。第一保护层的In组成比与占空比几乎成正比。可以通过控制占空比来容易地并精确地控制第一保护层的In组成比，以具有在大于0原子％且不大于3原子％的范围内的In组成比。
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公开(公告)号：CN106972087A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610832387.6
申请日：2016-09-19
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/08
Abstract: 本发明涉及发光器件，提供了一种在提高响应速度的同时抑制光输出的降低的发光器件。如图1所示，该发光器件包括四个正方形元件区域，所述四个正方形元件区域以二乘二阵列形式布置且元件区域的边对准。发光区域设置在元件区域的中心侧处的拐角附近，并且发光区域位于整个元件区域的中心附近。各个发光区域的平面图案形成为使得p电极和n电极的平面图案未设置在被发光区域夹在中间的区域中。
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公开(公告)号：CN106972087B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201610832387.6
申请日：2016-09-19
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/08
Abstract: 本发明涉及发光器件，提供了一种在提高响应速度的同时抑制光输出的降低的发光器件。如图1所示，该发光器件包括四个正方形元件区域，所述四个正方形元件区域以二乘二阵列形式布置且元件区域的边对准。发光区域设置在元件区域的中心侧处的拐角附近，并且发光区域位于整个元件区域的中心附近。各个发光区域的平面图案形成为使得p电极和n电极的平面图案未设置在被发光区域夹在中间的区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106887491A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201610825760.5
申请日：2016-09-14
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明的目的在于实现发光的均匀化且抑制高电流下的光输出降低。p电极(16)以及n电极(17)的一方的平面图案是与各发光区域(101a～d)的圆周或者圆弧的平面图案的内侧对置设置且中心以及中心角与该圆周或者圆弧相同的圆或圆周(发光区域(101a～d)的平面图案为圆周的情况)、或者扇型或圆弧(发光区域(101a～d)的平面图案为圆弧的情况)。另外，p电极(16)以及n电极(17)的另一方的平面图案是与各发光区域(101a～d)的圆周或者圆弧的平面图案的外侧对置设置且中心以及中心角与该圆周或者圆弧相同的圆周(发光区域(101a～d)的平面图案为圆周的情况)、或者圆弧(发光区域(101a～d)的平面图案为圆弧的情况)。
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公开(公告)号：CN105938863A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610121617.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/025
Abstract: 提供了一种III族氮化物半导体发光器件及其制造方法，在该III族氮化物半导体发光器件中，抑制了穿透位错对电子和空穴的俘获。该发光器件包括n型半导体层、在n型半导体层上的发光层、在发光层上的p型半导体层。发光器件具有从n型半导体层延伸至p型半导体层的多个凹坑。n型半导体层包括n侧防静电击穿层。n侧防静电击穿层包括：n型GaN层，该n型GaN层包括凹坑的起始点；以及ud-GaN层，该ud-GaN层被设置成与n型GaN层相邻并包括凹坑的一部分。n型GaN层和ud-GaN层中的至少之一具有In掺杂层。In掺杂层的In组成比大于0且不大于0.0035。
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公开(公告)号：CN106887491B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610825760.5
申请日：2016-09-14
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明的目的在于实现发光的均匀化且抑制高电流下的光输出降低。p电极(16)以及n电极(17)的一方的平面图案是与各发光区域(101a～d)的圆周或者圆弧的平面图案的内侧对置设置且中心以及中心角与该圆周或者圆弧相同的圆或圆周(发光区域(101a～d)的平面图案为圆周的情况)、或者扇型或圆弧(发光区域(101a～d)的平面图案为圆弧的情况)。另外，p电极(16)以及n电极(17)的另一方的平面图案是与各发光区域(101a～d)的圆周或者圆弧的平面图案的外侧对置设置且中心以及中心角与该圆周或者圆弧相同的圆周(发光区域(101a～d)的平面图案为圆周的情况)、或者圆弧(发光区域(101a～d)的平面图案为圆弧的情况)。
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公开(公告)号：CN105938863B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610121617.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种III族氮化物半导体发光器件及其制造方法，在该III族氮化物半导体发光器件中，抑制了穿透位错对电子和空穴的俘获。该发光器件包括n型半导体层、在n型半导体层上的发光层、在发光层上的p型半导体层。发光器件具有从n型半导体层延伸至p型半导体层的多个凹坑。n型半导体层包括n侧防静电击穿层。n侧防静电击穿层包括：n型GaN层，该n型GaN层包括凹坑的起始点；以及ud‑GaN层，该ud‑GaN层被设置成与n型GaN层相邻并包括凹坑的一部分。n型GaN层和ud‑GaN层中的至少之一具有In掺杂层。In掺杂层的In组成比大于0且不大于0.0035。
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公开(公告)号：CN105576085A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510729034.9
申请日：2015-10-30
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/06 , H01L21/0262 , H01L33/325
Abstract: 本发明公开了一种用于制造发光器件的方法以及用于制造第III族氮化物半导体的方法。在阱层上，通过MOCVD在与对阱层所使用的温度相同的温度下形成第一InGaN保护层。TMI被脉冲式供给。TMI供给量以大于0μmol/min且不大于2μmol/min的预定值保持恒定。此外，占空比以大于0且不大于0.95的预定值保持恒定。第一保护层的In组成比与占空比几乎成正比。可以通过控制占空比来容易地并精确地控制第一保护层的In组成比，以具有在大于0原子％且不大于3原子％的范围内的In组成比。
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