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公开(公告)号：CN106887491B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610825760.5
申请日：2016-09-14
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明的目的在于实现发光的均匀化且抑制高电流下的光输出降低。p电极(16)以及n电极(17)的一方的平面图案是与各发光区域(101a～d)的圆周或者圆弧的平面图案的内侧对置设置且中心以及中心角与该圆周或者圆弧相同的圆或圆周(发光区域(101a～d)的平面图案为圆周的情况)、或者扇型或圆弧(发光区域(101a～d)的平面图案为圆弧的情况)。另外，p电极(16)以及n电极(17)的另一方的平面图案是与各发光区域(101a～d)的圆周或者圆弧的平面图案的外侧对置设置且中心以及中心角与该圆周或者圆弧相同的圆周(发光区域(101a～d)的平面图案为圆周的情况)、或者圆弧(发光区域(101a～d)的平面图案为圆弧的情况)。
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公开(公告)号：CN106972087A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610832387.6
申请日：2016-09-19
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/08
Abstract: 本发明涉及发光器件，提供了一种在提高响应速度的同时抑制光输出的降低的发光器件。如图1所示，该发光器件包括四个正方形元件区域，所述四个正方形元件区域以二乘二阵列形式布置且元件区域的边对准。发光区域设置在元件区域的中心侧处的拐角附近，并且发光区域位于整个元件区域的中心附近。各个发光区域的平面图案形成为使得p电极和n电极的平面图案未设置在被发光区域夹在中间的区域中。
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公开(公告)号：CN104465920A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410412193.1
申请日：2014-08-20
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供了一种呈现出提高了发光性能的第III族氮化物半导体发光器件。p电极包括：连接到引线的引线接合部、以布线图案从引线接合部延伸的布线部、以及连接到布线部并且经由孔与透明电极接触的接触部。在p型层与透明电极之间的特定区域中设置有电流阻挡层。电流阻挡层由折射率小于p型层的折射率的绝缘并且透明的材料形成。特定区域是在俯视图中包括接触部的区域。电流阻挡层没有设置在与引线接合部和布线部重叠的区域中。电流阻挡层的宽度比接触部的宽度大0μm至9μm。
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公开(公告)号：CN106972087B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201610832387.6
申请日：2016-09-19
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/08
Abstract: 本发明涉及发光器件，提供了一种在提高响应速度的同时抑制光输出的降低的发光器件。如图1所示，该发光器件包括四个正方形元件区域，所述四个正方形元件区域以二乘二阵列形式布置且元件区域的边对准。发光区域设置在元件区域的中心侧处的拐角附近，并且发光区域位于整个元件区域的中心附近。各个发光区域的平面图案形成为使得p电极和n电极的平面图案未设置在被发光区域夹在中间的区域中。
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公开(公告)号：CN106887491A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201610825760.5
申请日：2016-09-14
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明的目的在于实现发光的均匀化且抑制高电流下的光输出降低。p电极(16)以及n电极(17)的一方的平面图案是与各发光区域(101a～d)的圆周或者圆弧的平面图案的内侧对置设置且中心以及中心角与该圆周或者圆弧相同的圆或圆周(发光区域(101a～d)的平面图案为圆周的情况)、或者扇型或圆弧(发光区域(101a～d)的平面图案为圆弧的情况)。另外，p电极(16)以及n电极(17)的另一方的平面图案是与各发光区域(101a～d)的圆周或者圆弧的平面图案的外侧对置设置且中心以及中心角与该圆周或者圆弧相同的圆周(发光区域(101a～d)的平面图案为圆周的情况)、或者圆弧(发光区域(101a～d)的平面图案为圆弧的情况)。
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