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公开(公告)号：CN105990481A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610154288.7
申请日：2016-03-17
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/06
Abstract: 本发明公开了发光器件及其制造方法。通过减少施加在发光层上的应力提高了发光器件的发光效率。在蓝宝石衬底上，依次沉积有n型接触层、nESD层、n型覆层、发光层、p型覆层以及p型接触层。发光层具有MQW结构，在MQW结构中重复地沉积有依次沉积的阱层、盖层以及势垒层的层单元。在阱层中，仅第一阱层的In组成比与其他阱层的In组成比相比减小，并且其他阱层的In组成比彼此相同。第一阱层的In组成比被设计为使得第一阱层的发射波长等于其他阱层的发射波长。
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公开(公告)号：CN105590998A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510740871.1
申请日：2015-11-04
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/2056 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/0075
Abstract: 为了提供一种III族氮化物半导体发光器件生产方法，该方法旨在不减小发光层的In浓度的情况下生长平坦的发光层。本技术的方法包括n侧超晶格层形成步骤，其中重复形成InGaN层、布置在InGaN层上的GaN层以及布置在GaN层上的n型GaN层。在InGaN层的形成中，供给氮气作为载气。在n形GaN层的形成中，供给由氮气和氢气形成的第一混合气体作为载气。第一混合气体具有大于0％并且小于或等于75％的氢气体积比率。
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公开(公告)号：CN103165772A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210519652.7
申请日：2012-12-06
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 中村亮
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/325
Abstract: 本发明提供了一种在不增加驱动电压的情况下呈现提高的发光效率的III族氮化物半导体发光器件。该III族氮化物半导体发光器件包括蓝宝石衬底；以及，依次沉积在蓝宝石衬底上的均由III族氮化物半导体形成的n接触层、n覆层、发光层、p覆层和p接触层。n覆层包括依次在n接触层上的高杂质浓度层和低杂质浓度层这两个层，并且低杂质浓度层与发光层接触。低杂质浓度层是n型杂质浓度低于高杂质浓度层的层，低杂质浓度层的n型杂质浓度为p覆层的p型杂质浓度的1/1000至1/100，并且具有至的厚度。
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公开(公告)号：CN102637795A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210028827.4
申请日：2012-02-09
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 中村亮
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供了一种第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法，所述第III族氮化物半导体发光器件表现出改进的发射性能和高的静电击穿电压。所述第III族氮化物半导体发光器件具有层状结构，在所述层状结构中，在蓝宝石衬底上沉积n型接触层、ESD层、n型包覆层、发光层、p型包覆层和p型接触层。ESD层具有凹坑。形成n型包覆层和发光层但不掩埋所述凹坑。所述凹坑在n型包覆层与发光层之间的界面处具有110nm至150nm的直径。发光层的势垒层由具有3％至7％的Al组成比的AlGaN形成。
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公开(公告)号：CN105576085B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201510729034.9
申请日：2015-10-30
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用于制造发光器件的方法以及用于制造第III族氮化物半导体的方法。在阱层上，通过MOCVD在与对阱层所使用的温度相同的温度下形成第一InGaN保护层。TMI被脉冲式供给。TMI供给量以大于0μmol/min且不大于2μmol/min的预定值保持恒定。此外，占空比以大于0且不大于0.95的预定值保持恒定。第一保护层的In组成比与占空比几乎成正比。可以通过控制占空比来容易地并精确地控制第一保护层的In组成比，以具有在大于0原子％且不大于3原子％的范围内的In组成比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105590998B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510740871.1
申请日：2015-11-04
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/2056 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/30
Abstract: 为了提供一种III族氮化物半导体发光器件生产方法，该方法旨在在不减小发光层的In浓度的情况下生长平坦的发光层。本技术的方法包括n侧超晶格层形成步骤，其中重复形成InGaN层、布置在InGaN层上的GaN层以及布置在GaN层上的n型GaN层。在InGaN层的形成中，供给氮气作为载气。在n形GaN层的形成中，供给由氮气和氢气形成的第一混合气体作为载气。第一混合气体具有大于0％并且小于或等于75％的氢气体积比率。
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公开(公告)号：CN103855605B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201310637021.X
申请日：2013-12-02
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供了用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在通过形成阱层、盖层和势垒层来形成发光层的情况下，形成了具有优异的平坦性和结晶性的阱层，同时抑制了阱层发生损坏。在形成发光层时，在发光层中设置有凹坑以使得凹坑直径D落在120nm至250nm的范围内。发光层形成步骤包括形成势垒层、形成阱层以及形成盖层的步骤。势垒层的生长温度比阱层的生长温度高在65℃至135℃的范围内的任意温度。
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公开(公告)号：CN105576085A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510729034.9
申请日：2015-10-30
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/06 , H01L21/0262 , H01L33/325
Abstract: 本发明公开了一种用于制造发光器件的方法以及用于制造第III族氮化物半导体的方法。在阱层上，通过MOCVD在与对阱层所使用的温度相同的温度下形成第一InGaN保护层。TMI被脉冲式供给。TMI供给量以大于0μmol/min且不大于2μmol/min的预定值保持恒定。此外，占空比以大于0且不大于0.95的预定值保持恒定。第一保护层的In组成比与占空比几乎成正比。可以通过控制占空比来容易地并精确地控制第一保护层的In组成比，以具有在大于0原子％且不大于3原子％的范围内的In组成比。
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公开(公告)号：CN103855605A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310637021.X
申请日：2013-12-02
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供了用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在通过形成阱层、盖层和势垒层来形成发光层的情况下，形成了具有优异的平坦性和结晶性的阱层，同时抑制了阱层发生损坏。在形成发光层时，在发光层中设置有凹坑以使得凹坑直径D落在120nm至250nm的范围内。发光层形成步骤包括形成势垒层、形成阱层以及形成盖层的步骤。势垒层的生长温度比阱层的生长温度高在65℃至135℃的范围内的任意温度。
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公开(公告)号：CN102842658A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210210727.3
申请日：2012-06-20
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 中村亮
CPC classification number: H01L21/02507 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L33/32
Abstract: 本发明是一种用于制造一种发光器件的方法，该发光器件的发射性能通过根据发射波长优化发光层的势垒层的Al组成比来改善。通过交替堆叠InGaN阱层和AlGaN势垒层来形成多量子阱(MQW)结构发光层。每个阱层和每个势垒层形成为满足以下关系：12.9≤-2.8x+100y≤37和0.65≤y≤0.86，或者满足以下关系：162.9≤7.1x+10z≤216.1和3.1≤z≤9.2，在此，x表示势垒层的Al组成比(摩尔％)，并且y表示势垒层与阱层之间的带隙能之差(eV)，并且z表示阱层的In组成比(摩尔％)。
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