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公开(公告)号：CN114122199A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110884946.9
申请日：2021-08-03
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 永田贤吾
Abstract: 本发明涉及包含Al作为必需构成要素的p型第III族氮化物半导体的制造方法。使包含Al作为必需构成要素的p型第III族氮化物半导体的载流子浓度提高。通过MOCVD法在发光层(13)上形成由掺杂Mg的AlGaN构成的电子阻挡层(14)。这里，电子阻挡层(14)以p型化的热处理前的H浓度与Mg浓度之比H/Mg成为50～100％的方式形成。H/Mg可以通过电子阻挡层(14)的生长温度、V/III比、Mg浓度等来控制。
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公开(公告)号：CN117476819A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310926977.5
申请日：2023-07-26
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光元件的制造方法，是具备由III族氮化物半导体构成的发光功能部的发光元件的制造方法，能够在PSS上形成透射率和表面的平坦性优异的基底层。作为本发明的一个方式，提供一种发光元件(1)的制造方法，包括：介由由AlN构成的缓冲层11在PSS10上形成由AlN构成的基底层(12)的工序；在基底层(12)上使III族氮化物半导体外延生长而形成包含发光层(132)的发光功能部(13)的工序；在形成基底层(12)的工序中，使原料气体的V/III比为1.0～2.0的范围内，通过MOVPE法使AlN外延生长而形成基底层(12)。
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公开(公告)号：CN105590998B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510740871.1
申请日：2015-11-04
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/2056 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/30
Abstract: 为了提供一种III族氮化物半导体发光器件生产方法，该方法旨在在不减小发光层的In浓度的情况下生长平坦的发光层。本技术的方法包括n侧超晶格层形成步骤，其中重复形成InGaN层、布置在InGaN层上的GaN层以及布置在GaN层上的n型GaN层。在InGaN层的形成中，供给氮气作为载气。在n形GaN层的形成中，供给由氮气和氢气形成的第一混合气体作为载气。第一混合气体具有大于0％并且小于或等于75％的氢气体积比率。
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公开(公告)号：CN113823722B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202110648357.0
申请日：2021-06-10
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供具有n型接触层的发光元件及其制造方法，该n型接触层通过费米能级与导带的简并有效地降低了电阻，且由将Si作为掺杂剂的AlGaN构成。作为本发明的一个方式，提供发光元件(1)，其具备费米能级与导带简并的由AlGaN构成的n型接触层(12)、和层叠于n型接触层(12)的由AlGaN构成的发光层(13)，n型接触层(12)的Al成分比发光层(13)的Al成分大10％以上且为70％以下，n型接触层(12)含有发生上述简并的浓度且为4.0×1019cm‑3以下的浓度的Si。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118825149A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410467985.2
申请日：2024-04-18
Abstract: 本发明提供高质量的III族氮化物半导体。III族氮化物半导体的制造方法具有：晶核层形成工序，在蓝宝石基板上生成GaN、AlGaN或AlN的核11A而形成晶核层11；低温三维生长层形成工序，在比晶核层形成工序低的温度，从核11A使AlGaN或AlN生长并使相邻的来自核11A的晶体彼此合并，形成低温三维生长层12A；以及高温三维生长层形成工序，在比低温三维生长层形成工序高且为晶核层形成工序的温度以下的温度，从低温三维生长层12A使AlGaN或AlN生长而形成高温三维生长层12B。
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公开(公告)号：CN119153600A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410768547.X
申请日：2024-06-14
Abstract: 本发明提供能够提高轴上强度的发光装置。发光装置具有：倒装芯片型的紫外发光的发光元件，接触并覆盖发光元件的至少上表面、折射率比空气高且比发光元件低的密封部，以及接触并覆盖密封部、折射率比密封部高的透镜。发光元件的组成梯度层的厚度被设定成：使从活性层射向n型层侧的光跟从活性层射向与n型层相反的一侧后被p侧电极反射而射向n型层侧的光通过干涉而在与发光元件的主面垂直的方向加强。
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公开(公告)号：CN114122199B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202110884946.9
申请日：2021-08-03
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 永田贤吾
Abstract: 本发明涉及包含Al作为必需构成要素的p型第III族氮化物半导体的制造方法。使包含Al作为必需构成要素的p型第III族氮化物半导体的载流子浓度提高。通过MOCVD法在发光层(13)上形成由掺杂Mg的AlGaN构成的电子阻挡层(14)。这里，电子阻挡层(14)以p型化的热处理前的H浓度与Mg浓度之比H/Mg成为50～100％的方式形成。H/Mg可以通过电子阻挡层(14)的生长温度、V/III比、Mg浓度等来控制。
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公开(公告)号：CN114883457A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202111601264.9
申请日：2021-12-24
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 永田贤吾
Abstract: 本发明提供利用了隧道接合并发出深紫外光，抑制形成隧道接合的n型层和p型层对光的吸收的发光元件。作为本发明的一个方式，提供一种发光元件(1)，其具备n型接触层(12)、发出深紫外光的发光层(13)、由包含Mg的AlGaInN构成的p型层(15)、与p型层(15)进行隧道接合并由n型半导体构成的n型接触层(16)、与n型接触层(12)连接的n电极(18)、以及与n型接触层(16)连接的p电极(17)，p型层(15)和n型接触层(16)的带隙大于发光层(13)的带隙，p型层(15)的与n型接触层(16)接触的部分的Mg浓度、和n型接触层(16)的与p型层(15)接触的部分的供体浓度较高。
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公开(公告)号：CN114823305A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210025807.5
申请日：2022-01-11
IPC: H01L21/26 , H01L21/324 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供在不会使发光元件的输出降低的情况下可以从由氮化物半导体构成的p型层提取氢的发光元件的制造方法、以及发光元件的氢的提取方法，即使在p型层由高Al组成的氮化物半导体构成的情况下，仍能够有效地提取氢。作为本发明的一个方式，提供发光元件1的制造方法，包括以下工序：针对发光波长为306nm以下的发光元件1，在施加反向电压或是比发光元件1的阈值电压低的正向电压的状态下、或不施加电压的状态下，从外侧照射波长为306nm以下的紫外光，实施热处理，将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序；在650℃以上的N2气氛下或500℃以上的N2+O2气氛下实施将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序。
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