氮化物半导体多层膜反射镜以及使用了该反射镜的发光元件

    公开(公告)号:CN105103392A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201480020256.7

    申请日:2014-03-19

    CPC classification number: H01L33/10 H01L33/32 H01S5/18361 H01S5/34333

    Abstract: 本发明实现了氮化物半导体多层膜反射镜的低电阻化。在氮化物半导体多层膜反射镜中,第一半导体层(104)的Al成分与第二半导体层(106)的Al成分相比而较高,在第一半导体层(104)与第二半导体层(106)之间并在第一半导体层(104)的111族元素表面侧,存在有以Al成分随着靠近第二半导体层(106)而降低的方式被调节的第一成分倾斜层(105),并且在第一半导体层(104)的氮表面侧,存在有以Al成分随着靠近第二半导体层(106)而降低的方式被调节的第二成分倾斜层(103),相对于第一半导体层(104)、第二半导体层(106)、第一成分倾斜层(105)以及第二成分倾斜层(103)的传导带下端的电子的能级不存在水平断错而为连续,第一成分倾斜层(105)中的n型杂质浓度为5×1019cm-3以上。

    III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN109768139B

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN201811317180.0

    申请日:2018-11-07

    Abstract: 提供了这样的III族氮化物半导体发光器件及其制造方法:所述III族氮化物半导体发光器件表现出提高的光提取效率,并且降低由Al的组成变化所引起的在AlGaN层中出现p型导电部和n型导电部的极化的影响。第一p型接触层是p型AlGaN层。第二p型接触层是p型AlGaN层。第一p型接触层中的Al的组成随距发光层的距离而减小。第二p型接触层中的Al的组成随距发光层的距离而减小。第二p型接触层中的Al的组成低于第一p型接触层中的Al的组成。第二p型接触层中相对单位厚度的Al的组成变化率高于第一p型接触层中相对单位厚度的Al的组成变化率。

    微生物的识别方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109154019A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201680084073.0

    申请日:2016-03-31

    Abstract: 一种微生物的识别方法,其特征在于,具有:对含有微生物的试样进行质量分析从而得到质谱的步骤;从所述质谱读取源自标记蛋白质的峰的质荷比m/z的步骤;识别步骤,基于所述质荷比m/z对所述试样所含的微生物含有弯曲菌属菌的哪一个菌种进行识别,使用18种标记蛋白质S10、L23、S19、L22、L16、L29、S17、L14、L24、S14、L18、L15、L36、S13、S11(Me)、L32、L7/L12中的至少一种作为所述标记蛋白质。

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