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公开(公告)号：CN109768139B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201811317180.0
申请日：2018-11-07
Abstract: 提供了这样的III族氮化物半导体发光器件及其制造方法：所述III族氮化物半导体发光器件表现出提高的光提取效率，并且降低由Al的组成变化所引起的在AlGaN层中出现p型导电部和n型导电部的极化的影响。第一p型接触层是p型AlGaN层。第二p型接触层是p型AlGaN层。第一p型接触层中的Al的组成随距发光层的距离而减小。第二p型接触层中的Al的组成随距发光层的距离而减小。第二p型接触层中的Al的组成低于第一p型接触层中的Al的组成。第二p型接触层中相对单位厚度的Al的组成变化率高于第一p型接触层中相对单位厚度的Al的组成变化率。
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公开(公告)号：CN109768139A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811317180.0
申请日：2018-11-07
Abstract: 提供了这样的III族氮化物半导体发光器件及其制造方法：所述III族氮化物半导体发光器件表现出提高的光提取效率，并且降低由Al的组成变化所引起的在AlGaN层中出现p型导电部和n型导电部的极化的影响。第一p型接触层是p型AlGaN层。第二p型接触层是p型AlGaN层。第一p型接触层中的Al的组成随距发光层的距离而减小。第二p型接触层中的Al的组成随距发光层的距离而减小。第二p型接触层中的Al的组成低于第一p型接触层中的Al的组成。第二p型接触层中相对单位厚度的Al的组成变化率高于第一p型接触层中相对单位厚度的Al的组成变化率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105103392A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480020256.7
申请日：2014-03-19
Applicant: 学校法人名城大学
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/32 , H01S5/18361 , H01S5/34333
Abstract: 本发明实现了氮化物半导体多层膜反射镜的低电阻化。在氮化物半导体多层膜反射镜中，第一半导体层(104)的Al成分与第二半导体层(106)的Al成分相比而较高，在第一半导体层(104)与第二半导体层(106)之间并在第一半导体层(104)的111族元素表面侧，存在有以Al成分随着靠近第二半导体层(106)而降低的方式被调节的第一成分倾斜层(105)，并且在第一半导体层(104)的氮表面侧，存在有以Al成分随着靠近第二半导体层(106)而降低的方式被调节的第二成分倾斜层(103)，相对于第一半导体层(104)、第二半导体层(106)、第一成分倾斜层(105)以及第二成分倾斜层(103)的传导带下端的电子的能级不存在水平断错而为连续，第一成分倾斜层(105)中的n型杂质浓度为5×1019cm-3以上。
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公开(公告)号：CN105103392B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201480020256.7
申请日：2014-03-19
Applicant: 学校法人名城大学
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/32 , H01S5/18361 , H01S5/34333
Abstract: 本发明实现了氮化物半导体多层膜反射镜的低电阻化。在氮化物半导体多层膜反射镜中，第一半导体层(104)的Al成分与第二半导体层(106)的Al成分相比而较高，在第一半导体层(104)与第二半导体层(106)之间并在第一半导体层(104)的111族元素表面侧，存在有以Al成分随着靠近第二半导体层(106)而降低的方式被调节的第一成分倾斜层(105)，并且在第一半导体层(104)的氮表面侧，存在有以Al成分随着靠近第二半导体层(106)而降低的方式被调节的第二成分倾斜层(103)，相对于第一半导体层(104)、第二半导体层(106)、第一成分倾斜层(105)以及第二成分倾斜层(103)的传导带下端的电子的能级不存在水平断错而为连续，第一成分倾斜层(105)中的n型杂质浓度为5×1019cm‑3以上。
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公开(公告)号：CN116210090A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180053454.3
申请日：2021-08-25
IPC: H01L33/08
Abstract: 半导体发光元件(10)具备生长基板(11)、形成在生长基板(11)上的掩模(13)、从设置在掩模的开口部生长的柱状半导体层。柱状半导体层在中心形成有n型纳米线层(14)，在比n型纳米线层(14)更靠外周形成有有源层(15)，在比有源层(15)更靠外周形成有p型半导体层(16)。开口部的开口率为0.1％以上5.0％以下，发光波长为480nm以上。
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公开(公告)号：CN105027262B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480012830.4
申请日：2014-03-04
Applicant: 学校法人名城大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B25/16 , C30B29/38
CPC classification number: H01L33/32 , C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0254 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L33/0075
Abstract: 本发明制作一种在低温下为高品质的氮化物半导体晶体。该氮化物半导体晶体通过将作为原料的Ⅲ族元素以及/或者其化合物、氮元素以及/或者其化合物、Sb元素以及/或者其化合物供给到基板(105)上，从而使至少一层以上的氮化物半导体膜(104)气相成长而被制备出，其中，在至少一层以上的氮化物半导体晶体膜(104)中，其成长过程中的Sb元素相对于氮元素的供给比为0.004以上。
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公开(公告)号：CN105027262A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480012830.4
申请日：2014-03-04
Applicant: 学校法人名城大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B25/16 , C30B29/38
CPC classification number: H01L33/32 , C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0254 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L33/0075
Abstract: 本发明制作一种在低温下为高品质的氮化物半导体晶体。该氮化物半导体晶体通过将作为原料的Ⅲ族元素以及/或者其化合物、氮元素以及/或者其化合物、Sb元素以及/或者其化合物供给到基板(105)上，从而使至少一层以上的氮化物半导体膜(104)气相成长而被制备出，其中，在至少一层以上的氮化物半导体晶体膜(104)中，其成长过程中的Sb元素相对于氮元素的供给比为0.004以上。
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