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公开(公告)号：CN116210090A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180053454.3
申请日：2021-08-25
IPC: H01L33/08
Abstract: 半导体发光元件(10)具备生长基板(11)、形成在生长基板(11)上的掩模(13)、从设置在掩模的开口部生长的柱状半导体层。柱状半导体层在中心形成有n型纳米线层(14)，在比n型纳米线层(14)更靠外周形成有有源层(15)，在比有源层(15)更靠外周形成有p型半导体层(16)。开口部的开口率为0.1％以上5.0％以下，发光波长为480nm以上。
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