公开(公告)号：CN114823305A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210025807.5

申请日：2022-01-11

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  学校法人名城大学

Inventor： 斋藤义树 ,  坊山晋也 ,  松井慎一 ,  三轮浩士 ,  永田贤吾 ,  竹内哲也 ,  石黑永孝

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供在不会使发光元件的输出降低的情况下可以从由氮化物半导体构成的p型层提取氢的发光元件的制造方法、以及发光元件的氢的提取方法，即使在p型层由高Al组成的氮化物半导体构成的情况下，仍能够有效地提取氢。作为本发明的一个方式，提供发光元件1的制造方法，包括以下工序：针对发光波长为306nm以下的发光元件1，在施加反向电压或是比发光元件1的阈值电压低的正向电压的状态下、或不施加电压的状态下，从外侧照射波长为306nm以下的紫外光，实施热处理，将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序；在650℃以上的N2气氛下或500℃以上的N2+O2气氛下实施将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序。

公开(公告)号：CN117476819A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310926977.5

申请日：2023-07-26

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永田贤吾 ,  三轮浩士 ,  坊山晋也 ,  斋藤义树

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  C30B29/40 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供一种发光元件的制造方法，是具备由III族氮化物半导体构成的发光功能部的发光元件的制造方法，能够在PSS上形成透射率和表面的平坦性优异的基底层。作为本发明的一个方式，提供一种发光元件(1)的制造方法，包括：介由由AlN构成的缓冲层11在PSS10上形成由AlN构成的基底层(12)的工序；在基底层(12)上使III族氮化物半导体外延生长而形成包含发光层(132)的发光功能部(13)的工序；在形成基底层(12)的工序中，使原料气体的V/III比为1.0～2.0的范围内，通过MOVPE法使AlN外延生长而形成基底层(12)。

公开(公告)号：CN118206185A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311708847.0

申请日：2023-12-13

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 和田聪 ,  林贵文 ,  铃木智行 ,  三轮浩士 ,  木村友

IPC: C02F1/32

Abstract: 本发明提供一种具备小型流路管的流体杀菌装置。流体杀菌装置具有：流路管(20)，使流体在内部流动；和光源部(30)，向流路管(20)的内部照射紫外线。流路管(20)具有：透明管(21)，透射紫外线；和反射体(22)，设置为与透明管(21)的外周面相接，使透过透明管(21)的紫外线反射，是PTFE未烧制膜。反射体(22)是使多个PTFE未烧制膜层叠而成的层叠体，以PTFE未烧制膜的彼此相对的面紧贴的状态配置。