公开(公告)号：CN111668296B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202010147590.6

申请日：2020-03-05

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 西井润弥 ,  木村友

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了半导体装置及其制造方法。本发明提供了一种抑制了沟槽的角处的电流集中的III族氮化物半导体装置。半导体装置具有其中正六边形元胞以蜂窝状图案布置的图案。半导体层被沟槽划分为正六边形图案。凹部具有包含在被沟槽划分的半导体层的正六边形图案中的小的正六边形图案，其中该小的正六边形图案是通过以相同中心缩小半导体层的正六边形而获得的。此外，凹部的正六边形图案相对于半导体层的正六边形旋转30°。p型层的在沟槽的角附近的Mg活化率低于p型层的在沟槽的侧壁附近的其他区域中的Mg活化率。

公开(公告)号：CN111668296A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010147590.6

申请日：2020-03-05

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 西井润弥 ,  木村友

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了半导体装置及其制造方法。本发明提供了一种抑制了沟槽的角处的电流集中的III族氮化物半导体装置。半导体装置具有其中正六边形元胞以蜂窝状图案布置的图案。半导体层被沟槽划分为正六边形图案。凹部具有包含在被沟槽划分的半导体层的正六边形图案中的小的正六边形图案，其中该小的正六边形图案是通过以相同中心缩小半导体层的正六边形而获得的。此外，凹部的正六边形图案相对于半导体层的正六边形旋转30°。p型层的在沟槽的角附近的Mg活化率低于p型层的在沟槽的侧壁附近的其他区域中的Mg活化率。

公开(公告)号：CN118206185A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311708847.0

申请日：2023-12-13

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 和田聪 ,  林贵文 ,  铃木智行 ,  三轮浩士 ,  木村友

IPC: C02F1/32

Abstract: 本发明提供一种具备小型流路管的流体杀菌装置。流体杀菌装置具有：流路管(20)，使流体在内部流动；和光源部(30)，向流路管(20)的内部照射紫外线。流路管(20)具有：透明管(21)，透射紫外线；和反射体(22)，设置为与透明管(21)的外周面相接，使透过透明管(21)的紫外线反射，是PTFE未烧制膜。反射体(22)是使多个PTFE未烧制膜层叠而成的层叠体，以PTFE未烧制膜的彼此相对的面紧贴的状态配置。