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公开(公告)号：CN112151520A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910560294.6
申请日：2019-06-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种具有单片集成结构的光电收发芯片、其制作方法及应用。所述单片集成的光电收发芯片包括集成设置的发光二极管与光探测器，所述发光二极管与光探测器之间设置有反射镜结构，所述反射镜结构至少用于防止所述发光二极管发射的光线向所述光探测器传输。进一步的，所述反射镜结构还用于将所述发光二极管发射的至少部分光线向所述发光二极管的出光面反射。本发明实施例提出的光电收发芯片具有尺寸小、制作方法简单、集成度高，且发光二极管和光探测器不会相互影响等优点，可大幅提升可见光通信模块的器件性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN106601613B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201510684066.1
申请日：2015-10-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/314 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种云母薄膜的制备方法，其包括：将衬底放置于真空的脉冲激光沉积设备中；利用脉冲激光熔蚀云母靶材，使云母靶材的表面产生等离子体羽辉，所述等离子体羽辉沉积在所述衬底上生长形成均匀的云母薄膜。本发明还公开了一种晶体管，其包括利用该制备方法制备的云母薄膜。本发明的晶体管引入云母薄膜作为电介质层，由于云母的层状二维纳米结构具有超薄的厚度，有利于晶体管的栅极调制，并且有助于晶体管在纵向方向的高密度集成。此外，云母薄膜的表面非常光滑，这个特征使晶体管的载流子能够免于表面粗糙度及陷阱态的影响，从而晶体管能够获得较高的载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN106783994B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201510822198.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种抑制电流崩塌效应的增强型HEMT器件及其制备方法。该HEMT器件包括异质结构以及与异质结构连接的源极、漏极和栅极，该异质结构包括作为沟道层的第一半导体和作为势垒层的第二半导体，该第二半导体形成于第一半导体上，该异质结构内形成有二维电子气；该第二半导体上还依次形成有量子阱层和第三半导体，该第三、第二半导体的导电类型不同，该栅极与第三半导体电性接触。本发明通过在增强型HEMT器件中的栅极区域及非栅极区域直接集成量子阱结构，使得器件处于开态时，同时能够实现发光，该发光可以有效辐射在栅‑漏、栅‑源之间的表面区域并深入至材料内部，能够加快被各类缺陷态所俘获的电子的释放过程，从而有效抑制器件电流崩塌效应。
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公开(公告)号：CN106653838B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201510740432.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/32 , H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹光源器件及其制作方法。所述器件包括主要由第一、第二半导体组成的异质结以及与所述异质结连接的电极，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，并且所述异质结内分布有二维电子气；所述第二半导体表面还分布有复数基于V型坑的孔结构，所述基于V型坑的孔结构与分布于所述异质结中的相应穿透位错相连接。本发明通过在太赫兹光源器件的外延生长过程中故意引入基于V型坑的孔结构，极为有利于纵向栅极注入电流激发技术方案的实现，可以避免背景黑体辐射带来的噪音问题，同时还能大幅提高能量转化效率和输入电功率，以及大幅提高太赫兹辐射功率和辐射效率。
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公开(公告)号：CN108305918A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710022586.5
申请日：2017-01-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种氮化物半导体发光器件及其制作方法。所述氮化物半导体发光器件包括外延结构，所述外延结构具有第一面和与第一面相背对的第二面，所述第一面为 面并位于所述外延结构的n型侧，所述第二面位于所述外延结构的p型侧，所述外延结构的n型侧与n型电极电性接触，p型侧与p型电极电性接触，并且所述第一面形成有脊型波导结构。本申请的氮化物半导体发光器件，特别是III-V族氮化物半导体激光器或超辐射发光二极管具有电阻低、内损耗低、阈值电流小、热阻小、稳定性和可靠性好等优点，同时其制备工艺简单易实施。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106033724A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510102490.0
申请日：2015-03-09
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/28 , H01L29/778 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/66431 , H01L29/42356 , H01L29/7786
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上生长形成主要由作为势垒层的第一半导体层和作为沟道层的第二半导体层组成的异质结构，其中所述第一半导体层叠设在第二半导体层上；在第一半导体层上形成兼作钝化层的掩膜层；对掩膜层的栅极区进行刻蚀，至暴露出第一半导体层；在所述掩膜层的栅极区内生长p型层，所述p型层与第一半导体层组成PN结；在所述p型层上设置p型栅，且使所述p型栅与p型层之间形成欧姆接触。本发明工艺极大降低了p型栅技术的实施难度，并有效解决增强型HEMT器件的可靠性问题，以及有效抑制电流崩塌效应，从而大幅提升HEMT器件的工作性能，实现真正意义上的增强型HEMT。
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公开(公告)号：CN105990106A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510076931.4
申请日：2015-02-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/205 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种半导体异质结构、其制备方法及应用。该半导体异质结构包括第一半导体材料和第二半导体材料，该第一半导体材料与该第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配，其中该第一半导体材料为AlxInyGa1‑x‑yN，其中4.72≤x/y≤5.10，0≤x≤1，0
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公开(公告)号：CN119997694A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411972552.9
申请日：2024-12-30
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H10H20/853 , H10H20/854 , H10H20/01
Abstract: 本发明涉及LED封装的技术领域，公开了一种紫外器件的全无机封装结构、封装方法，所述全无机封装结构包括基板、围坝支架、紫外芯片、光窗盖板，所述围坝支架的顶端部形成有用于放置所述光窗盖板的限位凹槽，所述光窗盖板放置于所述围坝支架的限位凹槽内，且通过合金层实现所述光窗盖板与所述围坝支架的气密焊接，其中，所述合金层为金属层和焊片层共晶键合形成，利用金属层和焊片层之间相互作用，实现紫外器件的封装，使封装腔体内不存在杂质，很好地保护了紫外芯片的发光性能，而且紫外器件的气密性好、耐候性好、可靠性高，而且可以降低成本。
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公开(公告)号：CN119384011A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310913119.7
申请日：2023-07-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种FinFET结构及其制作方法和应用。FinFET结构包括：异质结，其包括沟道层和势垒层，沟道层的表面具有沿第一方向依次分布的源区、栅区和漏区，栅区包括沿第二方向间隔分布的多个选定区域，多个选定区域上叠设有势垒层，以形成多个鳍状结构；第一欧姆接触层，其叠设在沟道层表面的源区上；第二欧姆接触层，其叠设在沟道层表面的漏区上；以及，源极、漏极和栅极，栅极至少连续叠设在多个鳍状结构的顶端面和侧壁上；源极设置在第一欧姆接触层上，漏极设置在第二欧姆接触层上。本发明采用薄势垒异质结外延结构，并借助二次外延生长欧姆接触层，制备近全栅控短沟道器件，可同时实现低膝点电压与增强型工作模式，从而满足射频前端PA应用场景。
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公开(公告)号：CN119208498A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411127485.0
申请日：2024-08-16
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了发光二极管及其制备方法，发光二极管包括底板、侧板、反射件、透光件和紧固件，其中反射件内置于LED封装体中，取代传统的反射杯，可以低成本地形成高紫外反射侧壁，提高倒装芯片封装的光取出效率。并且，可以通过调整反射件的反射部的角度，配合透光件的结构，形成不同的发光角度，适应不同的应用场景。再者，采用热铆接技术固定所述透光件、反射件、侧板与底板，一方面增加结构强度，另一方面，避免发光装置发射的光高强度、长期照射的光劣化。
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