公开(公告)号：CN106549048B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201510589835.X

申请日：2015-09-16

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 周宇 ,  孙钱 ,  李水明 ,  陈小雪 ,  戴淑君 ,  高宏伟 ,  冯美鑫 ,  杨辉

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该HEMT包含第一、二半导体层组成的异质结以及与该异质结连接的源、栅、漏电极，该第二半导体层中分布有至少可供置入栅电极下部的槽状结构。该第一、二半导体层之间或该第二半导体层内分布有刻蚀终止层，并且相对于选定刻蚀物质，该刻蚀终止层的组成材料较之该第二半导体层的组成材料，特别是其中相对远离第一半导体层的区域的组成材料具有更高耐刻蚀性能。藉由本发明可以大幅降低槽栅技术的实施难度，从而精确控制势垒层的刻蚀深度，同时可以实现凹槽型低温欧姆接触的可控制备，确保器件电学特性和芯片制作工艺的可靠性、重复性、均匀性、稳定性，适于大规模生产。

公开(公告)号：CN106033724A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510102490.0

申请日：2015-03-09

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 孙钱 ,  周宇 ,  李水明 ,  戴淑君 ,  高宏伟 ,  杨辉

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上生长形成主要由作为势垒层的第一半导体层和作为沟道层的第二半导体层组成的异质结构，其中所述第一半导体层叠设在第二半导体层上；在第一半导体层上形成兼作钝化层的掩膜层；对掩膜层的栅极区进行刻蚀，至暴露出第一半导体层；在所述掩膜层的栅极区内生长p型层，所述p型层与第一半导体层组成PN结；在所述p型层上设置p型栅，且使所述p型栅与p型层之间形成欧姆接触。本发明工艺极大降低了p型栅技术的实施难度，并有效解决增强型HEMT器件的可靠性问题，以及有效抑制电流崩塌效应，从而大幅提升HEMT器件的工作性能，实现真正意义上的增强型HEMT。

公开(公告)号：CN105990106A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510076931.4

申请日：2015-02-13

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 周宇 ,  李水明 ,  戴淑君 ,  高宏伟 ,  孙钱

IPC: H01L21/205 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种半导体异质结构、其制备方法及应用。该半导体异质结构包括第一半导体材料和第二半导体材料，该第一半导体材料与该第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配，其中该第一半导体材料为AlxInyGa1‑x‑yN，其中4.72≤x/y≤5.10，0≤x≤1，0

公开(公告)号：CN105990106B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201510076931.4

申请日：2015-02-13

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 周宇 ,  李水明 ,  戴淑君 ,  高宏伟 ,  孙钱

IPC: H01L21/205 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种半导体异质结构、其制备方法及应用。该半导体异质结构包括第一半导体材料和第二半导体材料，该第一半导体材料与该第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配，其中该第一半导体材料为AlxInyGa1‑x‑yN，其中4.72≤x/y≤5.10，0≤x≤1，0

公开(公告)号：CN106486363A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510551408.2

申请日：2015-09-01

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 孙钱 ,  周宇 ,  李水明 ,  陈小雪 ,  戴淑君 ,  高宏伟 ,  冯美鑫 ,  杨辉

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。所述HEMT包含主要由第一半、第二半导体层组成的异质结以及与所述异质结连接的源、栅和漏电极，该栅电极与势垒层之间还分布有能与第二半导体层形成异质结的第三半导体层；所述第三、第二半导体层之间还分布有刻蚀终止层，所述刻蚀终止层的组成材料比第三半导体层的组成材料具有更高刻蚀选择比，或者所述第二半导体层中与第三半导体层临近的区域的组成材料比第三半导体层的组成材料具有更高刻蚀选择比。藉由本发明的设计可以大幅降低p型栅技术的实施难度，并精确控制p型层的刻蚀深度，确保器件电学特性和芯片制作工艺的重复性、均匀性、稳定性，适用于大规模生产。